存储器阵列及形成存储器阵列的方法与流程

本发明涉及存储器阵列及形成存储器阵列的方法。

背景技术：

存储器是一种类型的集成电路，且用于电子系统中以存储数据。通常，集成存储器被制造成个别存储器单元的一或多个阵列。所述存储器单元经配置以保存或存储处于至少两种不同可选择状态的存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的两种以上级别或状态。

一种类型的存储器是相变存储器(PCM)。此存储器利用相变材料作为可编程材料。可用于PCM中的实例相变材料是硫族化物材料。

通过施加适当刺激，相变材料从一个相可逆地变换为另一相。每一相可用作存储器状态，且因此个别PCM单元可具有对应于相变材料的两个诱导型相的两个可选择存储器状态。

参考图1及2描述在利用PCM期间可能面临的困难。图1展示包括PCM阵列的构造10的部分。所述阵列包括存储器单元12到14，其中每一存储器单元包括相变材料15。所述相变材料设置于加热器材料16与导电封盖材料18之间。位线20延伸横跨存储器单元12到14，且通过封盖材料18而电耦合到所述存储器单元。所述存储器单元还电耦合到在所述存储器单元下方延伸的字线22到24。

所说明的存储器单元12到14可沿着存储器阵列的单一列，且相应地连接到共同位线。

所述字线可在相对于图1的横截面图的页面内外延伸，且可沿着所述存储器阵列的行将所说明的存储器单元与其它存储器单元(图中未展示)连接。

电绝缘材料26设置于所述存储器单元之间。所述电绝缘材料可包括单一组合物(如图中所展示)，或可包括多种不同组合物。

参考图2，可通过沿着位线20及字线23的适当电刺激而选择性地编程存储器单元13。此编程可涉及：利用加热器材料16来将可编程材料15的温度升高到至少大致适合于改动材料15内的结晶度的转变温度。此温度升高在具有改动的物理性质的存储器单元13的可编程材料内产生区域28，且因此使所述存储器单元转变为不同于相邻存储器单元12及14的存储器状态。

可在存储器单元13的编程期间发生的问题是存储器单元13与相邻存储器单元12及14之间的热串扰。箭头29经设置以图解地说明在此存储器单元的编程期间从存储器单元13向外迁移的热能。所述热串扰可引起所谓的“程序干扰”现象，在所述现象中，在邻近存储器单元的编程期间从存储器单元丢失数据。

将期望减轻或防止PCM阵列的邻近存储器单元之间的热串扰。

附图说明

图1及2是说明现有技术问题的现有技术存储器阵列的一区域的图解横截面图。

图3是实例实施例存储器阵列的区域的图解横截面图。

图4到8是根据形成实例实施例存储器阵列的实例实施例过程的半导体构造的区域的图解横截面图。图4到8中的每一者说明沿着x方向的横截面及沿着y方向的横截面；其中所述x方向横截面沿着穿过所述y方向横截面的线x-x，且其中所述y方向横截面沿着穿过所述x方向横截面的线y-y。

图9是根据可在图8的实施例的实例实施例的半导体构造的区域的图解横截面图。

图10及11是根据形成实例实施例存储器阵列的实例实施例过程的半导体构造的区域的图解横截面图；其中图10的处理阶段遵循图8的处理阶段。

图12是图11的半导体构造的图解三维图。

图13是根据在一些应用中可遵循图11的实施例的实例实施例的半导体构造的区域的图解横截面图。

图14是根据在一些应用中可遵循图11的实施例的实例实施例的半导体构造的区域的图解横截面图。

图15是包括图14中所展示的结构的存储器阵列的区域的图解平面图。

具体实施方式

一些实施例包含在相邻PCM单元之间形成热屏蔽件(即，散热器)以减轻或防止上文在“背景技术”章节中所描述的热串扰问题的方法。下文参考图3到15描述实例实施例。

参考图3，展示构造30，所述构造30包括类似于如参考现有技术图1展示及描述的结构及装置的结构及装置。然而，构造30还包括设置于邻近存储器单元之间的热屏蔽件32及33。具体地说，热屏蔽件32设置于邻近单元12与13之间，且热屏蔽件33设置于单元13与14之间。热屏蔽件32及33是导电的，且电耦合到位线20。所述热屏蔽件可包括金属，且组合物方面可不同于位线20(如图中所展示)，或可包括与位线的区域共有的材料(如下文参考图13所描述)。

图3的热屏蔽件32及33沿着位线方向(具体地说，沿着位线20的方向)介于存储器单元之间。在其它实施例中，额外热屏蔽件可沿着字线方向设置，如下文参考图14及15所描述。

下文参考图4到15描述包括热屏蔽件配置的实例存储器阵列及在存储器阵列内制造热屏蔽件配置的实例方法。

参考图4，说明沿着两个正交横截面的半导体构造50，其中所述横截面中的一者被标记为“x”且另一者被标记为“y”。所述“x”横截面沿着所述“y”横截面的线x-x，且所述“y”横截面沿着所述“x”横截面的线y-y。

所述半导体构造包含多个互连件52。此类互连件是导电的，且可包括任何适合材料；所述材料包含(例如)各种金属(例如钨、钛等等)、含金属组合物(例如金属硅化物、金属碳化物等等)及导电掺杂型半导体材料(例如导电掺杂型硅、导电掺杂型锗等等)中的一或多者。在一些特定实例中，互连件52可为选择装置的部分或可耦合到选择装置，所述选择装置用于控制通过存储器单元的电流。例如，互连件52可包括形成于双极结型晶体管(BJT)的导电掺杂型区域上方的金属硅化物。

由电绝缘材料54使互连件52彼此隔开。此电绝缘材料可包括任何适合组合物或组合物的组合；其包含(例如)氮化硅、二氧化硅等等。

互连件52及电绝缘材料54展示为由基底56支撑。基底56可包括半导体材料，且可称为半导体衬底或半导体衬底的部分。术语“半导电衬底”、“半导体构造”及“半导体衬底”意谓包括以下两者的任何构造：半导电材料，其包含(但不限于)块状半导电材料，例如半导电晶片(其单独或组合地包括其它材料)；及半导电材料层(其单独或组合地包括其它材料)。术语“衬底”是指任何支撑结构，其包含(但不限于)上文所描述的半导电衬底。在一些实施例中，基底56可对应于含有与集成电路制造相关联的一或多种材料的半导体衬底。此类材料可对应于(例如)耐火金属材料、障壁材料、扩散材料、绝缘体材料等等中的一或多者。在所展示的实施例中，使基底与互连件52隔开以指示，其它材料可设置于基底与互连件之间。例如，字线60到62可位于互连件52下方，且电耦合到此类互连件(直接或通过选择装置)。所述字线可在相对于“y”方向的页面内外延伸，且相应地可沿着“x”方向延伸(相应地，全部互连件52展示为沿着x方向连接到共同字线60)。

互连件52可配置为具有沿着“y”方向的列及沿着“x”方向的行的栅格。所述互连件具有上表面53，且可具有任何适合形状。例如，在一些实施例中，所述互连件可呈圆柱形，且相应地当从上方观察时，上表面53可呈圆形。在其它实施例中，当从上方观察时，上表面53可呈椭圆形、多边形或任何其它适合形状。例如，在一些实施例中，互连件52可为正方形柱或矩形柱，且相应地当从上方观察时，上表面53可具有正方形或矩形形状。

在一些实施例中，互连件的上表面53可被视为对应于电节点的阵列。此阵列具有沿着所说明的“x”横截面的行方向及沿着所说明的“y”横截面的列方向；其中所述行方向基本上正交于所述列方向。术语“基本上”用于指示，在制造及测量的合理容限内使所述行方向与所述列方向彼此正交。

加热器材料64形成于互连件52上方，且在所展示的实施例中，直接抵靠对应于上表面53的电节点而形成。所述加热器材料配置为沿着行方向延伸的条带66到68，且沿着行方向彼此隔开。在所展示的实施例中，条带66到68对应于角板结构，其包括沿着上表面53的水平部分及从所述水平部分向上延伸的垂直部分。

加热器材料64可包括任何适合组合物或组合物的组合；其包含(例如)含有金属及氮的各种组合物(例如WN、TiN、WCN、TiAlN、TiSiN等等；其中所列化学式提供主要组分，而非指定特定化学计量)中的一或多者。

电绝缘材料70及72介于加热器材料条带66到68之间。此类电绝缘材料可包括任何适合组合物或组合物的组合。在一些实施例中，电绝缘材料70可包括氮化硅，且电绝缘材料72可包括二氧化硅。

横跨材料70、72及64形成平坦化表面73。可利用任何适合处理来形成此平坦化表面，所述处理包含(例如)化学机械抛光(CMP)。

可利用常规处理来形成图4的构造。

参考图5，横跨平坦化表面73形成堆叠75。所述堆叠包括相变材料74及导电封盖材料76。

相变材料74可包括任何适合组合物或组合物的组合；且在一些实施例中，可包括硫族化物，基本上由硫族化物组成，或由硫族化物组成；例如锗、锑及碲的混合物(即，通常称为GST的混合物)。

导电封盖材料76可包括任何适合组合物或组合物的组合；且在一些实施例中，可包括以下各者中的一或多者、基本上由所述一或多者组成或由所述一或多者组成：钛、氮化钛、钨、碳、钽、氮化钽等等。

参考图6，堆叠75经图案化以形成与加热器材料条带66到68一对一对应的带78到80。可通过任何适合处理而实现对堆叠75的图案化。例如，掩模(图中未展示)可设置于所述堆叠上方以保护所述堆叠的区域，同时使其它区域暴露；可通过一或多种适合蚀刻而移除所述暴露区域；且接着移除所述掩模以留下图6的构造。所述掩模可为光刻掩模(例如以光学光刻方式图案化的光致抗蚀剂)或次光刻掩模(例如利用间距倍增方法来形成的掩模)；且在一些实例实施例中，可利用光学光刻、间距倍增、UV光刻、纳米压印、电子束光刻等等中的一或多者来形成所述掩模。

在所展示的实施例中，蚀刻还穿透电绝缘材料70及72(图5)以形成延伸到电绝缘材料54的上表面的沟渠82到84。在一些实施例中，所述沟渠可穿透到电绝缘材料54中，且可相应地到达比加热器材料64深的位置。

带78到80沿着行方向(即，图6的x方向)延伸，且沿着列方向(即，图6的y方向)彼此隔开。

沿着沟渠82到84的侧壁形成电绝缘材料衬垫86。所述电绝缘材料衬垫可包括任何适合组合物或组合物的组合；且在一些实施例中，可包括氮化硅，基本上由氮化硅组成，或由氮化硅组成。在一些实施例中，相变材料74可包括氧敏感材料，且可期望利用不含氧衬垫来保护此相变材料74免受氧化。可通过任何适合处理而形成衬垫86，所述处理包含(例如)沉积适当材料的薄层，接着进行各向异性蚀刻。

参考图7，额外电绝缘材料88设置于沟渠82到84内以使所述沟渠变窄。所述额外电绝缘材料可包括相同于电绝缘材料衬垫86的组合物，或可包括相对于衬垫86不同的组合物。例如，在一些实施例中，衬垫86及额外材料88两者均可包括氮化硅。作为另一实例，在一些实施例中，衬垫86可包括氮化硅，且额外材料88可包括氧化物，例如二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝等等。如果材料88包括相同于衬垫86的材料，那么可利用单一沉积步骤来提供对应于衬垫86及材料88的组合物。

不管衬垫及材料88是否为彼此相同的组合物，衬垫86及材料88可经沉积以完全填充沟渠82到84，且可进行随后蚀刻以形成对应于变窄沟渠的所说明间隙。在又其它替代实施例中，可利用多个沉积/蚀刻序列来形成具有所需横截断面的间隙。

材料88及衬垫86可一起被视为使沟渠82到84变窄的电绝缘间隔物。此类间隔物可具有(例如)从约3纳米到约10纳米的沿着图7的横截面的宽度。变窄沟渠内的间隙可具有任何适合尺寸，且在一些实施例中，可具有从约1纳米到约50纳米的范围(例如从约3纳米到约10纳米的范围)内的宽度“W”。所述间隙可具有任何适合深度。最后，热屏蔽材料(下文参考图8所描述)形成于所述间隙内，且可期望所述间隙延伸到相变材料74的最下表面下方的深度，使得热屏蔽件与相变材料74的整体垂直重叠。然而，在其它实施例中，所述间隙可延伸到小于相变材料74的最下表面的深度的深度，且如果发现此重叠足以减轻或排除“背景技术”章节中所描述的热串扰问题，那么热屏蔽材料可与相变材料74的仅一些垂直重叠。

参考图8，沟渠82到84填充有导电热屏蔽材料90。此热屏蔽材料可包括任何适合组合物或组合物的组合；且在一些实施例中，可包括金属(钨、钛、钽等等)或含金属组合物(例如金属硅化物、金属氮化物、金属碳化物等等)。在一些实例实施例中，热屏蔽材料90可包括以下各者中的一或多者，基本上由所述一或多者组成，或由所述一或多者组成：钨、钽、钛及氮化钛。在一些实施例中，热屏蔽材料可具有至少约5瓦特/(米·开尔文)的导热率。沟渠82到84内的热屏蔽材料90可具有(例如)从约1纳米到约50纳米(例如从约3纳米到约10纳米的范围)的沿着图8的横截面的宽度。

在所展示的实施例中，热屏蔽材料90延伸横跨导电封盖材料76的上表面，以及在沟渠82到84内延伸。沟渠82到84内的热屏蔽材料形成沿着行方向延伸(即，沿着图8的x方向延伸)的线条92到94。

最后，沟渠82到84内的导电热屏蔽材料90将连接到位线。在一些实施例中，可期望将横跨封盖材料76的上表面的热屏蔽件图案化为位线的区域。在其它实施例中，可期望从封盖材料76的上表面上方移除材料90且以用于位线中的另一材料替换材料90。例如，图9展示可遵循图8的实施例的实施例，在所述实施例中，通过平坦化(例如CMP)而从封盖材料76的上表面上方移除热屏蔽材料90，且接着用不同材料98替换热屏蔽材料90。材料98可包括适合用于位线中的任何组合物或组合物的组合。

在一些实施例中，类似于图9的构造的构造可通过用材料90仅部分地填充沟渠82到84，且接着沉积用于填充所述沟渠的剩余上部区域且延伸横跨封盖材料76的材料98而形成。

在一些实施例中，图8的构造可优于图9的构造，这是因为图8的构造可简化处理以将相同材料90用于热屏蔽件以及位线的区域。在其它实施例中，图9的构造可为优选的，这是因为在热屏蔽件内利用不同于位线内的材料的材料可使存储器阵列能够适合于特定应用。

在一些实施例中，类似于参考图9所描述的处理的处理可利用用于并入到热屏蔽件中的在沟渠82到84中沉积于彼此的顶部上的多种不同导电材料，此可使热屏蔽件能够尤其更适合于特定应用。

无论是利用图8中所展示的类型的实施例抑或利用图9中所展示的类型的实施例，后续处理割穿加热器材料条带66到68、相变材料带78到80及热屏蔽材料线条92到94以从所述条带图案化加热器，从所述带图案化存储器单元，且从所述线条图案化热屏蔽件。例如，图10展示遵循图8的处理阶段的处理阶段。已沿着列方向(即，图10的y方向)形成沟渠100到102，其中此类沟渠穿过加热器材料64、相变材料74、封盖材料76及热屏蔽材料90。经图案化的材料64、74、76一起配置为多个柱状物103到105(沿着x方向视图可见)及104、200及201(沿着y方向视图可见)；其中此类柱状物从节点53向上延伸。此类柱状物中的每一者包括由加热器材料64形成的加热器106、由相变材料74形成的存储器单元107及由封盖材料76形成的导电封盖结构108。将热屏蔽材料90图案化为沿着列方向(图10的y方向)延伸且沿着行方向(图10的x方向)彼此隔开的多个线条110到112。此外，将沟渠82到84内的热屏蔽材料图案化为热屏蔽件114到116。

加热器106、存储器单元107及封盖结构108位于相同于节点53的阵列上；且热屏蔽件114到116使紧邻存储器单元沿着列方向(即，图10的y方向)彼此分离。

参考图11，沟渠100到102填充有电绝缘材料120及122。在一些实施例中，电绝缘材料120可为不含氧材料(例如氮化硅)以避免氧敏感相变材料74氧化。可通过沉积一层材料120、接着进行各向异性蚀刻而使此电绝缘材料沿着沟渠100到102的侧壁形成为所说明的衬垫。材料122可包括任何适合电绝缘材料，所述电绝缘材料包含(例如)氮化硅、氧化铝、氮氧化硅、二氧化硅等等中的一或多者。在一些实施例中，沟渠100到102可填充有单一同质电绝缘材料，而非填充有两种或多于两种不同材料。

平坦化表面123延伸横跨材料120、122及90。可通过任何适合处理(包含(例如)CMP)而形成此表面。

图12展示图11的处理阶段处的构造的一部分的三维图。所说明的部分包括节点53(图11)上方的图案化材料。

参考图13，形成横跨平坦化表面123的电绝缘材料130及132，且接着形成延伸穿过此电绝缘材料的位线材料134以与线条110到112的材料90电连接。电绝缘材料130及132可包括任何适合组合物或组合物的组合；且在一些实施例中，可分别对应于氮化硅及二氧化硅。虽然图13中展示两种电绝缘材料，但在其它实施例中，可用单一材料替换材料130及132，且在又其它实施例中，可用两种以上材料替换材料130及132。在一些实施例中，可由气隙替换材料130及132中的一或两者的至少一些。

位线材料134可包括任何适合组合物或组合物的组合。在一些实施例中，此材料可包括由一或多种铜障壁材料(例如含钌材料)包围的铜芯线。位线材料134与具有材料90的线条110到112一起形成沿着包括PCM单元107的存储器阵列的列方向(即，所展示的y方向)延伸的多个位线140到142。

在所展示的实施例中，位线140到142具有下部区域，其包括相同于用于热屏蔽件114到116中的材料的材料90。如果利用上文参考图9所论述的实施例而非图8的实施例，那么位线材料可直接抵靠封盖材料76的上表面而延伸，而非抵靠材料90的上表面而延伸。然而，不管利用哪一实施例，位线材料将与热屏蔽件114到116的热屏蔽材料直接电接触。在一些实施例中，热屏蔽件114到116可被视为从位线141向下突出。

热屏蔽件与位线的直接电接触可增强朝向较冷区域的热迁移。无论如何，热屏蔽件114到116可用作减轻相邻存储器单元之间的热串扰的散热器。

显著地，通过间隔物蚀刻方法而非通过利用单独掩模来图案化热屏蔽而使热屏蔽件114到116相对于相邻存储器单元对准。在一些方面中，热屏蔽件可被视为相对于相邻存储器单元而自对准。利用无需单独掩模来产生热屏蔽件的过程可使热屏蔽件能够容易地并入到现有制造制程中。

应注意，以图4到13的方法论而形成的加热器106塑形为角板。提供此类加热器作为实例加热器配置。在其它实施例中，可形成其它加热器配置；且在一些实施例中，可省略加热器，且可替代地形成无加热器配置。

图4到13的处理沿着位线方向(即，列方向，且具体地说，沿着所展示的y方向)在邻近存储器单元之间形成热屏蔽件。在其它实施例中，可沿着字线方向(即，行方向，且具体地说，沿着所展示的x方向)在邻近存储器单元之间形成热屏蔽件。

图14展示根据实施例的可遵循图10的处理阶段的处理阶段处的构造50，在所述实施例中，沿着字线方向在邻近存储器单元之间形成热屏蔽件。图14的构造包括作为沟渠100到102(图10)的衬里的电绝缘间隔物120，且包括填充带衬沟渠的热屏蔽材料150。可以相同于上文参考图11所描述的间隔物120的方式且由相同于上文参考图11所描述的间隔物120的材料的材料形成间隔物120；且相应地，间隔物120可包括氮化硅，基本上由氮化硅组成，或由氮化硅组成。在一些实施例中，间隔物120可包括两种或多于两种不同组合物。例如，间隔物可包括氮化硅与氧化物的叠层；其中所述氮化硅直接沿着材料64、74、76及90的暴露表面，且其中由所述氮化硅使所述氧化物与此类表面隔开。在此类实施例中，所述氧化物可包括(例如)二氧化硅及氧化铝中的一或两者。电介质材料120可具有(例如)从约3纳米到约10纳米的厚度。

热屏蔽材料150包括导电材料；且在一些实施例中，可包括金属(例如钨、钽、钛等等)及/或含金属组合物(例如金属氮化物、金属硅化物、金属碳化物等等)。在一些实施例中，热屏蔽材料150可包括以下各者中的一或多者，基本上由所述一或多者组成，或由所述一或多者组成：钨、钽、钛及氮化钛。热屏蔽材料150在沟渠100到102(图10)内分别形成热屏蔽件151到153。在一些实施例中，热屏蔽材料150可经形成以使沟渠100到102填充过满；接着，可利用平坦化来形成所展示的平坦化上表面155且使热屏蔽件151到153彼此电隔离。沟渠100到102内的热屏蔽材料可具有沿着图14的横截面的(例如)从约3纳米到约10纳米的宽度。

在一些实施例中，图7的沟渠82到84可称为第一沟渠，且形成于此类沟渠内的热屏蔽材料90可称为第一热屏蔽材料。在此类实施例中，图10的沟渠100到102可称为第二沟渠，且热屏蔽材料150可称为第二热屏蔽材料。所述第一热屏蔽材料及所述第二热屏蔽材料可包括彼此相同的组合物，或可包括相对于彼此不同的组合物。

在一些实施例中，形成于第一沟渠82到84内的电绝缘材料86及88可一起被视为对应于第一电绝缘间隔物，且形成于第二沟渠100到102内的电绝缘材料120可被视为对应于第二电绝缘间隔物。所述第一电绝缘间隔物及所述第二电绝缘间隔物可包括彼此相同的组合物或不同组合物。

在图14的所展示实施例中，第一热屏蔽件114到116延伸到第一深度，且第二热屏蔽件151到153延伸到深于所述第一深度的第二深度。具体地说，第一热屏蔽件114到116延伸到足以与存储器单元107内的整个相变材料74垂直重叠的深度，但所述第一热屏蔽件不与加热器106的整个垂直扩展部分重叠。相比而言，所述第二热屏蔽件延伸到足以与加热器106的整个垂直扩展部分以及存储器单元107内的相变材料74垂直重叠的深度。在一些实施例中，所述第一热屏蔽件及所述第二热屏蔽件可延伸到除所展示的深度之外的深度。

在一些实施例中，可期望第一热屏蔽件及第二热屏蔽件两者均与存储器单元的整个相变材料74垂直重叠以减轻或防止邻近存储器单元之间的热串扰。在一些实施例中，可发现：即使第一热屏蔽件及第二热屏蔽件中的一或两者未与存储器单元的相变材料74完全垂直重叠及/或未与加热器106完全垂直重叠，但仍然可充分减轻热串扰。

在图14的处理之后的处理中，可横跨图14的构造形成及图案化类似于图13的位线的位线；且图14中示意性地指示位线140到142。

在图15中通过平面图图解地说明图14的存储器单元与第一热屏蔽件与第二热屏蔽件之间的几何关系。此平面图展示布置成第一栅格的多个存储器单元107，其中此栅格具有沿着第一方向延伸的列380及沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向延伸的行390。位线140到142沿着所述列且在所述存储器单元上方延伸，而字线60到62沿着所述行且在所述存储器单元下方延伸。所述位线展示为电耦合到所述存储器单元，且类似地，所述字线展示为电耦合到所述存储器单元。通过字线与位线的组合而唯一地寻址每一存储器单元。

多个第一热屏蔽件400沿着第一栅格的列横向地介于紧邻存储器单元之间，其中图14的热屏蔽件115及116是此类第一热屏蔽件的实例。另外，第二热屏蔽件151及152沿着第一栅格的行横向地介于紧邻存储器单元之间。第一热屏蔽400件布置成沿着列方向从存储器单元的第一栅格偏移的第二栅格，且所述第二热屏蔽件是沿着行方向延伸的线条。

在所展示的实施例中，第一热屏件400电连接到位线140到142，且第二热屏蔽件151及152与位线及字线两者电隔离。

上文所论述的电子装置及存储器阵列可并入到电子系统中。此类电子系统可用于(例如)存储器模块、装置驱动器、电力模块、通信调制解调器、处理器模块及应用特定模块中，且可包含多层、多芯片模块。所述电子系统可为各种系统中的任一者，例如时钟、电视、移动电话、个人计算机、汽车、工业控制系统、飞机等等。

除非另外指定，否则可通过现已知或仍待开发的任何适合方法而形成本文中所描述的各种材料、物质、组合物等等，所述方法包含(例如)原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等等。

图式中的各种实施例的特定定向仅用于说明目的，且可在一些应用中使实施例相对于所展示的定向旋转。本文中所提供的描述内容及以下权利要求书是针对具有各种特征之间的所描述的关系的任何结构，而不管所述结构是否处于图式的特定定向或相对于此定向被旋转。

附图的横截面图仅展示横截面的平面内的特征，且未展示横截面的平面后面的材料以简化图式。

当结构在上文中被称为“在另一结构上”或“抵靠另一结构”时，所述结构可直接在所述另一结构上，或也可存在介入结构。相比而言，当结构被称为“直接在另一结构上”或“直接抵靠另一结构”时，不存在介入结构。当结构被称为“连接”或“耦合”到另一结构时，所述结构可直接连接或耦合到所述另一结构，或可存在介入结构。相比而言，当结构被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一结构时，不存在介入结构。

一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列包括垂直地介于位线与字线之间的多个存储器单元。所述存储器单元包括相变材料。热屏蔽件沿着位线方向横向地介于紧邻存储器单元之间。所述热屏蔽件包括导电材料且与所述位线电连接。

一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列包括布置成第一栅格的多个存储器单元。所述第一栅格包括沿着第一方向的列且包括沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向的行。所述存储器单元包括相变材料。第一热屏蔽件沿着所述栅格的所述第一方向横向地介于紧邻存储器单元之间。所述第一热屏蔽件包括第一导电材料且布置成沿着所述第一方向从所述第一栅格偏移的第二栅格。第二热屏蔽件沿着所述栅格的所述第二方向横向地介于紧邻存储器单元之间。所述第二热屏蔽件包括第二导电材料且布置成沿着所述第一方向并排延伸的线条。

一些实施例包含形成存储器阵列的方法。加热器材料条带形成于电节点的阵列上方。所述阵列具有行方向及基本上正交于所述行方向的列方向。所述节点位于沿着所述行方向延伸的字线上方且与所述字线电耦合。所述加热器材料条带沿着所述行方向延伸横跨所述节点；其中所述条带沿着所述列方向彼此隔开。堆叠形成于所述条带上方，其中所述堆叠包括相变材料及导电封盖材料。所述堆叠经图案化以形成与所述条带一对一对应的带，其中所述带沿着所述行方向延伸且沿着所述列方向彼此隔开。电绝缘间隔物经形成以沿着所述带的侧壁边缘延伸，同时在所述带之间留下沟渠。所述沟渠填充有导电热屏蔽材料。所述沟渠内的所述热屏蔽材料配置为沿着相同于所述带的方向延伸的线条且通过所述间隔物而与所述带横向隔开。沿着所述行方向分割所述条带、所述带及所述线条以由所述带形成存储器单元，由所述条带形成加热器，且由所述线条形成热屏蔽件。所述加热器及所述存储器单元位于相同于所述节点的所述阵列上。所述热屏蔽使紧邻存储器单元沿着所述列方向彼此分离。位线形成于所述热屏蔽件上方且与所述热屏蔽及所述导电封盖材料电耦合。所述位线沿着所述列方向延伸。