1.一种非挥发性闪存的有效编程方法，用以对一非挥发性闪存进行有效编程，其中该非挥发性闪存包含多个选择晶体管、多个浮动晶体管，且每个选择晶体管是与相对应的浮动晶体管形成一记忆胞，每个选择晶体管及每个浮动晶体管是属于N型晶体管，每个记忆胞是设置于一三重P型位阱中，而该三重P型位阱是设置于一深N型位阱中，该深N型位阱是设置于一P型基板中，该浮动晶体管具有相互不电气连接的一浮动闸极及一控制闸极，该选择晶体管的一源极连接共享的一源极线，该选择晶体管的一汲极连接该浮动晶体管的一源极，该浮动晶体管的一汲极连接一位线，该浮动晶体管的控制闸极连接一字线，其特征在于，该有效编程方法包括：
一第一编程步骤，施加一正电压到该浮动晶体管的控制闸极；
一第二编程步骤，施加零电压或一负电压到该三重P型位阱、该深N型位阱；
一第三编程步骤，施加零电压或该负电压到该选择晶体管的一选择闸极，藉以关闭该选择晶体管；以及
一第四编程步骤，施加一中等正电压到该浮动晶体管的汲极，
其中，该位线以及该三重型位阱之间的接面在能带到能带穿隧的作用下，使得电洞-电子对的电子跳跃到该浮动闸极，因而感应较高的一记忆胞临限电压以当作状态“0”。
2.如权利要求1所述的非挥发性闪存的有效编程方法，其特征在于，该正电压为大约7+/-3V，该中等正电压为大约5V+/-1.5V。
3.如权利要求1所述的非挥发性闪存的有效编程方法，其特征在于，该浮动闸极是藉一抹除操作而变更该状态“0”，且该抹除操作包括：
一第一抹除步骤，施加另一负偏压到该控制闸极；
一第二抹除步骤，施加零偏压到该选择闸极，同时施加零偏压到该浮动源极线或该浮动源极线为浮动；
一第三抹除步骤，施加另一正电压到该三重P型位阱、该深N型位阱；以及
一第四抹除步骤，保持该浮动晶体管的汲极为浮动，以使得该浮动闸极所储存的电子经福勒-诺德汉穿隧效应跳跃到该三重P型位阱，藉以感应较低的记忆胞临限电压，当作状态“1”。
4.如权利要求3所述的非挥发性闪存的有效编程方法，其特征在于，该另一负偏压为大约-8+/-3V，该另一正电压为大约8+/-3V。