专利名称：Dram中非均匀分布冗余的修复方法
技术领域：
本发明涉及一种冗余的修复方法，尤其涉及一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法。
背景技术：
随着DRAM (Dynamic Random Access Memory动态随机存储器)制作工艺的不断缩小以及存储容量的不断增加，量产出的DRAM芯片中必然存在失效的存储单元。为了使DRAM能够正常使用，芯片设计中包含了冗余单元，冗余单元用于失效单元的修复，以达到量产合格DRAM的目的。传统DRAM设计中，冗余单元在芯片中均匀分布，因此用于分析DRAM修复的软件仅能够对冗余均匀分布的DRAM进行修复分析。但随着降低生产成本的需求，芯片面积不断减小，设计人员不再采用均匀分布冗余的设计理念，取而代之的是在芯片任意剩余面积上加入冗余，因此修复软件失效，从而影响了正常的使用。
发明内容
为了解决背景技术中存在的技术问题，本发明提供了一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法。本发明的技术解决方案是:1.一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法，其特征在于:包括以下步骤:I制作非均匀分布冗余的DRAM修复文件1.1]在无真实字线冗余分布的区域中加入虚拟字线冗余使该区域内的冗余呈均匀分布态，1.2]再将步骤1.1中加入虚拟字线冗余的区域与真实冗余区域内的真实字线冗余结合，制作DRAM修复文件；2虚拟冗余强制失效处理DRAM修复文件制作完成后，对步骤1.1中加入的虚拟字线冗余进行处理，使虚拟冗余失效；3完成DRAM中非均匀分布冗余的修复。上述步骤2中使虚拟冗余失效的处理具体是对拟字线冗余进行写0读I的数据比较或写I读0的数据比较。本发明的优点是:1.简洁，不用升级DRAM修复软件；由于现有的DRAM修复分析软件只能对均匀分布冗余的DRAM进行修复分析，因此为了使之能够用于非均匀分布冗余的DRAM，软件必须升级。软件的升级不但需要额外支付软件公司费用，而且将导致DRAM量产的推后，并且直接将升级软件用于量产有高风险的特性，因此，软件的升级具有严重不足。而新的修复方法能够继续使用现有的软件，避免了上述不足。
2.提高准确度，能够反映晶圆真实的良率；如果不采用上述修复方法，为了使现有的DRAM修复分析软件正常工作，设计人员所提供的由RA12:9定义的位线冗余的16个独立分区将不能被修复采用，以达到使字线冗余均匀分布为目的。由于人为取消了位线冗余的独立分区，芯片设计人员提供的修复灵活性将不能得到保证，DRAM的修复能力下降，晶圆的真实良率不能被体现，进一步导致生产成本的提升。而该方法的采用使位线冗余的16个独立分区得以保存，真实的反映了 DRAM芯片的修复方案，保证了晶圆的良率。3.提高了设计灵活性；该方法不仅能用于字线冗余非均匀分布的芯片，它对冗余任意分布(例如非均匀分布位线冗余、非均匀分布输入输出等)的芯片均适用。由于DRAM修复分析软件对虚拟冗余的加入没有限制，因此可以在DRAM的任意区域加入虚拟冗余以保证软件的正常工作，再针对不同种类的虚拟冗余开发相应的强制失效测试项以保证DRAM的真实修复。因此，设计人员可以在DRAM的任意区域加入冗余，芯片设计的灵活性得到了大幅提升。
图1是本发明工作流程图；图2是本发明IG DRAM涉及和测试地址映射关系不意图；图3是本发明IG DRAM bankO冗余分布及其在AFM中的映射示意图；图4是本发明AFM中IG DRAM bankO的失效虚拟字线地址示意图。
具体实施例方式1.1制作非均匀分布冗余的DRAM修复文件以IG DRAM芯片为例，IG DRAM有13位行地址、10位列地址、3位bank地址以及行和列的冗余地址。图2给出了 IG DRAM设计和爱德万测试机台AFM (Address FailureMemory地址失效记忆体)地址的映射关系。对于IG DRAM bankO，设计人员给出的冗余分布为位线冗余由RA12:9分为16个独立区域且均匀分布，但字线冗余仅分布在RA12:9为0001、0010、0011和0100的区域，该冗余分布在AFM中的映射如图3所示，Y13等于I的第一区域为位线冗余区域，有真实冗余的区域为第二区域，X13等于I为字线冗余区域，字线冗余在X13等于I的区域呈非均匀分布，即字线冗余仅分布在第二区域且每一个RA12:9的不同组合有4个字线冗余(4个字线冗余的RA8:0为000000000、000000100、000001000和000001100)，第三区域为无真实字线冗余，第四区域为主存储区。由于字线冗余的非均匀分布，软件无法对DRAM进行修复分析。为了使冗余修复软件能够继续工作，一种新的修复方法将被采用，该方法为在RA12:9不等于0001、0010、0011和0100的区域即第三区域内加入虚拟字线冗余，并且每一个RA12:9的不同组合内加入4个虚拟冗余使字线冗余呈均匀分布，并将这些虚拟字线冗余与真实字线冗余同时用于IG DRAM bankO修复文件的制作，以达到使DRAM修复分析软件工作为目的。1.2虚拟字线冗余的强制失效处理通过加入虚拟字线冗余能够使DRAM修复分析软件正常工作，但是由于它们并不存在于真实的DRAM芯片中，一旦被使用，将导致DRAM的失效单元无法修复，因此在DRAM的测试中应避免虚拟冗余的使用。针对该现象，在测试流程中将开发一个新的测试项，该测试项的功能为强制虚拟冗余在AFM中失效，并且该测试项位于测试流程的顶端，以保证芯片的功能测试不受虚拟冗余的影响。1.3测试验证结合冗余修复文件以及强制虚拟冗余失效的测试项，可以得到如图4所示的地址，该地址存储于AFM中，F，0，0，0，为8代表整个字线的失效，0，0，0，X13,为I代表该失效位于冗余字线，0八12八11八10，为0代表是bankO的失效，X12, XII, X10, X9,分别为0，5，6，7，8，9，A, B，C，D, E, F代表失效位于第三区域，结合每一个X12, XII，X10, X9，分别有X3，X2，X1，X0，的0，4，8，C四种组合，意味着第三区域的每一个X12:9的组合均引入了 4个字线冗余以达到字线冗余均匀分布的目的。48个记录在AFM的字线冗余失效地址确保了虚拟字线冗余不会用于IG DRAM bankO的修复,进一步验证了 DRAM中非分均勻分布冗余修复方法的可行性。
权利要求
1.一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法，其特征在于:包括以下步骤: I制作非均匀分布冗余的DRAM修复文件 1.1]在无真实字线冗余分布的区域中加入虚拟字线冗余使该区域内的冗余呈均匀分布态； 1.2]再将步骤1.1中加入虚拟字线冗余的区域与真实冗余区域内的真实字线冗余结合，制作DRAM修复文件； 2虚拟冗余强制失效处理 DRAM修复文件制作完成后，对步骤1.1中加入的虚拟字线冗余进行处理，使虚拟冗余失效；3完成DRAM中非均匀分布冗余的修复。
2.根据权利要求1所述的一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法，其特征在于:所述步骤2中使虚拟冗余失效的处理具体是对拟字线冗余进行写O读I的数据比较或写I读O的数据比 较。
全文摘要
本发明涉及一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法。包括步骤1.制作非均匀分布冗余的DRAM修复文件；2.虚拟冗余强制失效处理；3完成DRAM中非均匀分布冗余的修复。本发明提供了一种简洁、提高准确度、提高设计灵活性的DRAM中非均匀分布冗余的修复方法。
文档编号G11C29/44GK103198870SQ20131008867
公开日2013年7月10日 申请日期2013年3月19日 优先权日2013年3月19日
发明者王帆 申请人:西安华芯半导体有限公司