1.一种非易失性存储系统，包括：
存储器阵列(501)，所述存储器阵列包括连接至字线的存储器单元集合；以及
一个或多个管理电路(510)，所述一个或多个管理电路与所述存储器阵列通信，所述一个或多个管理电路被配置成从所述存储器单元集合中读取数据并确定与所述数据相关联的失败位计数，所述一个或多个管理电路被配置成检测所述失败位计数大于错误阈值，所述一个或多个管理电路被配置成响应于检测到所述失败位计数大于所述错误阈值而标识所述存储器阵列内的一个或多个字线，所述一个或多个字线包括所述字线，所述一个或多个管理电路被配置成生成待编程到连接至所述一个或多个字线的存储器单元中的新数据，所述一个或多个管理电路被配置成对连接至所述一个或多个字线的所述存储器单元执行部分块擦除操作并被配置成将所述新数据编程到连接至所述一个或多个字线的所述存储器单元中。
2.如权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：
所述一个或多个管理电路被配置成基于与所述存储器阵列相关联的温度确定所述错误阈值。
3.如权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：
所述一个或多个管理电路被配置成基于所述字线的编程/擦除循环的数量确定所述错误阈值。
4.如权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：
所述一个或多个管理电路被配置成基于所述字线已经发生的数据刷新的次数确定所述错误阈值。
5.如权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：
所述一个或多个管理电路被配置成基于所述字线的编程/擦除循环的数量标识所述一个或多个字线。
6.如权利要求1至5中任一项所述的非易失性存储系统，其中：
所述存储器阵列内的所述一个或多个字线包括所述字线以及与所述字线相邻的第二字线。
7.如权利要求6所述的非易失性存储系统，其中：
所述部分块擦除操作包括擦除连接至所述字线的所述存储器单元集合以及擦除连接至所述第二字线的第二存储器单元集合，所述局部块擦除操作包括这样的擦除操作，其中，少于所述存储器阵列内的所有所述字线的字线在所述擦除操作期间被擦除。
8.如权利要求1至7中任一项所述的非易失性存储系统，其中：
所述存储器阵列包括NAND存储器阵列；并且
所述存储器阵列包括单片地形成在具有被布置在硅衬底上方的有源区的一个或多个存储器单元物理层级中的非易失性存储器。
9.一种用于操作非易失性存储系统的方法，所述方法包括：
从连接至存储器块内的字线的存储器单元集合中读取(802)数据；
确定(804)与所述数据相关联的位错误数量；
检测(808)所述位错误数量大于错误阈值；
响应于检测到所述位错误数量大于所述错误阈值而标识(810)所述存储器块内的一个或多个字线，所述一个或多个字线包括所述字线和第二字线；
生成(812)待编程到连接至所述一个或多个字线的存储器单元中的新数据；
对连接至所述一个或多个字线的所述存储器单元执行(814)部分块擦除操作；以及
将所述新数据编程(816)到连接至所述一个或多个字线的所述存储器单元中。
10.如权利要求9所述的方法，进一步包括：
基于与所述存储器块相关联的温度确定所述错误阈值。
11.如权利要求9所述的方法，进一步包括：
基于所述字线的编程/擦除循环的数量确定所述错误阈值。
12.如权利要求9所述的方法，进一步包括：
基于所述字线已经发生的数据刷新的次数确定所述错误阈值。
13.如权利要求9至12中任一项所述的方法，其中：
所述数据包括数据页并且所述错误阈值包括每页三个位错误。
14.如权利要求9至13中任一项所述的方法，其中：
所述标识所述存储器块内的一个或多个字线包括基于所述字线的编程/擦除循环的数量标识所述一个或多个字线。
15.如权利要求9至14中任一项所述的方法，其中：
所述第二字线与所述字线相邻。