51IB，从驱动电源部521向第一节点ND52提供驱动电压VCC。也就是说，谐振部51IB被控制为:通过谐振驱动部523切换第二节点ND53与基准电位部522之间的导通状态，来引起谐振功能，从而使流过线圈(电感器)L51的电流增大，并对盗取用磁头产生妨碍磁场。
[0105]在此，控制信号CTL被切换为非激活的低电平(L)，并被提供给谐振驱动部523。在谐振驱动部523，如果以非激活的低电平接收到控制信号CTL，则驱动开关元件DSW51被驱动为非导通状态。
[0106]此时，谐振部511B的第二节点ND53与基准电位部522的电连接被切断，谐振部511B成为如下状态:线圈(电感器)L51的电流因感应出的谐振能量衰减并流动，妨碍磁场也随之衰减并持续产生。
[0107]在此，控制部40通过将脉冲状的控制信号CTL提供给谐振驱动部523，而在谐振部511B中引起谐振作用，并产生磁场后，随着谐振能量的衰减，磁场进行衰减，但为了能够在该衰减的磁场保持为妨碍磁场的功能期间引起谐振，而从前次的输出(提供)起以一定的周期或者/以及非周期(随机)以激活的高电平(H)将控制信号CTL提供给谐振驱动部523。
[0108]也就是说，与上述相同，如图10(a)所示，为了再次产生妨碍磁场，控制信号CTL被以激活的高电平(H)从控制部40提供给驱动控制电路52B的谐振驱动部523。在谐振驱动部523，如果以激活的高电平接收到控制信号CTL，则驱动开关元件DSW51被驱动为导通状态。
[0109]由此，在谐振部511B，第二节点ND53形成为与基准电位部522电连接的状态。在谐振部511，驱动电压VCC被从驱动电源部521提供给第一节点ND52。也就是说，谐振部511B被控制为:通过谐振驱动部523切换成第二节点ND53与基准电位部522之间的连接状态，从而再次引起谐振功能，使得流过线圈(电感器)L51的电流增大，并产生妨碍磁场。
[0110]在此，控制信号CTL被切换为非激活的低电平(L)，并被提供给谐振驱动部523。在谐振驱动部523，如果以非激活的低电平接收到控制信号CTL，则驱动开关元件DSW51被驱动为非导通状态。
[0111]此时，谐振部51IB的第二节点ND53呈与基准电位部522的电连接被切断，谐振部511B成为如下状态:线圈(电感器)L51的电流因感应出的谐振能量衰减并流动，妨碍磁场也随之衰减并持续产生。
[0112]以上的动作在产生妨碍磁场期间反复进行。
[0113]像这样，在装设了第二实施方式的磁场发生装置50B的读卡器10中，能够通过对不正当安装在卡片插入口 311的盗取用磁头(包括读取电路)装置产生妨碍磁场来防止磁数据被读取。
[0114][妨碍磁场产生停止动作]
接下来，对在卡片检测传感器(本例为卡片宽度传感器)372检测到卡片后的伴随谐振能量的释放(放电)处理的妨碍磁场产生停止动作进行说明。控制部40实施以下这样的驱动控制:如果接收到表示卡片检测传感器372检测到卡片的信号，则在控制部40释放谐振能量(放电)，并使很有可能产生并剩余的妨碍磁场迅速消失。在这种情况下，谐振部511B的第一节点ND52需要与作为放电用电位的基准电位部522电连接，并且，优选停止向谐振部511B的第一节点ND52提供驱动电压VCC。
[0115]根据上述，为了高效地释放谐振能量，如图9(B)的信号波形所示，以激活的低电平(L)将第二磁场发生停止信号STP2从控制部40提供给驱动控制电路52B的驱动电源部521B，以停止向谐振部511B的第一节点ND52提供驱动电压VCC。在驱动电源部521B，如果以激活的低电平(L)接收到第二磁场发生停止信号STP2，则作为第二开关元件SW51的晶体管TR2成为非导通状态(OFF状态)。随着晶体管TR2转变为非导通状态，而形成为停止向谐振部511B的第一节点ND52提供来自驱动电源部521的驱动电压VCC的状态。
[0116]与此同时，为了释放谐振部511B的谐振能量(放电)，如图9(B)的信号波形所示，第一磁场发生停止信号STPl从非激活的低电平(L)切换为激活的高电平(H)，并从控制部40提供给驱动控制电路52B的放电驱动部524。在放电驱动部524，如果以激活的高电平接收到第一磁场发生停止信号STPl，则作为第一开关元件DSW52的晶体管TRl被驱动为导通状态。由此，在谐振部51IB，第一节点ND52形成为与基准电位部522电连接的状态，且成为释放来自谐振部51IB的第一节点ND52的谐振能量(放电)的状态，谐振部511B中的谐振能量被迅速释放(放电)。
[0117]在这种谐振能量的释放结束且在进行打开滑门38等的处理后，当再次产生妨碍磁场时，基本上实施与上述的磁场发生动作中进行说明的动作相同的动作。但是，为了高效切换以及提供动作电压的电力，而在再次开始产生磁场时，如图9(B)以及图9(C)所示，在第一磁场发生停止信号STPl被设定在低电平且作为第一开关元件DSW52的晶体管TRl被切换为非导通状态后，第二磁场发生停止信号STP2被切换为高电平且作为第二开关元件SW51的晶体管TRl被切换为导通状态。
[0118]如上所述，第二实施方式的磁场发生装置50B不仅能够持续增大妨碍磁场的输出，还能够防止预读磁头39误检测磁场，并且能够以良好的响应性进行滑门38的开闭控制，进而即使在迅速插入卡片的情况下，也能够抑制卡片与滑门38碰撞(冲撞)的现象产生。
[0119][磁场发生装置的第三实施方式]
接下来，对第三实施方式所涉及的磁场发生装置进行说明。
图11为示出本发明的第三实施方式所涉及的磁场发生装置的磁场发生部以及驱动控制电路的电路图。
[0120]本第三实施方式所涉及的磁场发生装置50C与上述的第二实施方式所涉及的图9的磁场发生装置50B的不同点如下。在磁场发生装置50C的驱动控制电路52C中，由η沟道的场效应晶体管(作为FET的NMOS晶体管)TR1N形成图9中由放电驱动部的大功率的双极晶体管形成的npn型晶体管。同样，在驱动控制电路52C中，由作为η沟道的FET的NM0S(N型金属氧化物半导体)晶体管TR2n形成图9中的由驱动电源部的npn型晶体管形成的晶体管。
[0121]其他结构与第二实施方式相同，根据第三实施方式，能够获得与上述第二实施方式相同的效果。
[0122][读卡器的卡片吸入动作以及排出动作]
最后，作为一个例子，结合磁场发生装置50B的驱动时机来说明读卡器10的卡片MC的吸入动作以及排出动作。
[0123]首先，结合图12以及图13对吸入动作进行说明。
图12为用于说明吸入卡片时的动作的流程图。
图13为用于说明吸入卡片时的动作的图。
[0124]在此，在控制部40的控制下，在驱动磁场发生装置50B的驱动控制电路52B，并对盗取用磁头产生妨碍磁场的状态下(步骤STl)，如果使用者向卡片插入口311插入卡片MC(步骤ST2)，则由卡片检测传感器372检测已插入的卡片(步骤ST3)。该检测信息被提供给控制部40。控制部40中，如果检测到卡片MC插入，则接下来预读磁头39与形成于卡片MC的磁条mp滑动接触，从而读取写在磁条mp上的磁数据。此时，在控制部40为了防止剩余妨碍磁场在预读磁头39读取卡片MC的磁数据的实施磁检测时给磁检测带来影响，与上述的动作相同，停止产生磁场，释放驱动控制电路52B的谐振部511B的谐振能量(放电)，为此，以激活状态输出第一磁场发生停止信号STPl以及第二磁场发生停止信号STP2(步骤ST4、ST5)。在这种状态下，由卡片插入检测用的预读磁头39检测形成于已插入的卡片MC上的磁条(步骤ST6)。并且，根据该预读磁头39的检测信号，控制部40在规定时间驱动磁场发生装置50B的驱动控制电路52B，并产生妨碍磁场(步骤ST7)。并且，在产生妨碍磁场的状态下，控制部40打开滑门38(步骤ST8)，并起动驱动马达38(步骤ST9)，从而驱动包括吸入辊对331的搬运系统。
[0125]其结果是，能够将卡片MC吸入到内部。如果卡片MC超过滑门38的位置插入到里侧，则卡片的前端被吸入排出辊331衔住，从而开始卡片MC的吸入动作(步骤STlO)。
[0126]在此，在本例子中，在开始吸入卡片MC后，例如在卡片MC的后端从卡片插入口311突出的状态的期间，通过磁场发生装置50B产生妨碍磁场，并在之后停止产生妨碍磁场(步骤ST11)。能够通过自卡片插入检测用的预读磁头39的检测时刻起经过的时间、卡片检测传感器37等来管理妨碍磁场的产生时间。
[0127]接下来，在将卡片MC吸入到读取用的磁头31的位置后，由磁头34实施卡片MC的读取动作或写入动作(步骤ST12)。
[0128]像这样，在本例子的卡片MC的吸入动作中，在卡片MC的后端从卡片插入口311突出的时刻，产生妨碍磁场。其结果是，例如，如图13的假想线所示，即使在卡片插入口 311的外部侧位置，例如在上位装置的正面面板20的表面安装盗取用磁头60，也会因产生妨碍磁场而无法通过盗取用磁头61完全读取所插入的卡片MC的磁数据。由此，能够阻止这种盗取用磁头61不正当读取磁数据。
[0129]接下来，结合图14以及图15对排出动作进行说明。 图14为用于说明卡片排出时的动作的流程图。
图15为用于说明卡片排出时的动作的图。
[0130]在这种情况下，通过辊331、332、333，开始卡片MC的排出动作(步骤ST21)，如果卡片检测传感器37检测到所排出的卡片MC的排出方向的前端(步骤ST22)，则驱动磁场发生装置50B并产生妨碍磁场(步骤ST23)。
[0131]之后，如果光电传感器352检测到所排出的卡片MC的后端(步骤ST24)，则停止驱动马达36(步骤ST25)，并结束卡片排出动作。然后，控制部40停止驱动磁场发生装置50的驱动控制电路52B，并停止产生妨碍磁场(步骤ST26)。
[0132]在结束卡片排出动作的时刻，卡片MC的后端呈被搬运辊331衔住的状态。使用者轻轻拽一下卡片MC，就能够从卡片插入口 311取出卡片MC。另外，在使用者忘记取出卡片MC的情况下，在经过规定的时间后，能够驱动搬运辊对36将卡片MC回收到内部。
[0133]像这样，在本例子的读卡器10中，在排出卡片时，即使在卡片的排出侧的前端部分从卡片插入口311突出到外部的状态下，也会暂时产生妨碍磁场。因此，即使在正面面板表面安装盗取用磁头装置61，也能够阻止该盗取用磁头装置61读取所排出的卡片MC的磁数据。
[0134]另外，在本例子中，作为一个例子，在插入卡片时以及排出卡片时，在规定的期间内只驱动一次磁场发生装置50B，但也可是间歇驱动磁场发生装置50B两次以上的不同的实施方式。
[0135][实施方式的效果]
如上所述，在本实施方式中，能够获得以下的效果。
在本实施方式中，基本上具有LC并联谐振电路，所述LC并联谐振电路将作为电感器线圈L以及电容器C连接而形成，由该LC并联谐振电路根据谐振能量的特性在规定期间持续产生强磁场，其结果是增大了妨碍磁场的输出，并能够可靠地防止不正当获取磁数据。也就是说，即使不法行为者为了读取卡片的磁数据而在正面面板的外部侧且读卡器的卡片插入口安装包括盗取用磁头和磁读取电路的所谓盗取用磁头装置(窃取器)60，也能够产生强磁场，来增大妨碍磁场的输出，从而能够可靠地防止不正当获取磁数据。