技术特征：
1.一种外置闪存芯片的防掉电存储方法，其特征在于，包括：步骤s1，所述外置闪存芯片读取外部的待储存数据，将所述待储存数据中包含的多个数据块依次写入所述外置闪存芯片中对应的存储区域，并在每个所述数据块写入完成后分别向所述存储区域中写入对应的一操作标记；步骤s2，所述外置闪存芯片在每次异常掉电后上电时，根据所述操作标记判断所述存储区域中写入的各所述数据块是否按照一预设顺序排列形成一数据序列：若是，则转向步骤s3；若否，则根据所述操作标记将各所述数据块按照所述预设顺序调整形成所述数据序列，随后转向步骤s3；步骤s3，读取所述数据序列中最后一次写入的所述操作标记对应的所述数据块，并根据所述数据块匹配得到所述待储存数据中尚未写入的各所述数据块，将尚未写入的各所述数据块作为所述待储存数据，随后返回所述步骤s1。2.根据权利要求1所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述操作标记包括用于表征所述数据块写入完成的唯一标识及用于表征所述数据块的数据写入次序的一序号；则所述步骤s2中根据所述唯一标识及所述序号表征的顺序值判断所述存储区域中写入的各所述数据块是否按照所述预设顺序排列形成所述数据序列。3.根据权利要求1所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述存储区域包括多个扇区，每个所述扇区包括多个存储地址，则所述步骤s1中，每次写入所述数据块之前，还包括向所述数据块分配对应的所述存储地址。4.根据权利要求3所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述步骤s3还包括，读取所述数据序列中最后一次写入的所述操作标记的所述存储地址，并将所述存储地址的下一所述存储地址作为所述待储存数据中尚未写入的各所述数据块的起始地址。5.根据权利要求3所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述步骤s1中，每次写入所述数据块之前，还包括：步骤a1，判断所述数据块分配得到的所述存储地址是否与上一所述数据块分配得到的所述存储地址位于同一所述扇区内；若是，根据所述存储地址继续写入所述数据块；若否，转向步骤a2；步骤a2，对所述数据块分配到的所述存储地址对应的所述扇区进行块擦除处理，随后根据所述存储地址写入所述数据块。6.根据权利要求2所述的防掉电存储方法，其特征在于，所述步骤s1中，每个所述数据块写入完成后，还包括依次写入所述唯一标识及所述序号。7.一种外置闪存芯片，其特征在于，应用如权利要求1-6中任意一项所述的防掉电存储方法，所述外置闪存芯片包括：读写模块，用于读取外部的待储存数据，将所述待储存数据中包含的多个数据块依次写入所述外置闪存芯片中对应的存储区域，并在每个所述数据块写入完成后分别向所述存储区域中写入对应的一操作标记；分析模块，连接所述读写模块，用于在每次异常掉电后上电时，根据所述操作标记判断所述存储区域中写入的各所述数据块是否按照一预设顺序排列形成一数据序列，并在各所
述数据块不按照所述预设顺序排列形成所述数据序列时，将各所述数据块按照所述预设顺序调整形成所述数据序列；恢复模块，分别连接所述读写模块及所述分析模块，用于读取所述数据序列中最后一次写入的所述操作标记对应的所述数据块，并根据所述数据块匹配得到所述待储存数据中尚未写入的各所述数据块，将尚未写入的各所述数据块作为所述待储存数据。8.根据权利要求7所述的外置闪存芯片，其特征在于，所述存储区域包括多个扇区，每个所述扇区包括多个存储地址，则所述读写模块还用于，在每次写入所述数据块之前，向所述数据块分配对应的所述存储地址。9.根据权利要求8所述的外置闪存芯片，其特征在于，所述操作标记包括用于表征所述数据块写入完成的唯一标识及用于表征所述数据块的数据写入次序的一序号；则所述分析模块用于根据所述唯一标识及所述序号表征的顺序值判断所述存储区域中写入的各所述数据块是否按照所述预设顺序排列形成所述数据序列。10.根据权利要求8所述的外置闪存芯片，其特征在于，所述读写模块包括：判断单元，用于判断所述数据块分配得到的所述存储地址是否与上一所述数据块分配得到的所述存储地址位于同一所述扇区内，并在所述数据块分配得到的所述存储地址与上一所述数据块分配得到的所述存储地址不位于同一所述扇区内时，生成一擦除信号并输出；擦除单元，连接所述判断单元，用于对所述数据块分配到的所述存储地址对应的所述扇区进行块擦除处理，随后根据所述存储地址写入所述数据块。
技术总结
本发明提供一种外置闪存芯片的防掉电存储方法及外置闪存芯片，包括：步骤S1，外置闪存芯片读取待储存数据，将待储存数据中的多个数据块依次写入存储区域，并在每个数据块写入完成后分别向存储区域中写入一操作标记；步骤S2，外置闪存芯片在每次异常掉电后上电时，根据操作标记判断存储区域中写入的各数据块是否按照一预设顺序排列形成一数据序列：若是，则转向步骤S3；若否，则根据操作标记将各数据块按照预设顺序调整，随后转向步骤S3；步骤S3，读取数据序列中最后一次写入的操作标记对应的数据块，并根据数据块匹配得到待储存数据中尚未写入的各数据块作为待储存数据，随后返回步骤S1。有益效果是提高异常掉电后重新上电的数据恢复成功率。数据恢复成功率。数据恢复成功率。
技术研发人员：唐捷 余一凡 肖潇 蒋叶娣
受保护的技术使用者：上海宏力达信息技术股份有限公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/5/25