技术特征：
技术总结
本公开提供一种动态随机存取存储器(DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一存储器阵列及一控制元件。存储器阵列包括一更新单元。更新单元包括一第一存储胞及一第二存储胞。第一存储胞被配置以存储一数据，并具有一经程序化电压电平。第二存储胞被配置以具有一测试电压电平，其中第二存储胞与该第一存储胞受控于存储器阵列的同一列。控制元件被配置以当测试电压电平低于一临界电压电平时，提高经程序化电压电平与一标准电压电平之间的一电压差，标准电压电平用于判断位元逻辑，其中临界电压电平高于标准电压电平。
技术研发人员：李忠勋;刘献文
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2018.03.21
技术公布日：2019.04.19