一种芯片修复方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种芯片修复方法和装置。
【背景技术】
[0002]随着工艺节点的降低，芯片面积的增大，芯片的容量的显著提升，芯片的良率面临着巨大的挑战。现在的芯片中，有几千到几十亿个Flash存储单元，由于工艺的不一致性，以及其他各种各样的外界因素，将不可避免的导致其中的个别存储单元性能较差甚至无法使用。遇到这种情况，若芯片中没有修复功能，将导致整个芯片无法工作，被当作废片。当加入修复功能后，可以自动利用冗余资源替换出错单元，实现坏点的自动修复，从而将坏点较少的芯片变为可用的正常芯片，从而提闻广品的良率。
[0003]早期的芯片产品中，工艺节点通常较为落后，而芯片容量不是很大，存储单元个数也相对不多，因此多为采用全局位线(GBL)修复，能够修复的坏点个数和位置均有一定限制，当在局部有多个坏点时，会超过GBL修复的范围，出现局部GBL修复资源不够用，而其他位置GBL修复资源未使用的情况，从而在修复资源未能完全使用的情况下，芯片出现失效无法工作的状态，未能通过GBL修复来提升产品的良率。当工艺节点进一步降低，存储单元的离散性进一步增大，容量增大导致芯片面积增加后，仅用GBL修复已经无法满足芯片良品率提升，以及性能提升的要求。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种芯片修复方法和装置，以解决GBL修复无法满足芯片良品率提升，以及性能提升要求的问题。
[0005]为了解决上述问题，本发明提供了一种芯片修复方法，包括:
[0006]对芯片中的主阵列存储单元进行测试，得到发生故障的存储单元的地址信息；
[0007]根据所述发生故障的存储单元的地址信息与所述芯片中的冗余存储单元，对所述芯片进行修复；
[0008]其中，所述冗余存储单元包括第一存储单元和第二存储单元；所述第一存储单元与所述主阵列存储单元共用阱、位线和高位地址；所述第二存储单元与所述主阵列存储单元不共用阱、位线和高位地址。
[0009]优选地，所述对芯片中的主阵列存储单元进行测试，得到发生故障的存储单元的地址信息，包括:
[0010]写入测试信息至所述主阵列存储单元；
[0011]读取所述写入测试信息之后的主阵列存储单元中的存储信息；
[0012]确定读取失败或存储信息与测试信息不同的主阵列存储单元为发生故障的存储单元；
[0013]保存所述发生故障的存储单元的地址信息至锁存器中；所述锁存器中的发生故障的存储单元的地址信息与所述冗余存储单元的地址信息具有映射关系。
[0014]优选地，所述根据所述发生故障的存储单元的地址信息与所述芯片中的冗余存储单元,对所述芯片进行修复，包括:
[0015]根据所述发生故障的存储单元的地址信息和所述第一存储单元，对所述芯片进行第一修复；
[0016]若所述第一修复之后，所述主阵列存储单元中仍存在发生故障的存储单元，根据仍存在的发生故障的存储单元的地址信息和所述第二存储单元，对所述芯片进行第二修复。
[0017]优选地，所述第一修复为全局位线修复；
[0018]所述根据仍存在的发生故障的存储单元的地址信息和所述第二存储单元，对所述芯片进行第二修复，包括:
[0019]确定所述仍存在的发生故障的存储单元集中所在的故障块；
[0020]根据所述锁存器中的发生故障的存储单元的地址信息与所述冗余存储单元的地址信息的映射关系，确定与所述仍存在的发生故障的存储单元相对应的第二存储单元集中所在的修复块；
[0021]将所述修复块对所述故障块进行替换。
[0022]优选地，所述第二存储单元设置有冗余子存储单元，所述冗余子存储单元用于对所述第二存储单元进行第一修复。
[0023]优选地,所述芯片包括Nor Flash。
[0024]本发明还提供了一种芯片修复装置，包括:
[0025]测试模块，用于对芯片中的主阵列存储单元进行测试，得到发生故障的存储单元的地址信息；
[0026]修复模块，用于根据所述发生故障的存储单元的地址信息与所述芯片中的冗余存储单元，对所述芯片进行修复；
[0027]其中，所述冗余存储单元包括第一存储单元和第二存储单元；所述第一存储单元与所述主阵列存储单元共用阱、位线和高位地址；所述第二存储单元与所述主阵列存储单元不共用阱、位线和高位地址。
[0028]优选地，所述测试模块，包括:
[0029]测试信息写入子模块，用于写入测试信息至所述主阵列存储单元；
[0030]存储信息读取子模块，用于读取所述写入测试信息之后的主阵列存储单元中的存储信息；
[0031]故障单元确定子模块，用于确定读取失败或存储信息与测试信息不同的主阵列存储单元为发生故障的存储单元；
[0032]地址信息保存子模块，用于保存所述发生故障的存储单元的地址信息至锁存器中；所述锁存器中的发生故障的存储单元的地址信息与所述冗余存储单元的地址信息具有映射关系。
[0033]优选地，所述修复模块，包括:
[0034]第一修复子模块，用于根据所述发生故障的存储单元的地址信息和所述第一存储单元，对所述芯片进行第一修复；
[0035]第二修复子模块，用于若所述第一修复子模块进行所述第一修复之后，所述主阵列存储单元中仍存在发生故障的存储单元，根据仍存在的发生故障的存储单元的地址信息和所述第二存储单元，对所述芯片进行第二修复。
[0036]优选地，所述第一修复为全局位线修复；
[0037]所述第二修复子模块，包括:
[0038]故障块确定分模块，用于确定所述仍存在的发生故障的存储单元集中所在的故障块；
[0039]修复块确定分模块，用于根据所述锁存器中的发生故障的存储单元的地址信息与所述冗余存储单元的地址信息的映射关系，确定与所述仍存在的发生故障的存储单元相对应的第二存储单元集中所在的修复块；
[0040]替换分模块，用于将所述修复块对所述故障块进行替换。
[0041]优选地，所述第二存储单元设置有冗余子存储单元，所述冗余子存储单元用于对所述第二存储单元进行第一修复。
[0042]优选地,所述芯片包括Nor Flash。
[0043]与现有技术相比，本发明包括以下优点:
[0044]本发明中的芯片内设置有冗余存储单元，冗余存储单元包括第一存储单元和第二存储单元；第一存储单元与主阵列存储单元共用阱、位线和高位地址，第一存储单元可以用于对主阵列存储单元中发生故障的存储单元进行GBL修复；第二存储单元与主阵列存储单元不共用阱、位线和高位地址，第二存储单元可以对主阵列存储单元中发生故障的存储单元进行块修复。通过在芯片中增加第二存储单元，增加了一种对芯片进行修复的方式，在GBL修复无法完全对芯片进行修复时，可以进行第二修复，满足了芯片良品率提升，以及性能提升的要求。
【附图说明】
[0045]图1是本发明实施例一中的一种芯片修复方法