1.一种可修正的一次性可编程存储器，其特征在于，包括电熔丝结构、反熔丝晶体管以及字选择晶体管，所述电熔丝结构的一端与所述反熔丝晶体管的栅端电连接构成所述一次性可编程存储器的第一端口，所述电熔丝结构的另一端与所述反熔丝晶体管的源端电连接并连接至所述字选择晶体管的漏端，所述字选择晶体管的栅端和源端分别构成所述一次性可编程存储器的第二端口和第三端口。
2.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述电熔丝结构的熔断电流所对应的编程电压小于所述反熔丝晶体管的栅端和源端之间的熔合电压。
3.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，响应于所述一次性可编程存储器处于编程状态，所述第一端口外接编程电压以改变所述一次性可编程存储器的电阻值；以及
响应于所述一次性可编程存储器处于读状态，所述第一端口接地。
4.如权利要求3所述的一次性可编程存储器，其特征在于，响应于所述一次性可编程存储器处于第一次可编程状态，所述第一端口外接第一编程电压，所述第一编程电压使所述电熔丝结构熔断以改变所述电熔丝结构的电阻值；以及
响应于所述一次性可编程存储器处于第二次可编程状态，所述第一端口外接大于所述第一编程电压的第二编程电压，所述第二编程电压使所述反熔丝晶体管发生熔合以改变所述反熔丝晶体管的电阻值。
5.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，响应于所述一次性可编程存储器处于编程状态或读状态，所述第二端口外接使所述字选择晶体管导通的字线信号。
6.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述第三端口与灵敏放大器模块以及位选择晶体管的漏端相连；
响应于所述一次性可编程存储器处于编程状态，所述位选择晶体管的栅端外接使所述位选择晶体管导通的位线控制信号，所述位选择晶体管的源端接地；以及
响应于所述一次性可编程存储器处于读状态，所述位选择晶体管的栅端外接使所述位选择晶体管关闭的位线控制信号，所述灵敏放大器模块获取所述一次性可编程存储器的读电流大小以读取所述一次性可编程存储器的状态数据。
7.如权利要求6所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述反熔丝晶体管和/或所述字选择晶体管和/或所述位选择晶体管为nmos管。
8.一种一次性可编程存储器的操作方法，其特征在于，所述一次性可编程存储器包括电熔丝结构、反熔丝晶体管以及字选择晶体管，所述电熔丝结构的一端与所述反熔丝晶体管的栅端电连接构成所述一次性可编程存储器的第一端口，所述电熔丝结构的另一端与所述反熔丝晶体管的源端电连接并连接至所述字选择晶体管的漏端，所述字选择晶体管的栅端和源端分别构成所述一次性可编程存储器的第二端口和第三端口，所述第三端口与灵敏放大器模块以及位选择晶体管的漏端相连；所述操作方法至少包括编程方法，所述编程方法至少包括：
使所述第一端口外接第一编程电压以改变所述一次性可编程存储器的电阻值；
使所述第二端口外接使所述字选择晶体管导通的字线信号；以及
使所述位选择晶体管的栅端外接使所述位选择晶体管导通的位线控制信号，使所述位选择晶体管的源端接地；其中
所述第一编程电压使所述电熔丝结构熔断以改变所述电熔丝结构的电阻值。
9.如权利要求8所述的操作方法，其特征在于，所述编程方法还包括：
响应于需要在所述电熔丝结构熔断后修正所述一次性可编程存储器的电阻值，使所述第一端口外接大于所述第一编程电压的第二编程电压，所述第二编程电压使所述反熔丝晶体管发生熔合以改变所述反熔丝晶体管的电阻值。
10.如权利要求8所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法还包括读方法，所述读方法包括：
使所述第一端口接地；
使所述第二端口外接使所述字选择晶体管导通的字线信号；
使所述位选择晶体管的栅端外接使所述位选择晶体管关闭的位线控制信号；以及
通过所述灵敏放大器模块获取所述一次性可编程存储器的读电流大小以读取所述一次性可编程存储器的状态数据。