技术总结
本发明公开了一种NAND闪存上基于索引调制的交叉编写方法，其步骤为：(1)对NAND闪存单元进行擦除操作；(2)将待写入的数据通过NAND闪存上基于索引调制的交叉编写方法写入已擦除的NAND闪存单元；(3)读取NAND闪存单元中存储的数据。本发明具有抗单元间干扰能力强、平均误码性能好、可以实现不等错误保护等优点，用于解决现有NAND闪存编写方法中存在的误码性能差、不能实现不等错误保护的问题。
技术研发人员：郑贱平;姚鑫鹏;吴亦寒
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201610812091
技术研发日：2016.09.08
技术公布日：2017.03.08