1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：
存储器阵列，包括多个全局块，一个所述全局块包括多个块，一个所述块包括多个与非串，多个全局块的各个分别形成在阱内；
全局块选择部件，选择多个所述全局块中的任一个全局块；
块选择部件，自由所述全局块选择部件选择的所述全局块内的多个所述块中选择块；以及
擦除部件，擦除由所述块选择部件选择的所述块，
所述擦除部件对所选择的所述全局块的阱施加擦除电压，且对所选择的所述块的字线施加基准电压，
在所述擦除部件对其中一阱的所述块进行擦除后进而对另一阱的所述块进行擦除的情况下，将积累在所述其中一阱的电荷供给至所述另一阱。
2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述擦除部件在判定所述其中一阱与所述另一阱是否处于邻接的关系且判定为处于所述邻接的关系时，使所述其中一阱的电荷放电至所述另一阱。
3.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述其中一阱与所述另一阱处于预定的关系。
4.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，当所述存储器阵列包括多个存储板，各所述存储板包括多个所述全局块时，所述其中一阱与所述另一阱位于相同的所述存储板内。
5.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，当所述存储器阵列包括多个存储板，各所述存储板包括多个所述全局块时，所述其中一阱与所述另一阱位于不同的所述存储板内。
6.根据权利要求5所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述其中一阱与所述另一阱位于不同的所述存储板的相同位置。
7.根据权利要求6所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述擦除部件擦除所述其中一阱与所述另一阱的处于所述相同位置的块。
8.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述擦除部件包括连接多个所述阱的所选择的阱间的晶体管，所述擦除部件通过使所述晶体管导通而使所述其中一阱的电荷放电至所述另一阱。
9.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述其中一阱自所述擦除电压放电至正电压，所述另一阱通过电荷共用而自所述正电压升压。
10.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：
存储器阵列，包括多个阱，在各所述阱中形成有包括与非串胞元的块；
块选择部件，选择所述块；以及
擦除部件，擦除所选择的所述块，
所述擦除部件对所选择的所述块的阱施加擦除电压，且对所选择的所述块的字线施加基准电压，
在所述擦除部件对其中一阱的所述块进行擦除后进而对另一阱的所述块进行擦除的情况下，将因所述擦除电压而积累在所述其中一阱的电荷供给至所述另一阱。
11.一种非易失性半导体存储装置的擦除方法，其特征在于，所述非易失性半导体存储装置包括存储器阵列，所述存储器阵列包括多个阱，在各所述阱中形成有包含与非串胞元的块，所述擦除方法包括以下步骤：
对其中一阱施加擦除电压而进行选择块的擦除；
将因所述擦除电压而积累在所述其中一阱的电荷供给至另一阱；以及
对所述另一阱施加所述擦除电压而进行所述选择块的擦除。
12.根据权利要求11所述的非易失性半导体存储装置的擦除方法，其特征在于，所述擦除方法还包括：
判定所述其中一阱与所述另一阱是否处于邻接的关系的步骤，在判定为处于所述邻接的关系的情况下，将所述其中一阱与所述另一阱进行电耦合。