工序；
[0143] 如图7(f)所示，将复制层28的凸图案向掩模层23复制的工序；
[0144] 如图7(g)所示，将掩模层23的凸图案向磁记录层22复制的工序；
[0145] 如图7(h)所示，通过蚀刻除去掩模层23得到基板21与磁记录层22的层叠体的 工序；和
[0146] 如图7 (i)所示，在磁记录层22上形成保护层26的工序。
[0147] 在图8 (a)至图8(h)中示出了表示第8实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的 一例的图。
[0148] 第8实施方式是使用在第3实施方式中制作出的压模通过纳米刻印来制作磁记录 介质的例子的变形例，包含下述工序从而形成了磁记录介质500 :
[0149] 如图8(a)所示，在基板1上形成被加工层2以及纳米刻印抗蚀剂层29的工序；
[0150] 如图8(b)所示，向纳米刻印抗蚀剂层29按下压模30以复制凸图案的工序；
[0151] 如图8(c)所示，将压模30从纳米刻印抗蚀剂层29的凸图案分离的工序；
[0152] 如图8(d)所示，除去纳米刻印抗蚀剂层29的残渣而使被加工层2的表面露出的 工序；
[0153] 如图8(e)所示，通过蚀刻将凸图案向被加工层2复制的工序；
[0154] 如图8 (f)所示，从被加工层2上除去纳米刻印抗蚀剂层29的工序；
[0155] 如图8(g)所示，在被加工层2上形成磁记录层22的工序；和
[0156] 如图8(h)所示，在磁记录层22上形成保护层26的工序。
[0157] 微粒在材料合成的阶段由高分子保护基覆盖，所以通过利用第1蚀刻将保护基分 解除去而使金属微粒的表面露出。在该情况下，优选，在金属微粒不凝集的范围内除去保护 基，特别优选，保护基成分的总覆盖固形成分量相对于金属微粒表面大于等于30%。在第1 蚀刻中只要能够减少微粒周围的保护基量即可，能够适用湿式蚀刻和/或干式蚀刻。
[0158] 进而，通过对露出的金属微粒进行气体暴露，能够使气体成分附着于微粒表面并 成为保护基。在该情况下，气体成分会吸附于预先赋予了微粒表面的高分子保护基的末端， 但在对高分子保护基进行气体暴露的情况下，相对于微粒表面的覆盖率高，能够更为抑制 凝集。因此，由凸图案复制时的侧面蚀刻所引起的覆盖率的减少比较轻微，所以到因保护基 消失而引起微粒凝集为止的蚀刻余量较宽。由此，也具有能够扩大凸图案复制工序的加工 余量的效果。
[0159] 气体成分优选容易向微粒表面吸附的材料，特别优选，至少含有碳以及氟的材料。 通过附着于金属微粒周围的保护基可成为表面活性不同的保护基。在使用氟系气体以及碳 系气体的情况下，优选，预先调整两种成分，但实用中也能够应用CF 4和/或CHF3等通用性 气体。能够根据改变气体流量、气体压力、气体种类来调整碳系以及氟系气体的附着量。另 外，也可以使用CH 3F、CH2F2、C4F6、C 4F8等气体。
[0160] 另外，通过第2蚀刻，能够将凸图案向被加工层复制。此时，优选，金属微粒不凝集 就复制凸图案。作为蚀刻能够应用湿式蚀刻与干式蚀刻，但作为图案在深度方向上的各向 异性大、且能够减小由侧面蚀刻所引起的尺寸转换差的方法，优选应用干式蚀刻。
[0161] 在第2蚀刻中应用干式蚀刻的情况下，能够使用各种活性气体，但作为使微粒层 的凝集变得轻微的气体，更优选使用含有碳以及氟的气体。在第2蚀刻中也同样，一边向微 粒表面赋予气体成分一边进行蚀刻，所以不会使图案精度劣化就可复制出凸图案。
[0162] 另外，在第1至第8实施方式中，金属微粒材料从例如含C、Pt、Ni、Pd、Co、Al、Ti、 Ce、Si、Fe、Au、Ag、Cu、Ta、Zr、Zn、Mo、W、Ru的群中选择，也可以应用它们的氧化物、氮化物、 二种以上的化合物。
[0163] 金属微粒的分散液所含的分散媒从极性溶剂以及非极性溶剂中选择，也可以通过 追加溶剂而适当改变金属微粒的浓度。即，金属微粒的浓度能够根据要涂敷的基板的面积 和/或构成的金属微粒的层数来改变。
[0164] 在伴随着气体暴露而进行的保护基的赋予以及置换中，在微粒表面形成了含有高 分子的外壳，但该壳是因高分子末端的吸附而形成的，其厚度极薄，具体地说小于等于lnm。 由此，能够几乎不改变金属微粒间距离地调整表面性并抑制凝集。
[0165] 被加工层形成工序
[0166] 首先，在基板上形成被加工层。被加工层为要被复制后述的金属微粒凸图案的层。 也能够对被加工层直接复制金属微粒凸图案，但为了提高复制精度，优选，在被加工层与金 属微粒层间设置有掩模层。
[0167] 对基板的形状没有任何限定，通常使用圆形且硬质的基板。例如，可使用玻璃基 板、含金属基板、碳基板、陶瓷基板等。为了使图案的面内均匀性良好，优选，减小基板表面 的凸图案。另外，根据需要也能够在基板表面预先形成以氧化膜为首的保护膜。
[0168] 作为玻璃基板，能够使用例如以钠玻璃、铝硅酸盐玻璃为代表的非晶玻璃以及以 锂系玻璃为代表的结晶化玻璃等。另外，作为陶瓷基板，能够使用以氧化铝、氮化铝以及氮 化硅为主成分的烧结体基板。
[0169] 被加工层能够通过各种方法形成于基板上。能够通过例如以真空蒸镀法、电子 线蒸镀法、分子线蒸镀法、离子束蒸镀法、离子电镀法、溅射法为代表的物理气相沉积法 (PVD :Physical Vapor Deposition)以及使用了热?光?等离子的化学气相沉积法（CVD : Chemical Vapor Deposition)等方法来形成。另外，被加工层的厚度，能够通过在物理 的?化学的气相沉积法中，适当变更例如工艺气体压力、气体流量、基板温度、投入功率、腔 内气氛、成膜时间等参数来调整。
[0170] 被加工层可根据其用途而从各种材料中选择。具体地说，可从含Al、C、Si、Ti、V、 Cr、Μη、Co、Ni、Cu、Fe、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ru、PcU Ag、Au、Hf、Ta、W、Ir 以及 Pt 的群中选择， 可含有它们的合金或者化合物。所谓合金含有从上述群中选择的至少2种材料。另外，所 谓化合物是从例如氧化物、氮化物、硼化物、碳化物等中选择出来的。在该情况下，能够选择 形成于被加工层之上的金属微粒膜的材料与可相对于凸图案尺寸确保蚀刻选择比的掩模 层材料，进而准备地确定其膜厚。
[0171] 在磁记录介质的制造方法的一例中，该被加工层能够用作磁记录层。通过向磁记 录层复制金属微粒层的凸图案，能够得到具备在物理方面?磁性方面分离开了的凸图案构 造的磁记录介质。
[0172] 磁记录层如前所述那样成膜于基板上。另外，根据需要，能够在基板与磁记录层之 间形成具有高透磁率的软磁衬底层（SUL，Soft Unber Layer)。软磁衬底层承担使来自用 于磁化磁记录层的磁头的记录磁场环流的这一磁头功能的一部分，能够急剧地向磁场的记 录层附加充分的垂直磁场，提高记录再生效率。
[0173] 作为软磁衬底层，能够使用例如包含Fe、Ni以及Co的材料。这些材料中，能够优 选使用不存在结晶磁各向异性、结晶缺陷以及粒界且表现出优异的软磁的非晶材料。通过 使用软磁非晶材料，能够谋求记录介质的低噪声化。作为软磁非晶材料，例如以Co为主成 分，能够选择相对其含有Zr、Nb、Hf、Ti、Ta中的至少1种的Co合金、例如CoZr、CoZrNb以 及 CoZrTa 等。
[0174] 另外，在软磁衬底层与基板之间能够为了提高软磁衬底层的紧密附着性而设置基 底层。作为基底层材料，能够使用例如从附、1^ &、1、〇、？〖以及其合金、其氧化物以及其 氮化物中选择的至少1种材料。作为基底层材料能够使用例如NiTa以及NiCr等。另外， 这些基底层能够设为多层。
[0175] 进而，在软磁衬底层与磁记录层之间能够设置含有非磁性金属材料的中间层。中 间层的作用有切断软磁衬底层与磁记录层之间的交换耦合相互作用和控制磁记录层的结 晶性这两个。作为中间层材料，能够从Ru、Pt、PcU W、Ti、Ta、Cr、Si、其合金、其氧化物以及 其氮化物中选择。
[0176] 磁记录层能够以Co为主成分并且至少含有Pt还含有金属氧化物。磁记录层除了 Co以及Pt还能够含有从83&、]?〇、(：11、恥、1、恥、5111、113以及1?11中选择的1种以上的元素。 通过还含有上述元素，能够促进磁性粒子的微粒化并提高结晶性和取向性，由此，能够得到 适于高记录密度的记录再生特性和热波动特性。磁记录层具体能够使用CoPt系合金、CoCr 系合金、CoCrPt 系合金、CoPtO、CoPtCrO、CoPtSi、CoPtCrSi、CoCrSiO2 等合金。
[0177] 为了高准确度地测定再生输出信号，磁记录层的厚度优选大于等于1.0 nm，为了抑 制信号强度的失真优选为厚度小于等于40nm。如果比LOnm薄则再生输出极小，具有噪声 成分占优势的倾向。相反，在比40nm厚情况下，再生输出变得过度，具有信号波形产生失真 的倾向。
[0178] 在磁记录层上部能够设置保护层。保护层具有防止磁记录层的腐蚀？劣化并且防 止在磁头与记录介质接触时产生的介质表面的损伤这样的效果。作为保护层材料，可列举 例如含C、Pd、SiO 2以及ZrO2的材料。碳能够分类为SP2键合碳（石墨）与SP3键合碳（金 刚石）。耐久性、耐腐蚀性方面，Sp 3键合碳优异，相反平坦性方面Sp2键合碳优异，通常，碳 的成膜通过使用了石墨标靶的溅射法来进行，形成SP 2键合碳与SP3键合碳混合存在的非晶 碳，Sp3键合碳的比例较大的被称为类金刚石碳（DLC)，耐久性、耐腐蚀性和平坦性优异，作 为磁记录层的保护层更合适。
[0179] 在保护层的上部还能够设置润滑层。作为在润滑层中使用的润滑剂，
[0180] 可列举例如正全氟聚醚、氟化乙醇以及氟化羧酸等。
[0181] 在被加工层以及磁记录层的上部能够设置剥离层。在向被加工层和磁记录层复制 凸图案后，能够应用通过将剥离层除去而将掩模层分离的剥离（lift off)工艺。该剥离层 优选蚀刻率高且相对于剥离液的溶解率高的。
[0182] 另外，在磁记录介质的制造方法的其它例子中，被加工层可成为磁记录层的基底 层。
[0183] 另外，能够在该基底层与磁记录层之间形成追加的基底层。
[0184] 作为能够用作基底层的被加工层的材料，可列举例如硅、锗、钽、钨、钥、铪、铌、钌 以及它们的氧化物、氮化物、化合物、合金等。
[0185] 作为追加的基底层，可列举例如碳、铝、钛、钒、铬、铁、镍、锗、钯以及它们的氧化 物、氮化物、化合物、合金等。
[0186] 掩模层形成工序
[0187] 在被加工层以及磁记录层之上能够形成凸图案复制用的掩模层。
[0188] 掩模层是用于复制金属微粒的凸图案的层，并且是用于向被配置于下部的被加工 层以及磁记录层复制凸图案的掩模。由此，在从基板侧起设为掩模层/金属微粒层的情况 下，蚀刻选择比越高越好，当然优选被加工层/掩模层的蚀刻选择比也较高。
[0189] 在被加工层成为磁记录层的情况下，掩模层被形成于磁记录层上的保护层上。如 上所述，优选，磁记录层/掩模层的蚀刻选择比也较高。
[0190] 掩模层除了设为1层以外，也可以设为层叠不同材料而成的2层以上的结构。
[0191] 为了高精度地复制微粒凸图案，掩模层能够设为小于等于金属微粒的半径的厚 度。因为在加工比微粒的半径厚的层的情况下，后述那样的蚀刻中的微粒的凝集变得显著， 复制精度劣化。在假设数十nm级图案的情况下，具体的厚度优选设为Inm~10nm。
[0192] 掩模层与被加工层同样可通过各种方法成膜，可考虑蚀刻选择比而采取各种结 构。即，掩模层除了设为1层以外，也可以设为层叠不同材料而成的2层以上的结构。
[0193] 掩模层的厚度，在物理?化学气相沉积法中，能够通过适当变更例如工艺气体压 力、气体流量、基板温度、投入功率、极限真空度、腔内气氛、成膜时间等参数来调整。形成于 该掩模层上部的金属微粒层的排列精度以及凸图案的复制精度较强依存于掩模层的表面 粗糙度。因此，在掩模层中优选预先降低其表面粗糙度，通过对上述成膜条件进行各种调整 能够实现这一目标。为了高精细地图案化出窄间距图案，特别优选，表面粗糙度的周期相对 于所希望的图案间距而言较小。另外，平均表面粗糙度的值为包含基板/被加工层/掩模 层的值，优选小于等于〇. 5nm。这是因为如果比0. 5nm大，则后述的金属微粒的排列精度恶 化，磁记录介质的信号S/N劣化。但是，通过下述方法能够扩大微粒掩模的加工余量，即便 在使用具有比以往大的粗糙度的基板的情况下，也能够向掩模层复制尺寸精度好且缺陷少 的凸图案。
[0194] 除了对上述成膜条件进行各种变更以外，通过将掩模层材料从晶质设为非晶质， 也能够降低表面粗糙度。
[0195] 掩模层的厚度能够考虑配置于下层的剥离层以及磁记录层的蚀刻选择比和/或 凸图案尺寸而确定。
[0196] 在成膜中使用的溅射气体能够以以Ar为代表的稀有气体为主，进而也能够利用 要成膜的掩模材料通过混合〇 2、N2等反应性气体而形成所希望的合金。
[0197] 另外，为了高精细地复制微细图案，掩模层的厚度优选设为大于等于Inm且小于 等于50nm。如果比Inm薄则掩模层不能均匀地成膜，另外如果比50nm厚则存在深度方向上 的凸图案的复制精度劣化的倾向。进而，如果按小于等于微粒的半径的厚度来形成掩模层， 则能够得到复制精度更优异的凸图案。
[0198] 如后所述，在经由掩模层向被加工层以及磁记录层复制了凸图案的情况下，可以 除去掩模层，或者也可以通过在凸图案复制图案形成过程中有意识地使掩模层后退以代替 除去掩模层的工序。在除去掩模层的情况下能够应用干式蚀刻或者湿式蚀刻等方法。另外， 也能够预先在被加工层与掩模层之间形成剥离层，通过除去剥离层而使掩模层从被加工层 上剥离。
[0199] 如前所述，掩模层能够形成为1层或大于等于2层。即，也能够设为包含第1掩模 层以及第2掩模层的层叠体。通过使第1掩模层与第2掩模层含有不同的材料，能够增大蚀 刻选择比、改善复制精度。在这里为了方便，将第2掩模层称为针对第1掩模层的复制层， 从基板侧开始表记为被加工层（包含磁记录层）/掩模层/复制层。
[0200] 该复制层能够考虑金属微粒材料以及掩模层材料的蚀刻选择比，从各种材料中准 确地选择。在确定掩模材料的组合的情况下，能够选择与蚀刻溶液或者蚀刻气体相对应的 金属材料。在假设采用干式蚀刻而组合各材料的情况下，例如可从基板侧起按照掩模层/ 复制层的顺序列举 C/Si、Si/Al、Si/Ni、Si/Cu、Si/Mo、Si/MoSi2、Si/Ta、Si/Cr、Si/W、Si/ Ti、Si/Ru、Si/Hf等，此外还能够设为将Si置换为Si02、Si3N4、SiC等的结构。另外，能够 选择 Al/Ni、Al/Ti、Al/Ti02、Al/TiN、Cr/Al203、Cr/Ni、Cr/MoSi 2、Cr/W、GaN/Ni、GaN/NiTa、 GaN/NiV、Ta/Ni、Ta/Cu、Ta/Al、Ta/Cr等层叠体。另外，与在掩模加工中使用的蚀刻气体相 应地，这些各种掩模材料的层叠顺序能够交替。掩模材料的组合以及层叠顺序并不限定于 上述情况，能够从图案尺寸与蚀刻选择比的观点准确地选择。另外，也能够通过干式蚀刻和 湿式蚀刻一起进行构图，所以能够考虑到该情况而选定各掩模材料。
[0201] 在通过湿式蚀刻来构图掩模层的情况下，抑制对于凸图案的宽度方向的侧面蚀 亥IJ。在该情况下，能够通过设定以掩模材料的组成、蚀刻溶液的浓度以及和/或蚀刻时间为 代表的各种参数而实现。
[0202] 金属微粒层形成工序
[0203] 在这里，在掩模层上形成成为凸图案的金属微粒层。金属微粒层的形成以及凸图 案的复制工序被分为以下的4个工序。即，（1)金属微粒涂敷工序；（2)保护基量降低工序； (3)附着性气体暴露工序；和（4)凸图案复制工序。
[0204] 如前所述，在实施方式中使用的微粒材料从C、Pt、Ni、PcU Co、Al、Ti、Ce、Si、Fe、 Au、Ag、Cu、Ta、Zr、Zn、Mo、W、Ru 的群中选择。
[0205] -般而言贵金属微粒的化学性质稳定，所以具有干式蚀刻耐性，所以适于作为能 够增大蚀刻选择比的材料。另外，与氧化物微粒相比较，确定范德华（van der Waals)引力 的哈梅克（Hamaker)常数较大，微粒间的相互作用较强。由此，基板面的微粒要维持单分 散，所以在基板面上构成了明显的六方排列，其间距偏差变小。另一方面，粒子间的强劲的 相互作用容易产生微粒彼此的凝集，并且伴随着窄间距化、粒子间距离变窄，所以加工余量 下降。进而，伴随着在干式蚀刻过程中产生的贵金属微粒周围的保护基的消失，贵金属微粒 容易凝集，所以凸图案的复制精度恶化。因此，窄间隔加工精度相对于高蚀刻选择比化与低 间距分散化，处于两难的关系，希望有解决该困境的技术。
[0206] 前述那样的凝集能够通过对金属微粒表面进行改性来改善。但是，在金属微粒的 合成阶段在通过其它材料对微粒表面进行改性的情况下，微粒粒径扩大与覆盖表面的壳相 当的量，而且2个以上的微粒相互熔合、即形成了二次粒子，这成为使分散液中的单分散状 态恶化的要因。因此，不会使粒径扩大而且简便地对金属微粒的表面进行改性，所以能够缩 短制造节拍时间以降低制造成本。
[0207] 金属微粒能够通过各种方法来合成，例如一般为液相还原法和/或逆胶束法。
[0208] 成为金属微粒的分散媒的溶剂可从各种溶剂群中选择。具体地说，选择溶剂中的 微粒不会凝集那样的溶剂。具体地说，能够选择甲苯、二甲苯、（正）己烷、庚烷、辛烷、乙二 醇单乙醚、乙二醇甲醚、乙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇三甲基醚（^ b >夕'' U 2 一>卜U ^ 工一)、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、环己酮、二甲基甲酰胺、二甲 基乙酰胺、四氢呋喃、苯甲醚以及二乙二醇三乙酯醚（y'工^V夕'' u 3 I卜u工子> 工一亍卟）、乙醇、水等。
[0209] 分散液中的金属微粒的浓度，为了左右后述的涂膜的均匀性，可取最合适范围，但 实际情况下需要通过涂膜方法进行各种调整。优选的溶液浓度为重量百分比浓度小于等于 5%。这是因为如果比5%大则基板上的涂膜厚度的面内依存性显著恶化。
[0210] 另外，向金属微粒表面赋予的保护基可从各种高分子材料中选择，例如，能够优选 使用聚苯乙烯、聚乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚羟基苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯树脂等材料。
[0211] 高分子保护基的浓度能够相对于金属微粒以及分散媒浓度适当调整。具体地说， 优选，按重量百分比预先设为0.01~2%的范围。这是因为，如果比0.01%低则分散液的 湿润性下降，会产生膜内的缺陷区域（0层区域），另外如果比2%高则在基板内根据位置而 产生金属微粒的楼层构造。另外，当变为比2%高的浓度时，具有金属微粒的簇容易形成、基 板上的粉尘增大的倾向，而且伴随着高分子膜厚的增加，微粒图案的间距偏差恶化。
[0212] 将如上所述那样调制出的金属微粒分散液向被加工层上涂敷。分散液能够通过各 种方法涂敷于基板面。具体地说，可列举旋转涂敷法、喷涂法、旋转铸造法、浸渍涂敷法、喷 墨法、LB (Langmuir-Blodgett)法、LS (Langmuir-Schaefer)法等方法。在各涂敷方法中，通 过改变以分散液浓度、旋转转速、提高速度为代表的各种参数，都能够向基板上形成微粒的 单层涂膜。另外，由于凝集而产生的二次粒子的粒子径比较大，有损图案的均匀性，所以优 选通过薄膜过滤器等预先适当过滤。
[0213] 接下来，为了使金属微粒表面的保护基的量降低，进行第1蚀刻。如前所述，在第 1蚀刻中用于使在合成时赋予了的微粒保护基暂时开裂？分解。
[0214] 作为蚀刻方法，能够应用湿式蚀刻以及干式蚀刻，但为了使基板面内的偏差降低， 优选，成为大致均匀的蚀刻的干式蚀刻。
[0215] 蚀刻气体能够从各种气体中选择。例如能够应用He、Ne、Ar、Kr等惰性气体和/ 或、H 2、02、F2、N2等