的Si凸 图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定 相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0450] 实施例46
[0451] 实施例46是在制作出微细凸图案模板（template)后、使磁记录层在凸图案上有 选择地成长的例子。实施例46相当于在实施例2中调换了工序顺序的情况，经历被加工 层形成工序、金属微粒调整工序、涂敷工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案 复制工序、金属微粒除去工序和磁记录层形成工序的顺序，所以基本的工序内容与实施例2 相同。
[0452] 以后，在根据实施例2的内容将凸图案向Si被加工层复制5nm后，形成磁记录层， 从而制作出具有凸图案的磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质 的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读?写评价所需要的标 准即8nm悬浮量。
[0453] 实施例47
[0454] 实施例47是通过纳米刻印制作出微细凸图案模板、进而使用该模板制作出磁记 录介质的例子。与刻印压模制作工序以及刻印工序有关的内容与实施例45相同，与相对于 微细凸图案模板的磁记录层形成工序有关的内容与实施例46相同。
[0455] 以后，根据实施例的内容制作出具有凸图案的磁记录介质。通过滑行高度检测器 测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进 行介质的读?写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0456] 比较例1
[0457] 比较例1是在实施例1中省略了第1蚀刻以及附着性气体暴露工序后的例子。在 第2蚀刻中，在将CHF 3气体设为腐蚀剂、将天线功率设为100W、将偏压功率设为30W、将气 体流量设为2〇Sccm、将气体压力设为0.1 Pa并将蚀刻时间设为12秒的条件下，进行了蚀刻。 在凸图案制作后，在通过SEM观察图案时，如图16所示可以看到图案凝集，可确认间距偏差 恶化。
[0458] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制 作出了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进 行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞（hit)，不能通过为 了进行介质的读?写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0459] 比较例2
[0460] 比较例2是在实施例1中省略了第1蚀刻以及附着性气体暴露工序且还将第2蚀 刻气体变更为O 2的情况下的结果，此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、 磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形 成工序有关的部分都与实施例1相同。另外，作为容易利用O 2腐蚀剂进行复制的掩模，掩 模层材料设为15nm厚的C。
[0461] 在第2蚀刻中，在将天线功率设为50W、将偏压功率设为5W、将气体流量设为 2〇SCCm、将气体压力设为0.1 Pa并将蚀刻时间设为5秒的条件下，进行蚀刻。其结果，可知 即使是在低功率·短时间的蚀刻条件下，微粒图案也凝集，可确认间距偏差恶化。
[0462] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制 作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行 了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0463] 比较例3
[0464] 比较例3是在实施例1中省略了附着性气体暴露工序的情况下的例子，此外与金 属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、凸图案 复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0465] 以后，通过根据实施例1的内容，经由Si以及C掩模层将凸图案向磁记录层复制， 从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量 并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了 进行介质的读?写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0466] 比较例4
[0467] 比较例4是在实施例1中省略了第1蚀刻工序后的情况下的例子，此外与金属微 粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体 暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0468] 以后，通过根据实施例1的内容，经由Si以及C掩模层将凸图案向磁记录层复制， 从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量 并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了 进行介质的读？写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0469] 比较例5
[0470] 比较例5是将在实施例1中的第2蚀刻工序中使用的腐蚀剂变更为O2的情况下 的结果，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基 除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实 施例1相同。
[0471] 在第2蚀刻中，将天线功率设为50W，将偏压功率设为5W，将气体流量设为20sccm， 将气体压力设为〇. IPa，进行5秒的蚀刻。其结果，可知即使是低功率?短时间的蚀刻条件， 微粒图案也会凝集，可确认间距偏差恶化。该倾向与比较例2的情况相同，明示了即使包含 附着性气体暴露工序，在使用分解性气体的凸图案复制中微粒也容易凝集。
[0472] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制 作了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行 了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0473] 比较例6
[0474] 比较例6是将在第1蚀刻、附着性气体暴露、第2蚀刻工序中使用的腐蚀剂设为 CHF3的情况下的例子，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形 成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关 的部分都与实施例1相同。
[0475] 在第1蚀刻中，在将天线功率设为50W，将偏压功率设为0W，将气体流量设为 4〇SCCm，将气体压力设为0.1 Pa并将蚀刻时间设为15秒的条件下，通过蚀刻尝试降低保护 基量。在第1蚀刻后，若通过SEM观察图案上面，则可知在保护基除去工序中附着性气体成 分填充微粒间隙，微粒层的边界不清楚。
[0476] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制 作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行 了悬浮评价，其结果，除了凸图案复制不充分外，还测定到很多由介质表面的凝集图案产生 的碰撞，不能通过为了进行介质的读?写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0477] 比较例7
[0478] 比较例7至9是变更了实施例1中的附着性气体暴露工序的气体流量的情况下的 例子。
[0479] 比较例将气体流量设为5sCCm。此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成 工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记 录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。在第2蚀刻后通过SEM观察凸图案时，可知 利用附着性气体所进行的保护基的置换不充分，所以微粒图案凝集。
[0480] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制 作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行 了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介 质的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0481] 比较例8
[0482] 比较例8除了将附着性气体暴露工序中的气体流量设为7〇SCCm以外、与比较例7 相同。
[0483] 在第2蚀刻后通过SEM观察凸图案时，可知凸图案间隙由于附着性气体的过度暴 露而被埋没。
[0484] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作 出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了 悬浮评价，其结果，不但凸图案复制不充分，还测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰 撞，不能通过为了进行介质的读?写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0485] 比较例9
[0486] 比较例9除了将附着性气体暴露工序中的气体流量设为8〇SCCm以外、与比较例7 相同。
[0487] 在第2蚀刻后通过SEM观察凸图案时，可知凸图案间隙由于附着性气体的过度暴 露而被埋没。
[0488] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作 出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了 悬浮评价，其结果，不但凸图案复制不充分，还测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰 撞，不能通过为了进行介质的读？写评价所需要的标准即8nm悬浮量。
[0489] 比较例10
[0490] 比较例10是将在第1蚀刻、附着性气体暴露、第2蚀刻工序中使用的腐蚀剂设为 O2的情况下的例子，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成 工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0491] 第2蚀刻在与比较例2相同的条件下进行。在通过SEM观察所得到的凸图案时， 与比较例2的情况同样地看不到附着性气体的效果，可知微粒图案凝集。
[0492] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作 出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了 悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质 的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0493] 比较例11
[0494] 比较例11到比较例15是变更了实施例1中的第1蚀刻条件、改变了要除去的保 护基量的情况下的例子。比较例11是将保护基量从初始状态减少了 90%的情况下的例子， 此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、凸图案复制工 序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。
[0495] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，在将天线功率设为50W，将偏压功率设 为4W，将O 2气体流量设为2〇SCCm，将气体压力设为0.1 Pa，将蚀刻时间设为10秒的条件下， 进行蚀刻，由此能够除去与初始状态的90%相当的保护基。在第1蚀刻后使用SEM观察凸 图案时，可知微粒图案已经凝集、间距偏差恶化。
[0496] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作 出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了 悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质 的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0497] 比较例12
[0498] 比较例12除了通过第1蚀刻将保护基量降低80%以外都与比较例11相同。
[0499] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，将天线功率设为50W，将偏压功率设为 4W，将O 2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1 Pa，进行蚀刻时间为8秒的蚀刻，由此 能够除去与初始状态的80%相当的保护基。在第2蚀刻后使用SEM观察凸图案时，可知微 粒图案已经凝集、间距偏差恶化。
[0500] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作 出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了 悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质 的读？写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0501] 比较例13
[0502] 比较例13除了通过第1蚀刻将保护基量降低25%降低以外都与比较例11相同。
[0503] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，在将天线功率设为25W，将偏压功率设 为0W，将O 2气体流量设为2〇SCCm，将气体压力设为0.1 Pa，并将蚀刻时间设为7秒的条件下， 进行蚀刻，由此能够除去与初始状态的25%相当的保护基。在第2蚀刻后使用SEM观察凸 图案时，可知保护基的置换不充分，所以微粒图案凝集、间距偏差恶化。
[0504] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作 出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了 悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质 的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0505] 比较例14
[0506] 比较例14除了通过第1蚀刻将保护基量降低20%以外都与比较例11相同。
[0507] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，在将天线功率设为20W，将偏压功率设 为0W，将O 2气体流量设为2〇SCCm，将气体压力设为0.1 Pa，并将蚀刻时间设为9秒的条件下， 进行蚀刻，由此能够除去与初始状态的20%相当的保护基。在第2蚀刻后使用SEM观察凸 图案时，可知保护基的置换不充分，所以微粒图案凝集、间距偏差恶化。
[0508] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作 出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了 悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质 的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0509] 比较例15
[0510] 比较例15除了通过第1蚀刻将保护基量降低10%降低以外都与比较例11相同。
[0511] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，在将天线功率设为20W，将偏压功率设 为0W，将O 2气体流量设为2〇SCCm，将气体压力设为0.1 Pa，并将蚀刻时间设为5秒的条件下， 进行蚀刻，由此能够除去与初始状态的10%相当的保护基。在第2蚀刻后使用SEM观察凸 图案时，可知保护基的置换不充分，所以微粒图案凝集、间距偏差恶化。
[0512] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作 出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了 悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质 的读?写评价所需要的标准即Snm悬浮量。
[0513] 关于比较例1至15,将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条 件、第2蚀刻条件以及滑行评价结果表示于下述表4。表1
[0514]
【主权项】
1. 一种图案形成方法，包括： 在基板上形成被加工层的工序； 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到所述被加工层上而形成金属微粒层 的工序； 通过第1蚀刻来降低该金属微粒周围的保护基量的工序； 暴露于含有碳与氟的气体，使所述气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序；以 及 通过第2蚀刻来将凸图案向该被加工层复制的工序。
2. 根据权利要求1所记载的图案形成方法，其中， 还包括在将所述凸图案向被加工层复制的工序之后，将所述金属微粒除去的工序。
3. -种压模的制造方法，包括： 在基板上形成被加工层的工序； 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到所述被加工层上而形成金属微粒层 的工序； 通过第1蚀刻来降低该金属微粒周围的保护基量的工序； 暴露于含有碳与氟的气体，使所述气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序； 通过第2蚀刻来将所述凸图案向该被加工层复制的工序； 在该凸图案上形成导电层的工序； 在该导电层上通过进行电镀而形成电铸层的工序；以及 从所述被加工层上剥离所述电铸层的工序。
4. 根据权利要求3所记载的压模的制造方法，其中， 在在所述凸图案上形成导电层的工序之前，还包括将所述金属微粒除去的工序。
5.-种磁记录介质的制造方法，包括： 在基板上形成磁记录层的工序； 在该磁记录层上涂敷含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液而形成金属微粒层的工 序； 通过第1蚀刻来降低该金属微粒周围的保护基量的工序； 暴露于含有碳与氟的气体，使所述气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序；以 及 通过第2蚀刻来将所述凸图案向该磁记录层复制的工序。
6. 根据权利要求5所记载的磁记录介质的制造方法，还包括： 在形成所述金属微粒层的工序之前，在所述磁记录层上形成剥离层的工序；和 在将所述凸图案向该磁记录层复制的工序之后，将该剥离层溶解除去并且将所述金属 微粒层除去的工序。
7.-种磁记录介质的制造方法，包括： 在基板上形成基底层的工序； 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到所述基底层上而形成金属微粒层的 工序； 通过第1蚀刻来降低该金属微粒周围的保护基量的工序； 暴露于含有碳与氟的气体，使所述气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序；以 及 通过第2蚀刻来将所述凸图案向该基底层复制的工序； 从该被加工层上除去该金属微粒的工序；以及 在具有凸图案的基底层上形成磁记录层的工序。
8. -种磁记录介质的制造方法，包括： 在基板上形成磁记录层的工序； 在该磁记录层上形成抗蚀剂层的工序； 通过在所述抗蚀剂层上刻印压模而设置凸图案的工序；以及 将所述凸图案复制到磁记录层的工序， 其中，所述压模通过下述工序而形成： 在基板上形成被加工层的工序； 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到所述被加工层上而形成金属微粒层 的工序； 通过第1蚀刻来降低该金属微粒周围的保护基量的工序； 暴露于含有碳与氟的气体，使所述气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序； 通过第2蚀刻来将所述凸图案向该被加工层复制的工序； 在该凸图案上形成导电层的工序； 在该导电层上通过进行电镀而形成电铸层的工序；以及 从所述被加工层剥离所述电铸层的工序。
9. 一种磁记录介质的制造方法，包括： 在基板上形成磁记录层的工序； 在磁记录层上形成基底层的工序； 在基底层上形成抗蚀剂层的工序； 通过在该抗蚀剂层上刻印压模而设置凸图案的工序； 将所述凸图案复制到基底层的工序；以及 在具有该凸图案的基底层上形成磁记录层的工序， 其中，所述压模通过下述工序而形成： 在基板上形成被加工层的工序； 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到所述被加工层上而形成金属微粒层 的工序； 通过第1蚀刻来降低该金属微粒周围的保护基量的工序； 暴露于含有碳与氟的气体，使所述气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序； 通过第2蚀刻来将所述凸图案向该被加工层复制的工序； 在该凸图案上形成导电层的工序； 在该导电层上通过进行电镀而形成电铸层的工序；以及 从所述被加工层剥离所述电铸层的工序。
【专利摘要】本发明的目的在于得到图案尺寸精度良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在基板上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体吸附于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。
【IPC分类】G11B5-84
【公开号】CN104732987
【申请号】CN201410165545
【发明人】泷泽和孝, 岩崎刚之, 竹尾昭彦
【申请人】株式会社 东芝
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2014年4月23日
【公告号】US20150179205