薄膜基板的制造方法及使用该基板的半导体元件、显示装置和电子装置的制造方法

专利名称：薄膜基板的制造方法及使用该基板的半导体元件、显示装置和电子装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及用于驱动显示面板的驱动器、存储器、控制器等的IC呈倒焊安装的结构的便携装置等的电子装置。具体地说，涉及用于电子装置的IC的安装方法及可安装IC的薄膜基板的制造方法，以及具有采用这些方法安装的半导体装置的电子装置。
背景技术：
现有技术中，例如当用于驱动显示装置的IC进行倒焊安装时，或是在IC的垫片上形成电镀凸起及双头凸起，再在将聚酰亚胺作为基板的薄膜基板上以各向异性导电膜进行粘接并保持连接；或是将银膏复制在凸起上再与薄膜基板连接，其间将欠缺进行充填并保持连接。
另外，在采用金属扩散进行连接时，实行将IC的焊锡凸起与薄膜基板的电极进行连接，再将欠缺进行充填的方法和对薄膜基板侧的电极进行Sn电镀，再在IC的Au凸起之间进行由Au-Sn共晶结合的连接，最后将欠缺进行充填的方法。
近年来驱动显示面板的IC中使用的是凸起间距45μm、电极数900的IC。通常，为了安装45μm间距，常采用Au-Sn共晶连接。为了制作薄膜基板，在形成基材的聚酰亚胺薄膜上将由镍等组成的籽晶层进行30喷镀，接着将铜进行2000喷镀。此处，籽晶层为粘合铜而设。进而，实施电解电镀，使导体的总厚度呈约8μm。通过光刻法将这样的导体图形化后形成电极，再在其上通过无电解镀锡形成约0.15～0.25μm纯锡。进而形成焊料抗蚀层后制成薄膜基板。在这样制作的薄膜基板上的电极上将IC加热加压后就完成了倒焊连接。进而，为了确保连接的可靠性，将欠缺进行注入，使之硬化。有时还接着进行电阻、电容的表面安装。进而再用各向异性导电膜将此薄膜基板连接在显示面板上。此时，由于连接聚酰亚胺薄膜时所加的热而引起延展，因而显示面板与薄膜基板的连接端子会发生位移。为防止这种位移，采用了将一并进行的热压接进行分解的方法(例如特开平05-249479号公报)、以及预先将薄膜基板的间距进行校正的方法(例如特开2000-312070号公报)。
随着IC逐年小型化的推进，开始进行40μm间距的IC和薄膜基板安装的批量生产。由于IC面积缩小、价格降低，推进了更微细间距的研究。另一方面，在形成直凸起时，间隔13μm、凸起宽度15～17μm是能够稳定批量生产的界限。因此，目前可批量生产的IC的底座间距为30μm。但是，如果超过1000个电极数的IC的话，即使配置30μm间距的凸起仍将产生与薄膜基板的安装位移。此位移是IC与薄膜基板的累积间距不合的表现，也是将IC与薄膜基板在中心处端子吻合后，端部的端子发生大的位移的表现。其原因之一认为是由于安装时的热引起薄膜基板热变形所至。尤其当Au-Sn共晶连接时，因为将连接部温度加热到350～380℃，即使使用耐热性高的聚酰亚胺也会产生位移。作为位移的对策，在薄膜基板的总体图形或只在IC安装部以一定倍率进行了用于校正伸展量的图形缩小。进行了校正后的图形虽减小了位移的程度，但因存在伸展的偏差，此种方法只能治标不能治本。
作为其他原因，认为在于薄膜基板是以滚轧方式制作所至。此种场合，使用200～500宽的金属版进行制造。制品在金属版上呈0°、90°、180°、270°状自由配置，并使制品旋转180度交互配置，制造中以达到处理数量最多为目的来配置制品。薄膜基板的金属版因以单轴压延聚酰亚胺，故流动方向(MDMachine-Direction)与宽度方向(TDTransfer-Direction)的特性不同。尽管薄膜制造厂家公示的物理特性中强度、延伸度、拉伸弹性模量、热收缩率、热膨胀系数、湿度膨胀系数的特性在MD和TD上为同样的特性值，但实际上MD和TD的尺寸变化特性不同。另外，由于在金属版薄膜基板上的制品的配置不同，IC的连接边或为MD方向或为TD方向。
另外，薄膜基板的初始尺寸偏差也是一大原因之一。通常，使用在聚酰亚胺薄膜上喷镀金属薄膜并以电镀法形成铜的材料的薄膜基板的初始尺寸偏差对应长度方向存在±0.06％的偏差。虽说薄膜基板的图形掩模是固定条件，理应毫无偏差，但制品的尺寸仍不稳定。究其原因，在于由薄膜基板的聚酰亚胺薄膜的特性、温度引起的尺寸变化和由吸水及干燥后的状态引起的尺寸变化。例如东丽杜邦(東レデュポン)股份有限公司的聚酰亚胺薄膜(カプトン)100EN，热膨胀系数MD及TD皆为16ppm/℃、湿度膨胀系数MD及TD皆为15ppm/％RH。这一影响成为薄膜基板的尺寸偏差的原因。
目前的薄膜基板的累积间距尺寸偏差，即使在尺寸精度高的TD方向安装前也是为±0.06％，金锡共晶连接后产生±0.10％的偏差。若进行30μm间距的安装，如17mm长尺寸的IC芯片时，安装后的凸起和薄膜基板的图形的允许误差量为±10μm。
然而，由安装装置造成的偏差约为±5μm，目前的薄膜基板安装前的累积间距偏差约为±10μm，安装后产生±17μm。安装后的IC和薄膜基板的位移量，由于安装后的薄膜的尺寸偏差以中心为基准向两端平分，故偏差为一半即±8.5μm，安装装置的合计偏差最大为±13.5μm。因此，17mm长尺寸的IC芯片的30μm间距的安装，最终成为废品多的高价产品。
要进行采用了17mm的IC的30μm间距的安装，薄膜基板所要求的尺寸精度必须在初始时累积间距偏差为±3μm，安装后的累积间距偏差为±10μm。基板的尺寸精度与安装装置的安装位置偏差相加，能做到各电极的连接允许值的偏差在±10μm以内。为此，薄膜基板的初始尺寸偏差必须做到为以往偏差的一半以下即约±0.02％，金锡共晶安装后的精度必须做到约±0.05％。
薄膜基板的尺寸偏差的主要原因在与显示面板的连接上也是一样。

发明内容
本发明为实现IC与薄膜基板的高密度安装，通过提高薄膜基板的累积图形间距精度以及减少由安装产生的延伸量、提高安装后的薄膜基板的尺寸精度，提供一种提高安装合格率、价格便宜的电子装置及显示装置。
为解决上述课题，本发明的电子装置的制造方法具有减少薄膜基板中所含水分的工序和在此薄膜基板上安装IC的工序。也就是说，在将薄膜基板处理成大致无水分的状态后，将IC进行倒焊安装。薄膜基板的吸水是偏差的主要原因，通过去除水分后形成干燥状态，能使湿度膨胀近乎于零。因而安装前的薄膜基板形成非常稳定的尺寸。这里所谓干燥状态，是指薄膜基板中所含水分的量在0.1Wt％以下的状态。
在将IC安装于薄膜基板上时，因加热温度在100℃以上，所以造成薄膜基板温度的急剧升高。因此薄膜基板中所含的水分在瞬间蒸发。这是薄膜延伸进一步增加的一大原因，因此通过将薄膜基板在安装IC前预先进行干燥处理，将薄膜基板中所含的水分减少或完全去除，能够大大减小IC安装时薄膜基板的尺寸偏差。
还有，本发明的电子装置的制造方法是将薄膜基板在一定的温湿度环境下至少放置一定时间后再进行IC倒焊安装，与干燥状态相比，虽精度差，但生产性方面无需从干燥状态到安装的时间管理。
另外，根据本发明的显示装置的制造方法是将薄膜基板形成干燥状态后再进行IC倒焊安装，进而将上述安装了IC的薄膜基板在干燥状态通过各向异性导电膜等与显示面板进行连接。
另外，根据本发明在高分子薄膜上设有金属布线的薄膜基板的制造方法通过在高分子薄膜上形成金属后再进入干燥状态之后形成蚀刻图形，提高了薄膜基板的累积图形精度。
此外，由IC安装造成的薄膜基板的尺寸偏差，从干燥状态如安装的净化室的环境为25℃60％的场合达到干燥后的状态为17062.9±6.8μm的基板在上述环境下放置24小时，变为17065.1±3.5μm。长度约延伸2μ，偏差约减少50％。


图1(a)～图1(e)为说明液晶显示装置的制造方法的模式图；图2为模式化表示薄膜基板的图形配置的上视图；图3为模式化表示IC电路面的凸起配置的上视图。
具体实施例方式
本发明的电子装置、半导体元件及显示装置的制造方法为了薄膜基板的图形间距的稳定化，通过去除薄膜中吸收的水分、达到干燥状态，将累积图形间距稳定化，在该状态下进行了安装作业。另外，本发明的薄膜基板的制造方法为了薄膜基板的图形间距的稳定化，在去除薄膜中吸收的水分、干燥状态之后进行了图形形成。
也就是说，本发明的表面设有可安装IC的薄膜基板的电子装置的制造方法具有将薄膜基板中所含水分减少的工序和此后在薄膜基板上安装IC的工序。这里，在将薄膜基板中所含水分减少的工序中，将薄膜基板中所含水分的量减少到了0.1Wt％以下。或者本发明具有将薄膜基板在一定温湿度环境下放置一定时间以上的工序；此后在薄膜基板上安装IC的工序。这里，一定温湿度的环境是与其后进行安装IC的工序的环境一致的环境。
另外，根据本发明在高分子薄膜上设置金属布线的薄膜基板的制造方法具有在高分子薄膜上形成金属薄膜的工序；为将高分子薄膜中所含水分减少、进行干燥处理的工序；在干燥处理后将金属布线形成图形的工序。或者本发明具有在高分子薄膜上形成金属薄膜的第一工序；将高分子薄膜在一定温湿度环境下放置一定时间以上的第二工序；在第二工序后将金属布线形成图形的工序。
薄膜基板贴有工序搬运用的包装膜时，或即使未贴包装膜时，因在图形形成之前形成干燥状态，所以不存在因图形形成产生基材卷曲的影响，能够提高图形累积精度。
另外，根据本发明在设于薄膜上的布线上安装IC芯片的半导体元件的制造方法具有在薄膜上形成布线的第一工序；形成布线后的薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下的第二工序；第二工序之后将IC芯片与布线接合的工序。或者本发明具有在薄膜上形成布线的第一工序；将形成布线后的薄膜在一定温湿度环境下放置一定时间以上的第二工序；第二工序之后将IC芯片与布线接合的工序。
进而，此第一工序包括在薄膜上形成金属薄膜的工序；将薄膜中所含水分的量达到0.1Wt％以下的干燥处理工序；干燥处理工序后将布线通过图形化形成的工序。或者，此第一工序包括在薄膜上形成金属薄膜的工序；将高分子薄膜在一定的温湿度环境下放置一定时间以上的调湿处理工序；调湿处理工序后将布线通过图形化形成的工序。
此外，根据本发明的显示装置的制造方法具有形成设有布线的薄膜基板的工序；在布线上接合IC后形成半导体元件的工序；通过将薄膜基板中所含水分的量达到0.1Wt％以下的工序再将薄膜基板与显示元件连接的工序。或者本发明具有形成设有布线的薄膜基板的工序；在布线上接合IC后形成半导体元件的工序；通过将薄膜在一定的温湿度环境下放置一定时间以上的工序后将薄膜基板与显示面板连接的工序。进一步，使在此使用的半导体元件为前述的各半导体元件的制造方法生产的半导体元件。或者，使在此使用的薄膜基板为前述各薄膜基板的制造方法生产的薄膜基板。
上述各方法中，以干燥状态在25℃60％的环境中放置后，聚酰亚胺薄膜(カプトン)EN的湿度而引起尺寸变化引起的延伸率为30分钟0.025％；1小时0.04％；100小时0.05％以下大致稳定。因此，从干燥状态到加工处理的时间越短越好。
另外，在去除薄膜中吸收的水分、形成大致干燥状态后，也可将薄膜在一定的温湿度环境下进行保管，之后，再移至下一处理工序。通过将薄膜在一定的温湿度环境下进行保管，使薄膜中的水分的吸收状态稳定化。由此，在该环境中的累积图形间距保持稳定化，以此状态移至下一处理工序。此时的一定的温湿度条件最好与下一处理工序的处理环境相同。
下面根据附图就本发明的实施例进行说明。
实施例1图1(a)～1(e)为说明根据本实施例的显示装置的制造方法的模式图。图1(a)为薄膜基板的初始状态。是在厚度25μm的聚酰亚胺薄膜1上形成图形2后的薄膜基板。本实施例中，在薄膜上形成图形前，先进行去除薄膜中吸收的水分、形成大致干燥状态的处理。
为达到大致干燥状态，将薄膜基板和硅胶放入密封袋或保管库等中，保持24小时或原样将薄膜基板和硅胶共同放入冰柜中保持24小时。放入冰柜中时，要十分注意开封后可能结露。另外，在为去除薄膜中吸收的水分而进行加温处理时，以80℃·30分钟～100℃·15分钟的敞开方式进行加温处理。
这里，图形由设于聚酰亚胺薄膜上的30的Ni合金、设于此Ni合金层上的由喷镀和电解电镀形成的4～8μm厚的Cu、和表面的0.15～0.25μm厚的无电解镀锡形成。图形形成方法有减色法；半添加法；添加法等。也可根据需要形成焊锡抗蚀层。此时，通常在形成抗蚀层后进行镀锡，也可在抗蚀层形成前预先将薄膜进行镀锡，在抗蚀层形成后形成0.15～0.25μm的纯锡层。
图2为简略化表示用于安装在薄膜基板上形成的IC的图形的上视图，IC的长边方向为薄膜的TD方向，短边方向为MD方向。也可在图形中与IC连接的内侧设置矩形等图形。在长边方向可以30μm间距形成572个电极，在短边方向可以30μm间距形成140个电极，4个边一共形成1424个电极。电极的宽度为10±2μm。
本实施例中，在薄膜上形成图像后，进行去除薄膜中吸收的水分、以此形成大致干燥状态的处理。为达到大致干燥状态，将薄膜基板和硅胶放入密封袋或保管库等中，保持24小时或原样将薄膜基板和硅胶共同放入冰柜中保持24小时。放入冰柜中后，要十分注意开封后可能结露。另外，在为去除薄膜中吸收的水分而进行加温处理时，以80℃·30分钟～100℃·15分钟的敞开方式进行加温处理。
图1(b)为在干燥状态后的薄膜基板上将IC3进行倒焊安装的侧面图。IC3上形成硅0.5mm、Au凸起高度17μm。凸起通过光刻胶将形成的区域进行开口后以电解电镀形成。形成之后除去光刻胶。图3为从上面看的IC3的电路面的图。IC3为长片形状，外形尺寸为17.48×4.5mm。凸起在长边方向与薄膜基板相同，为572个，短边方向为140个，合计形成1424个凸起。凸起的宽度以17μm的凸起间的间距形成为13μm。将此凸起通过金—锡共晶结合与薄膜基板的电极进行连接。此时的连接条件为，以440℃的工具从IC3侧施加13kg的负荷并保持2秒钟。
从干燥的环境中取出的薄膜基板必须迅速用于安装工序。用时间计算，必须在大致60分钟以内进行安装。在进行加热处理并安装时，由于金—锡共晶连接，薄膜基板的镀锡会因热处理条件产生扩散，所以要预先附以厚于通常的镀锡。
干燥处理后的薄膜基板的尺寸精度，在铜厚8μm时，薄膜基板的17.130mm的长边方向(TD)的安装前偏差为±0.04％，安装后的尺寸偏差为±0.046％；薄膜基板的4.17mm的短边方向(MD)的安装前偏差为±0.086％，安装后的尺寸偏差为±0.0771％，同以往薄膜基板相比有所改善。另外，在铜厚4μm时，薄膜基板的长边方向(TD)的安装前偏差为±0.036％，安装后为±0.0145％；短边方向(MD)的安装前偏差为±0.1176％，安装后为±0.0802％，铜薄时更为稳定。
本实施例中，因为在干燥处理后在23℃55％的环境中取出并进行IC倒焊安装，加重了薄膜基板的吸水。为了尽量减少薄膜基板的吸水，不仅是从取出到安装的时间，尽量减小安装环境的湿度也很重要。另外，作为即使在IC安装中也不使薄膜吸水的安装方法，即在薄膜基板干燥处理后以真空状态安装IC的方法，最理想的是在薄膜基板干燥处理后接着在氮气净化的环境中进行IC安装的方法。
IC的安装方法不仅有金-锡共晶连接，还有金-金热压接、超声波连接及各向异性导电膜、NCP等，但无论采用哪种方法连接，都同样能缩小偏差。
图1(c)所示为注入填充剂并硬化后的状态的侧面图。填充剂从IC3的侧面进行点状或线状涂布填充，之后通过加热进行硬化。图1(d)为焊锡安装后的侧面图，芯片电阻5靠焊锡连接。安装部件中除芯片电阻外，还有电容器、封装IC、线圈、连接器等。
图1(e)为将图1(d)所示的挠性基板安装在显示面板7上后的侧面图。在显示面板7的端子部粘贴各向异性导电膜8，并进行薄膜基板对位。在对位后进行保持的状态下，以常温或不使各向异性导电膜8硬化的温度进行点固。之后，施加打破各向异性导电膜树脂的硬化温度条件和各向异性导电膜的连接微粒使之接触的负荷条件，将显示面板与薄膜基板进行连接。根据不同情况，也可省略点固工序。
另外，在显示面板上连接薄膜基板时也一样，通过将薄膜基板形成大致干燥状态后进行对位连接，能获得稳定的尺寸精度。
本实施例中，在薄膜基板上形成图形之前和在薄膜基板的图形上安装IC之前，进行用于将薄膜基板形成大致干燥状态的处理，也可在两者中任意一个时间进行处理，能获得某种程度的效果。
实施例2下面将本发明的实施例进行说明。本实施例将薄膜中所含水分的量进行调节的方法不同于实施例1，而其余的制造方法基本上与实施例1相同，因此加以适当省略后进行说明。
实施例1中进行了将薄膜中吸收的水分去除并形成大致干燥状态的处理，本实施例中则采用如下的方法。也就是说，进行了将薄膜基板在与进行安装的环境下相同的环境下放置24小时的处理。例如本实施例的环境为22℃60％。进行了此处理时，就无需进行薄膜基板的加工时间前的时间管理。根据本实施例中采用的聚酰亚胺薄膜(カプトン)EN的湿度的25℃中的尺寸变化率，30分钟为0.025％；1小时为0.04％；100小时为0.05％以下大致稳定化。由上述处理条件将薄膜基板进行调湿处理后的薄膜基板的尺寸精度在铜箔8μm厚时，薄膜基板的长边方向(TD)上安装前为±0.02％，安装后为±0.053％；薄膜基板的短边方向(MD)上安装前为±0.0713％，安装后为±0.0998％，比以往的薄膜基板有所改善。另外，在使用4μm厚铜箔时，长边方向(TD)上安装前为±0.031％，安装后为±0.024％；短边方向(MD)上安装前为±0.1056％，安装后为±0.1023％，铜箔薄的一方更为稳定。
根据本实施例的调湿处理与实施例1的干燥处理相比，薄膜基板的尺寸稳定，但安装后的尺寸精度以干燥处理一方为好，原因认为是由于实装时的热影响和薄膜内的水分的影响。另外，铜箔薄的一方尺寸稳定性高，在此两处理法的倾向一致。
另外，在显示面板上连接薄膜基板时也一样，通过进行将薄膜基板与进行安装的环境相同的环境下放置的调湿处理后进行对位连接，能获得稳定的尺寸精度。
实施例3下面就可倒焊安装IC的薄膜基板的制造方法进行说明。本实施例中，对应在聚酰亚胺薄膜上设置金属薄膜的金属版厚度，使用贴有搬运用包装膜的结构的薄膜基板。在此薄膜基板上进行图形抗蚀层形成，然后曝光、显像之后，用刻蚀液形成图形，最后去除图形抗蚀层。这样就能完成薄膜基板的图形形成。本发明中，在此曝光之前，进行薄膜干燥处理或调湿处理。本实施例中，将150℃30分的加温处理作为干燥处理的条件，将23℃55％在一定环境下放置24小时作为调湿处理的条件。
下面，将贴有搬运用内衬包装膜的薄膜基板和没贴搬运用内衬包装膜的薄膜基板在曝光工序前进行了放置在一定环境下的调湿处理或干燥处理时、将薄膜基板的TD方向的尺寸变化率进行了测定。其结果如表1所示。这里用的薄膜基板的金属版采用以低CTE、厚度25μm的东丽杜邦(東レデュポン)股份有限公司制的聚酰亚胺薄膜(カプトン)EN作为聚酰亚胺薄膜使用，将在镍特殊合金蒸镀了数10后接着喷镀铜，最终由电解电镀形成8μm厚的铜作为金属薄膜使用。
(表1)

由表1的测定结果可知，尺寸变化率不受有无搬运用包装膜的影响。另外，以往的薄膜基板的累积间距尺寸的偏差即使在尺寸精度好的TD方向也有±0.06％，本实施例的任意一种处理都能减少尺寸变化。此外，曝光前进行干燥处理的一方与23℃55％·24小时放置的一方相比，尺寸变化能减少约50％，效果更显著。
实施例4下面将本发明的显示装置的制造方法进行详细说明。本实施例以将前述各实施例加以适当组合后实现的显示装置的制造方法为例进行说明。
首先，通过用薄膜基板的金属版在聚酰亚胺薄膜上形成金属薄膜构成的图形之前，进行薄膜基板的干燥处理。由此提高图形形成的尺寸精度。曝光前进行干燥处理是有效的。作为干燥处理的条件，例如，可进行150℃30分钟的加温处理。
接着，或接着在此薄膜基板上或在进行调湿处理后，将IC连接(安装)、密封在此薄膜基板上，形成半导体元件。接着，对此半导体元件做进一步调湿处理，将半导体元件与显示元件的图形(端子)进行对位并连接。调湿处理环境最好与进行下一工序的环境相近，例如可以温度23℃、湿度55％放置24小时作为具体条件。通过这样的作法，能提高图形精度，减小偏差及位移量，并能稳定地实现微细连接。
根据本发明，对应IC芯片的高密度化，通过稳定的成品率和降低小型化的IC的成本，能够提供一种价格便宜的电子装置及显示装置。并能提供一种尺寸偏差小的薄膜基板。
权利要求
1.一种电子装置的制造方法，该方法是具有表面上安装了IC的薄膜基板的电子装置的制造方法，其特征在于具有使薄膜基板中所含水分减少的工序；在所述薄膜基板上安装IC的工序。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在使薄膜基板中所含水分减少的工序中使薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下。
3.一种电子装置的制造方法，该方法是具有表面上安装了IC的薄膜基板的电子装置的制造方法，其特征在于具有将薄膜基板在一定的温湿度环境下放置一定时间以上的工序；在所述薄膜基板上安装IC的工序。
4.根据权利要求3所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述一定的温湿度环境是与进行所述安装IC的工序环境相同的环境。
5.一种薄膜基板的制造方法，该方法是一种在高分子薄膜上设有金属布线的薄膜基板的制造方法，其特征在于具有在高分子薄膜上形成金属薄膜的工序；为使所述高分子薄膜中所含水分减少而进行干燥处理的工序；在进行干燥处理之后制作所述金属布线的工序。
6.一种薄膜基板的制造方法，该方法是一种在高分子薄膜上设有金属布线的薄膜基板的制造方法，其特征在于具有在高分子薄膜上形成金属薄膜的第一工序；将所述高分子薄膜在一定温湿度环境下放置一定时间以上的第二工序；在所述第二工序后将金属布线形成图形的工序。
7.一种半导体元件的制造方法，该方法是一种在设于薄膜上的布线上安装IC芯片的半导体元件的制造方法，其特征在于具有在薄膜上形成布线的第一工序；使形成布线后的薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序之后将IC芯片与所述布线接合的工序。
8.一种半导体元件的制造方法，该方法是一种在设于薄膜上的布线上安装IC芯片的半导体元件的制造方法，其特征在于具有在薄膜上形成布线的第一工序；将形成布线后的薄膜在一定温湿度环境下放置一定时间以上的第二工序；在所述第二工序之后将IC芯片与所述布线接合的工序。
9.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金属薄膜的工序；使所述薄膜中所含水分的量达到0.1Wt％以下的干燥处理工序；在所述干燥处理工序后将所述布线通过图形化形成的工序。
10.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金属薄膜的工序；使所述薄膜中所含水分的量达到0.1Wt％以下的干燥处理工序；在所述干燥处理工序后将所述布线通过图形化形成的工序。
11.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金属薄膜的工序；将所述高分子薄膜在一定的温湿度环境下放置一定时间以上的调湿处理工序；在所述调湿处理工序后将所述布线通过图形化形成的工序。
12.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金属薄膜的工序；将所述高分子薄膜在一定的温湿度环境下放置一定时间以上的调湿处理工序；在所述调湿处理工序后将所述布线通过图形化形成的工序。
13.一种显示装置的制造方法，其特征在于具有形成设有布线的薄膜基板的工序；通过在所述布线上接合IC形成半导体元件的工序；通过使所述薄膜中所含水分的量达到0.1Wt％以下的工序将所述薄膜基板与显示元件连接的工序。
14.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有形成设有布线的薄膜基板的工序；通过在所述布线上接合IC形成半导体元件的工序；通过将所述薄膜基板在一定的温湿度环境下放置一定时间以上的工序，将所述薄膜基板与显示面板连接的工序。
15.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述半导体元件采用下列工序形成，即在薄膜上形成布线的第一工序；使形成布线后的薄膜中所含水分的量达到0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序后将IC芯片与所述布线接合的工序。
16.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述半导体元件采用下列工序形成，即在薄膜上形成布线的第一工序；使形成布线后的薄膜中所含水分的量达到0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序后将IC芯片与所述布线接合的工序。
17.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金属薄膜的工序；为使所述高分子薄膜中所含水分减少而进行干燥处理的工序；在进行干燥处理之后制作所述金属布线的工序。
18.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金属薄膜的工序；为使所述高分子薄膜中所含水分减少而进行干燥处理的工序；在进行干燥处理之后制作所述金属布线的工序。
19.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金属薄膜的第一工序；将所述高分子薄膜在一定温湿度环境下放置一定时间以上的第二工序；在所述第二工序后将金属布线形成图形的工序。
20.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金属薄膜的第一工序；将所述高分子薄膜在一定温湿度环境下放置一定时间以上的第二工序；在所述第二工序后将金属布线形成图形的工序。
全文摘要
本发明提供一种无安装时的位移、并能稳定进行30μm间距程度的微细连接的制造方法。由此，通过伴随IC小型化的成本下降获得价格便宜的装置。在此，或是将薄膜基板的聚酰亚胺薄膜的水分以大致干燥后的状态进行安装，或是在一定环境下调湿后进行安装。另外，或是将薄膜基板同样进行干燥处理，或是调湿后形成图形。
文档编号H05K3/32GK1758423SQ20041010057
公开日2006年4月12日 申请日期2004年10月8日 优先权日2004年10月8日
发明者松平努, 足立英明, 林惠一郎, 西川忠宽, 小泉信和 申请人:精工电子有限公司, 东丽薄膜加工有限公司, 丸和制作所有限公司