一复位脉冲有所不同。例如，可以使其比第一脉冲更短或具有更低的幅度，因为其打算纠正低水平的复位错误。
[0059]为了最小化对功耗的影响，更短或更低幅度的第二复位脉冲在第六和第七实施例中是优选的。对于其他实施例，第二复位脉冲仅在检测到错误时才发生，从而其对功耗的影响应当是可忽略的。
[0060]图5和6分别是示出方法500和600的示范性实施例的流程图。联系方法500和600执行的各种任务可由软件、硬件、固件或其任何组合执行。为了说明，以下对方法500和600的描述可参考以上联系其他附图提及的元件。在实践中，方法500和600的一些部分可由所描述的系统的不同元件来执行。应当明白，方法500和600可包括任意数目的额外或替换的任务，图5和6所示的任务不需要按图示的顺序执行，并且方法500和600可被包含到具有本文未详细描述的额外功能的更综合的程序或过程中。另外，可从方法500和600的实施例中省略图5和6所示的任务中的一个或多个，只要预期的整体功能保持完好即可。
[0061]图5的流程图描述了一种修复磁致电阻存储器阵列中的多个存储器单元中的复位错误的方法500，该方法包括执行502自参照读取以识别与存储器单元中的每一个相关联的第一状态或第二状态之一，包括将每个存储器单元复位到第一状态；用纠错码识别504至少一个存储器单元中的错误；对一个或多个存储器单元执行506操作，所述操作包括从以下各项选择的组之一:选择性地将反转存储器单元设置到第二状态，这至少部分地由纠错操作的结果确定；和将存储器单元中的至少一部分复位到第一状态；以及将该状态写回(508)到每个相应的存储器单元。
[0062]图6的流程图描述了一种修复磁致电阻存储器阵列中的多个存储器单元中的复位错误的方法600，该方法包括执行602自参照读取来识别与存储器单元中的每一个相关联的第一状态或第二状态之一，包括将存储器单元中的每一个复位到第一状态；将存储器单元中的至少一部分复位604到第一状态；以及将相关联的第二状态写回(606)到每个存储器单元。
[0063]以上已针对具体实施例描述了益处、其他优点和问题的解决方案。然而，这些益处、优点和问题的解决方案以及可使得任何益处、优点或解决方案发生或变得更显著的任何(一个或多个)元素不应被理解为是任何或所有权利要求的关键、必需或必要特征或元素。按照本文使用的，术语“包括”或者其任何其他变体打算覆盖非排他性的包含，使得包括元素的列表的过程、方法、物品或装置不仅包括这些元素，而且可以包括没有明确列出或者这种过程、方法、物品或装置内在的其他元素。
[0064]虽然在以上详细描述中给出了至少一个示范性实施例，但应当明白，存在大量的变化。还应当明白，一个或多个示范性实施例只是示例，而并不打算以任何方式限制本发明的范围、实用性或配置。相反，以上详细描述将向本领域技术人员提供用于实现本发明的示范性实施例的方便路线图，要理解在不脱离如所附权利要求中记载的本发明的范围的情况下可对示范性实施例中描述的元素的功能和布置进行各种改变。
【主权项】
1.一种修复存储器阵列中的多个存储器单元中的复位错误的方法，该方法包括: 执行自参照读取以识别与每个存储器单元相关联的第一状态或第二状态之一，包括将每个存储器单元复位到第一状态； 通过纠错码识别至少一个存储器单元中的错误； 对一个或多个存储器单元执行操作，所述操作包括从以下各项选择的群组之一: 至少部分地根据纠错操作的结果，选择性地将反转存储器单元设置到第二状态；和 将至少一部分存储器单元复位到第一状态；以及 选择性地将被确定为与第二状态相关联的每个相应的存储器单元设置到第二状态。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述自参照读取操作还包括在高速缓存中存储为每个存储器单元确定的第一状态或第二状态，所述方法还包括: 更新所述高速缓存中的数据以反映要被写入到至少一部分存储器单元的新状态，以及 响应于数据的更新，确定对所述反转存储器单元的选择性设置。
3.如权利要求1所述的方法，其中，复位至少一部分存储器单元包括: 当检测到错误时，将全部存储器单元复位到第一状态。
4.如权利要求1所述的方法，其中，复位至少一部分存储器单元包括: 当检测到错误时，复位被确定为处于第一状态的存储器单元。
5.如权利要求1所述的方法，其中，复位至少一部分存储器单元包括: 复位发生错误的存储器单元。
6.如权利要求1所述的方法，其中，复位至少一部分存储器单元包括: 复位被确定为处于第一状态的发生错误的存储器单元。
7.一种修复存储器阵列中的多个存储器单元中的复位错误的方法，该方法包括: 执行自参照读取以识别与每个存储器单元相关联的第一状态或第二状态之一，包括将每个存储器单元复位到第一状态； 将至少一部分存储器单元复位到第一状态；以及 选择性地将被确定为与第二状态相关联的每个存储器单元设置到第二状态。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述自参照读取操作还包括在高速缓存中存储为每个存储器单元确定的第一状态或第二状态，所述方法还包括: 更新所述高速缓存中的数据以反映要被写入到至少一部分存储器单元的新状态。
9.如权利要求7所述的方法，其中，复位至少一部分存储器单元包括: 将全部存储器单元复位到第一状态。
10.如权利要求7所述的方法，其中，复位至少一部分存储器单元包括: 将被确定为处于第一状态的存储器单元复位到第一状态。
11.一种存储器装置，包括: 多个存储器单元；以及 耦合到所述存储器单元的电路，所述电路被配置为: 执行自参照读取以识别与每个存储器单元相关联的第一状态或第二状态之一，包括将每个存储器单元复位到第一状态； 对一个或多个存储器单元执行操作以纠正复位错误，所述操作包括选自以下各项的群组之一:至少部分地根据纠错操作的结果，选择性地将反转存储器单元设置到第二状态；和将至少一部分存储器单元复位到第一状态；以及将被确定为与第二状态相关联的每个存储器单元设置到第二状态。
12.如权利要求11所述的存储器装置，还被配置为:在高速缓存中存储每个存储器单元的第一状态或第二状态。
13.如权利要求11所述的存储器装置，还被配置为:通过纠错码来检测哪些存储器单元被确定为发生错误。
14.如权利要求11所述的存储器装置，还被配置为:对全部存储器单元执行到第一状态的第二复位。
15.如权利要求11所述的存储器装置，还被配置为:对被确定为处于第一状态的存储器单元执行到第一状态的第二复位。
16.如权利要求13所述的存储器装置，还被配置为:识别至少一个存储器单元中的错误；以及对全部存储器单元执行到第一状态的第二复位。
17.如权利要求13所述的存储器装置，还被配置为:识别至少一个存储器单元中的错误；以及对被确定为处于第一状态的存储器单元执行到第一状态的第二复位。
18.如权利要求13所述的存储器装置，还被配置为:识别至少一个存储器单元中的错误；以及对通过纠错码被确定为发生错误的存储器单元执行到第一状态的第二复位。
19.如权利要求13所述的存储器装置，还被配置为:识别至少一个存储器单元中的错误；以及对被确定为处于第一状态的发生错误的存储器单元执行到第一状态的第二复位。
【专利摘要】提供了一种用于对使用破坏性读取，包括例如MRAM中的自旋扭矩比特的自参照读取，和选择性写回的磁存储器修复复位错误的方法。通过以下之一来使存储器单元为写回作准备：利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并且对于被确定为发生错误的那些存储器单元将反转比特反转；利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并将存储器单元的一部分复位到第一状态；以及将一个或多个存储器单元复位到第一状态。
【IPC分类】G11C29-44
【公开号】CN104538061
【申请号】CN201410262401
【发明人】J·斯劳特, D·豪撒梅迪恩, T·安德烈, S·M·阿拉姆
【申请人】艾沃思宾技术公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年6月12日
【公告号】EP2814035A1, US20140372792