性的评价方法所关联的记录再现工作。
[0036]信号比较运算部142从存储器16取得:读取在对ST0100的通电为导通的状态和关断及与通常的工作时相比通电的电流值较小的状态的各个状态下记录的数据图形后的再现信号所关联的数据，对这些数据进行比较等的运算处理。信号比较运算部142在存储器16保存运算处理的结果。另外，信号比较运算部142将运算处理的结果向判定部143发送。
[0037]判定部143由信号比较运算部142的运算处理的结果判定ST0100的振荡特性。即，判定部143由信号比较运算部142的运算处理的结果，进行ST0100的劣化和/或ST0100的良或不良的判断。判定部143具有成为用于评价ST0100的振荡特性的基准的判定值。该判定值可以任意设定。例如，判定值是相对于比较取得的再现信号所关联的数据后的值(比较数据)的阈值等。判定部143根据比较数据比判定值大还是小，来判断ST0100的振荡特性。判定部143也可以具有:在比较数据达到预定的判定值时，以发出告警的方式指示磁盘装置1的功能。这里，比较数据例如是再现信号所关联的数据的差量数据或比率数据。
[0038]驱动器IC15按照MPU14的控制，控制SPM3和VCM5的驱动。通过VCM5驱动，头10的位置向盘2上的目标轨道抵达。
[0039]存储器16包含易失性存储器及非易失性存储器。例如，存储器16包含包括DRAM的缓冲存储器及闪速存储器。存储器16存储MPU14的处理所需的程序及参数(判定值等)。另外，存储器16包含第1数据保存部161和第2数据保存部162。第1数据保存部161及第2数据保存部162按照MPU14(信号测定部141)的处理，保存在对向ST0100的通电关断或与通常的记录时相比较小的状态下记录的数据图形再现时的再现信号所关联的数据。而且，第1数据保存部161及第2数据保存部162也保存在对向ST0100的通电为导通状态下记录的数据图形再现时的再现信号所关联的数据。
[0040]接着，详细说明头10的构成。
[0041]图2是头10的结构的截面图。首先，如图2所示，头10具有在滑块8的端部以薄膜工艺形成的写入头10W及读取头10R，形成分离型的头。滑块8为了从盘2的记录面上浮，具有与盘2的记录面相向的面即ABS (Air Bearing Surface，空气支承面)9。写入头10W对磁盘2上写入数据。读取头10R读出在磁盘2上记录的数据。
[0042]写入头10W具备主磁极20、返回磁极21、非导电体22、前导磁极23、连接部(后间隙)23B、第1记录线圈24、第2记录线圈25、第1端子26、第2端子27、ST0100。主磁极20、返回磁极21及前导磁极23包含高导磁材料形成。主磁极20和返回磁极21构成形成闭合磁路的第1磁芯，在该第1磁芯卷绕第1记录线圈24。另外，主磁极20和前导磁极23构成形成闭合磁路的第2磁芯，在该第2磁芯卷绕第2记录线圈25。
[0043]主磁极20在相对于盘2的记录面(记录层)垂直的方向发生记录磁场。主磁极20相对于盘2的记录面大致垂直地延伸形成。主磁极20的盘2侧的前端部朝盘面以前端变细的方式变小。主磁极20的前端部的一部分向滑块8的ABS9露出。主磁极20与用于流过电流的第1端子26连接。例如，对第1端子26通直流电流。
[0044]返回磁极21形成为:盘2侧的前端部向主磁极20弯曲的近似L形状。返回磁极21的前端部隔着写间隙WG与主磁极20的前端部相向。返回磁极21在从盘2离开的位置具有突出部，该突出部经由非导电体22与主磁极20连接。第1记录线圈24卷绕在突出部的周围。返回磁极21与用于流过电流的第2端子27连接。例如，与第1端子26同样，对第2端子27通直流电流。
[0045]ST0100在写间隙WG内的主磁极20的前端部和返回磁极21的前端部之间设置。ST0100通过对磁阻膜微细加工，形成磁性体膜和非磁性体膜的层叠结构的近似长方体状。主磁极20的前端面、返回磁极21的前端面及ST0100形成的面在ABS9露出，与盘2的记录面相向配置。ST0100经由非磁性导电层，与主磁极20及返回磁极21电连接。从而，形成通过主磁极20、ST0100及返回磁极21而通电的通电电路。ST0100在层叠方向被施加电流例如直流电流时，由于电子具有的磁体性质，元件所包含的强磁性体中的自旋进行进动(旋进)。ST0100由于该进动，以微波段的交流信号(高频磁场)振荡。ST0100按照MPU14的控制，由ST0控制部111及记录线圈控制部112控制振荡的导通/关断。
[0046]前导磁极23包含软磁性体而形成。前导磁极23相对于主磁极20，在返回磁极21的相反侧即在主磁极20的前导侧配置。前导磁极23形成近似L状，其前端部隔着间隙与主磁极20的前端部相向。从盘2离开的前导磁极23的上端部通过包含磁性体的连接部23B与主磁极20连接。第2记录线圈25卷绕在连接部23B的周围。
[0047]第1记录线圈24和第2记录线圈25相互反向地卷绕。第1记录线圈24及第2记录线圈25经由头放大器IC11串联连接。对第1记录线圈24及第2记录线圈25供给电流的控制由记录线圈控制部112进行。另外，第1记录线圈24及第2记录线圈25也可以独立被进行电流供给控制。通过对第1记录线圈24及第2存储线圈25流过交流电流，主磁极20被励磁。
[0048]读取头10R具备:具有磁阻效应的磁性膜30 ;和在该磁性膜30的尾侧及前导侧以夹着磁性膜30的方式配置的屏蔽膜31、32。这些磁性膜30、屏蔽膜31、32的下端在滑块8的ABS9露出。
[0049]如图2所示，头10具备起到发热元件的功能的第1加热器28及第2加热器29。第1及第2加热器28、29埋入滑块8内。第1加热器28例如在主磁极20的上方，设置在第1记录线圈24和第2记录线圈25之间。第2加热器29例如在屏蔽膜31的侧方配置。
[0050]第1及第2加热器28、29与头放大器IC11的加热器控制部114连接。然后，从加热器控制部114向第1及第2加热器28、29通电时，第1及第2加热器28、29发热，加热周围的滑块8部分。从而，滑块8、写入头10W、读取头10R热膨胀，ABS9向盘2的表面侧突出。这样，可以由第1及第2加热器28、29调整头10的上浮量(头10的ABS9与盘2的表面的距离)。通过对第1及第2加热器28、29通电的电流(施加的电压)的值，调整滑块8、写入头10W、读取头10R膨胀的大小。S卩，通过对第1及第2加热器28、29通电的电流(施加的电压)的值，调整头10的上浮量。另外，加热器不限于2个，也可以设置一个或者3个以上。
[0051]以下，参照图3(a)及图3(b)，详细说明第1及第2加热器28、29的上浮量的调整。图3 (a)是表示第1加热器28及第2加热器29为导通状态的头的上浮量的示意图。图3 (b)是表示第1加热器28及第2加热器29为关断状态(或，与通常的记录再现工作时相比通电的电流较小的状态)的头的上浮量的示意图。
[0052]如图3(a)所示，在头10上浮的状态下，对第1及第2加热器28、29通电时(导通的状态)，头10被加热，ABS9向盘2的表面侧突出。从而，头10的上浮量变小(降低)，即，盘2的表面和ABS9的间隔变小，例如，成为lnm左右。通过减小上浮量，可以由头10对盘2进行良好的信息记录、再现。同时，来自ST0100的高频磁场充分施加到盘2，可以发挥高频辅助效应。
[0053]如图3(b)所示，不向第1及第2加热器28、29通电(关断的状态)的情况下，头10的ABS9不会向盘2侧膨胀，维持为大致平坦的状态。因此，头10的上浮量变大，盘2的表面和ABS9的间隔例如成为10nm左右。在这样的高上浮状态下，前述STO和盘2的间隔大，因此，从ST0100振荡的高频磁场几乎不作用于盘2，不施加辅助效应。
[0054][高频辅助记录所关联的磁通量的变化]
[0055]首先，说明高频辅助记录所关联的写入头10W中的磁通量(磁场)的变化。
[0056]以下，参照图4(a)及图4(b)，说明写入头10W中的磁通量(磁场)的流向。
[0057]图4(a)是表示ST0100振荡时的写入头10W的前端部的放大截面图。图4(b)是表示ST0100不振荡及振荡的大小比通常的工作时(振荡时)小时的写入头10W的前端部的放大截面图。图4(a)及图4(b)中，Ml表示ST0100的磁化，表示自旋的进动，M2表示间隙磁