1.一种自旋电子器件，其特征在于，包括：
金属层；
自由磁性层，具有响应于外部磁场变化的磁化方向；
固定磁性层，具有固定的磁化方向；
氧化层，包括第一氧化层和第二氧化层；
所述第一氧化层位于所述金属层与所述自由磁性层之间；
所述第二氧化层位于所述自由磁性层与所述固定磁性层之间。
2.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其特征在于，
所述金属层的厚度大于10纳米且小于200纳米。
3.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其特征在于，
所述自由磁性层的厚度大于0纳米且小于3纳米；
所述固定磁性层的厚度大于0纳米且小于3纳米。
4.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其特征在于，
所述第一氧化层的厚度大于0纳米且小于3纳米；
所述第二氧化层的厚度大于0纳米且小于2纳米。
5.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其特征在于，
所述金属层为钽、铝、铜中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其特征在于，
所述自由磁性层包括钴铁、钴铁硼和镍铁的其中之一或任意组合；
所述固定磁性层包括钴铁、钴铁硼和镍铁的其中之一或任意组合。
7.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其特征在于，
所述氧化层包括氧化镁或三氧化二铝。
8.一种存内逻辑计算器件，其特征在于，包括：
第一开关管、第二开关管和权利要求1至7任一权利要求所述的自旋电子器件；
所述自旋电子器件的金属层连接所述第一开关管的第一端；
所述第一开关管的第二端连接逻辑线，所述第一开关管的栅极连接逻辑控制线；
所述自旋电子器件的自由磁性层连接所述第二开关管的第一端；
所述第二开关管的第二端连接源线，所述第二开关管的栅极连接字线；
所述自旋电子器件的固定磁性层连接位线。
9.根据权利要求8所述的存内逻辑计算器件，其特征在于，
所述第一开关管的第一端为源极，所述第一开关管的第二端为漏极；或，
所述第一开关管的第二端为源极，所述第一开关管的第一端为漏极。
10.根据权利要求8所述的存内逻辑计算器件，其特征在于，
所述第二开关管的第一端为源极，所述第二开关管的第二端为漏极；或，
所述第二开关管的第二端为源极，所述第二开关管的第一端为漏极。