定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0373] 实施例26
[0374] 实施例26是作为金属微粒材料使用平均粒径15. 5nm的Ni并通过甲苯分散液的 涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0375] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0376] 实施例27
[0377] 实施例27是作为金属微粒材料使用平均粒径6. 8nm的Cu并通过甲苯分散液的涂 敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工 序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录 层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0378] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0379] 实施例28
[0380] 实施例28是作为金属微粒材料使用平均粒径17. 4nm的Zn并通过甲苯分散液的 涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0381] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0382] 实施例29
[0383] 实施例29是作为金属微粒材料使用平均粒径15. 3nm的Zr并通过甲苯分散液的 涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0384] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0385] 实施例30
[0386] 实施例30是作为金属微粒材料使用平均粒径12. 7nm的Mo并通过甲苯分散液的 涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0387] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0388] 实施例31
[0389] 实施例31是作为金属微粒材料使用平均粒径19. 9nm的Ru并通过甲苯分散液的 涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0390] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0391] 实施例32
[0392] 实施例32是作为金属微粒材料使用平均粒径18. 9nm的PdSi并通过甲苯分散液 的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形 成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁 记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0393] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0394] 实施例33
[0395] 实施例33是作为金属微粒材料使用平均粒径9. 7nm的Ag并通过十四烷分散液的 涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0396] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0397] 实施例34
[0398] 实施例34是作为金属微粒材料使用平均粒径15. 3nm的Ta并通过甲苯分散液的 涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0399] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0400] 实施例35
[0401] 实施例35是作为金属微粒材料使用平均粒径10. 8nm的W并通过甲苯分散液的涂 敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工 序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录 层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0402] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0403] 实施例36
[0404] 实施例36是作为金属微粒材料使用平均粒径ISnm的Pt并通过甲苯分散液的涂 敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工 序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录 层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0405] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0406] 实施例37
[0407] 实施例37是作为金属微粒材料使用平均粒径19. 9nm的Ce并通过甲苯分散液的 涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0408] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0409] 实施例38
[0410] 实施例38与实施例39是在金属微粒层的保护基量降低工序以及第2蚀刻工序中 导入了湿式蚀刻的例子。将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第 2蚀刻条件以及滑行评价结果表示于下述表3。
[0411] 实施例38除了在作为金属微粒层的保护基除去工序的第1蚀刻中使用丙二醇甲 醚醋酸酯（下面称为PGMEA)以外，与实施例1相同。
[0412] 在第1蚀刻中，在PGMEA溶剂中将试料浸渍10秒再将试料提高，之后，通过直接吹 送N 2使表面干燥。由此，降低了金属微粒周围的保护基量。
[0413] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0414] 实施例39
[0415] 实施例39在作为凸图案复制工序的第2蚀刻中、代替CHF3干式蚀刻而使用氢氧 化钠水溶液并且在被加工层中使用AlBN的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩 模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工 序和磁记录层形成工序有关的部分，都与实施例15相同。
[0416] 在第2蚀刻中，使用稀释到重量百分比浓度为0. 05%的氢氧化钠溶液，在溶液中 将试料浸渍13秒，之后，进行由纯水进行冲洗。接下来，通过直接吹送N2使表面干燥。
[0417] 以后，与实施例15同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的AlBN 凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测 定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行 介质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0418] 实施例40
[0419] 实施例40到43是变更第1蚀刻条件而改变了金属微粒周围的保护基的减少量的 情况下的结果。将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第2蚀刻条 件以及滑行评价结果表示于下述表3。
[0420] 实施例40是使金属微粒的保护基量从初始状态减少了 70%的情况下的结果，此 外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、 附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相 同。
[0421] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，并将天线功率设为30W，将偏压功率设 为2W，将O 2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1 Pa并进行17秒的蚀刻，由此能够除 去与初始状态的70%相当的保护基。
[0422] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0423] 实施例41
[0424] 实施例41是变更第1蚀刻条件而使金属微粒的保护基量从初始状态降低了 50% 的情况下的结果，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工 序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部 分都与实施例1相同。
[0425] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，并将天线功率设为30W，将偏压功率设 为0W，将O 2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1 Pa并进行13秒的蚀刻，由此能够除 去与初始状态的50%相当的保护基。
[0426] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0427] 实施例42
[0428] 实施例42是变更第1蚀刻条件而使金属微粒的保护基量从初始状态降低了 40% 的情况下的结果，此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工 序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部 分都与实施例1相同。
[0429] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，并将天线功率设为30W，将偏压功率设 为0W，将O 2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1 Pa并进行11秒的蚀刻，由此能够除 去与初始状态的40%相当的保护基。
[0430] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0431] 实施例43
[0432] 实施例43是变更第1蚀刻条件而使金属微粒的保护基量从初始状态降低了 30% 的情况下的结果，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工 序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部 分都与实施例1相同。
[0433] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，并将天线功率设为25W，将偏压功率设 为0W，将O 2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1 Pa并进行9秒的蚀刻，由此能够除 去与初始状态的40%相当的保护基。
[0434] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0435] 实施例44
[0436] 实施例44到实施例47是对凸图案的形成方法与复制方法进行了各种变更的情况 下的例子。将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第2蚀刻条件以 及滑行评价结果表示于下述表3。
[0437] 本例是在磁记录层的形成工序中、在磁记录层与掩模层之间设置剥离层而进行构 图的方法。关于剥离层的形成工序、从掩模层向剥离层的凸图案复制工序和从磁记录层除 去剥离层的剥离层除去工序以外的部分，与实施例1相同。
[0438] 磁记录层形成后，通过DC溅射法在将气体流量设为2〇SCCm、将气体压力设为 0.1 Pa并将投入功率设为500W的条件下按2nm厚度形成了 AlBN剥离层。另外，向AlBN剥 离层的凸图案复制与向磁记录层的图案复制同样都是通过Ar离子研磨而进行的。另外，Ar 离子研磨时间设为75秒。
[0439] 接着，向磁记录层复制凸图案后，通过湿式处理溶解除去剥离层，将掩模层从磁记 录层脱离开。在湿式蚀刻中，使用稀释到重量百分比浓度为0.01%的氢氧化钠水溶液，在 150秒的浸渍后，使用纯水进行清洗。最后，通过直接吹送N 2使试料表面干燥。
[0440] 以后，与实施例1同样地向磁记录层上形成保护膜，得到了磁记录介质。通过滑行 高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够 通过为了进行介质的读?写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0441] 实施例45
[0442] 实施例45是通过纳米刻印形成金属微粒层的凸图案的情况下的例子。在这里，对 利用设置于被加工层上的金属微粒掩模层来制作纳米刻印压模（下面称为压模）、进而在 磁记录介质的制造工序中通过向设置于掩模层上的纳米刻印抗蚀剂层（下面称为抗蚀剂 层）的纳米刻印来复制凸图案的工序进行说明。此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模 层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序 和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0443] 首先，制作出压模制作用的母盘。基板使用通用的6英寸Si晶片，通过DC溅射法 在气体流量为50sccm、气体压力为0.1 Pa且RF功率为150W的条件下形成了 IOnm厚的SiO2 膜。然后，通过在实施例1中表示的方法，将金属微粒凸图案复制到SiO2膜上。
[0444] 接着，使用SiO2凸图案制作出压模。首先，为了对所得的凸图案进行电铸，而在 SiO2表面形成了导电化膜。在这里，选定Ni并通过DC溅射法在极限真空度为8. 0 X 10_4Pa、 Ar气体压力为l.OPa、投入功率为200W的条件下，均匀覆盖5nm厚的Ni导电膜。作为导电 膜形成法，除溅射法外也能够使用蒸镀法或者无电解电镀法替换Ni而使用Ni- P合金和/ 或Ni-B合金。
[0445] 接下来，通过电铸而沿着凸图案形成Ni电铸层。在电铸液中使用昭和化学株式会 社制的高浓度氨基磺酸镍电镀液（NS-169)。在氨基磺酸镍：600g/L、硼酸40g/L、十二烷基 硫酸钠表面活性剂〇. 15g/L、液温55°C、pH3. 8~4. 0、通电电流密度20A/dm2的电铸条件下， 制作出300 μ m厚的Ni压模。将该压模从Si晶片脱模，为了将Ni凸图案表面的颗粒除去 而进行了氧灰化。在灰化中使用具备桶型腔的灰化机，将氧流量设为2〇 Sccm，将投入功率设 为200W，进行30秒的灰化，从而从凹部分除去了颗粒。在本例中未说明，但也能够使用有机 溶剂和/或酸等以湿式除去抗蚀剂材料。最后，将电铸出的Ni板冲压加工为2. 5英寸径的 圆盘状，得到纳米刻印用Ni压模。
[0446] 进而，对该Ni压模进行注塑成型处理，复制出树脂压模。在树脂材料中使用日本 化成（七才 > )工业株式会社制的环状烯烃聚合物（ZE0N0R1060R)。
[0447] 使用如上所述那样得到的树脂压模，向抗蚀剂层形成凸图案。首先，以IOnm厚度 向介质试料上旋涂紫外线硬化抗蚀剂，将其设为抗蚀剂层。接下来，在抗蚀剂层上刻印上述 树脂压模，通过照射紫外线（在通过树脂压模按下了紫外线硬化树脂层的状态下照射紫外 线），使抗蚀剂层硬化。通过将树脂压模从硬化了的抗蚀剂层脱模而得到了所希望的8nm点 图案。
[0448] 在试料的凸图案的槽部有伴随着刻印而出现的抗蚀剂残渣，所以通过蚀刻将其除 去。利用O 2腐蚀剂通过等离子蚀刻而进行抗蚀剂的残渣除去。将O2气体流量设为5sccm， 将压力设为〇. IPa，将投入功率设为100W，将偏压功率设为IOW并进行8秒的蚀刻，从而除 去抗蚀剂残渣。如上所述，在Si复制层上复制出金属微粒图案，得到了 8nm厚的抗蚀剂图 案。
[0449] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度