磁头及磁盘装置的制造方法
【专利摘要】本发明的实施方式提供一种可提高向磁盘的写入品质的磁头及磁盘装置。实施方式的磁头(15)与磁记录介质(12)相对配置，磁记录介质(12)具有在与介质面大致垂直的方向上具有磁各向异性的记录层，磁头包括：主磁极(154c)，其包含软磁性材料；磁轭(154a)，其配置成与主磁极接合；线圈(154b)，其绕磁轭的一部分缠绕；光照射部(155b)，其相对于主磁极配置在磁头的行进方向上，向记录层照射光；导光路(155a)，其向光照射部引导光；以及距离调整部(156)，其调整主磁极与光照射部之间的、在磁头的行进方向上的距离。
【专利说明】磁头及磁盘装置
[0001]关联申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2014 — 179487号(申请日:2014年9月3日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。
技术领域
[0003]本实施方式涉及磁头及磁盘装置。
【背景技术】
[0004]以往，公知有搭载有利用近场光(near-field light)对具有高保磁力的磁盘进行热辅助磁记录的磁头的磁盘装置。在这样的装置中，在该磁头中，配置有产生近场光的近场光产生元件和对磁盘进行数据写入的主磁极。这样的装置中，在对磁盘进行数据写入时，借助由近场光产生元件所产生的近场光而临时对磁盘进行局部加热，对通过加热而减弱了保磁力的磁盘的区域写入数据。由此，可实现磁盘的记录密度的高密度化。近年来，在这样的磁盘装置中，希望进一步提尚对磁盘与入的与入品质。
【发明内容】
[0005]本发明的实施方式提供一种能够提高对磁盘的写入品质的磁头及磁盘装置。
[0006]根据一种实施方式，磁头与磁记录介质相对配置，磁记录介质具有在与介质面大致垂直的方向上具有磁各向异性的记录层。磁头包括主磁极、磁轭、线圈、光照射部、导光路和距离调整部。主磁极包含软磁性材料。磁轭配置成与主磁极接合。线圈绕磁轭的一部分缠绕。光照射部相对于主磁极配置在磁头的行进方向上，向记录层照射光。导光路向光照射部引导光。距离调整部调整主磁极与光照射部之间的、在磁头的行进方向上的距离。
【附图说明】
[0007]图1是表示第一实施方式涉及的磁盘装置的硬件构成的框图。
[0008]图2是第一实施方式涉及的磁头的剖视图。
[0009]图3是从磁头的浮起面侧观察第一实施方式涉及的磁头的一部分的图。
[0010]图4(a)?(e)是用于说明第一实施方式涉及的、在改变主磁极与近场光产生部之间的距离之前的信号写入位置的图。
[0011]图5(a)及(b)是用于说明第一实施方式涉及的、在改变主磁极与近场光产生部之间的距离之后的信号写入位置的图。
[0012]图6是表示第一实施方式涉及的、由MPU实现的功能构成和ROM的内部构成的框图。
[0013]图7是表示第一实施方式涉及的压电电压设定处理的流程图。
[0014]图8是表示第一实施方式涉及的数据写入处理的流程图。
[0015]图9是表示第二实施方式涉及的磁头的剖视图。
【具体实施方式】
[0016]以下，参照附图详细说明实施方式涉及的磁头及磁盘装置。此外，本发明并不限定于这些实施方式。
[0017](第一实施方式)
[0018]基于图1至图8说明第一实施方式。图1是表示本实施方式的磁盘装置I的硬件构成的图。磁盘装置I具备盘盒(disk enclosure) Ia和电路基板lb。
[0019]盘盒Ia具备:壳体11、磁盘12、主轴13、SPM(主轴电机)14、磁头15、滑块16、悬架17、臂致动器18、VCM(音圈马达)19和头IC(integrated chip (集成芯片))20。另外，电路基板Ib具备电机驱动器IC21和SoC (system — on — a — chip) 22。此外，在图1中为了简化说明，将头IC20配置于壳体11的外部，但实际上头IC20配置于臂致动器18的预定部位。
[0020]磁盘12是记录各种信息的圆盘状的记录介质，被构成为能够以PMR(perpendicular magnetic recording)方式(垂直磁记录方式)写入。磁盘12具有在与磁盘12的介质面大致垂直的方向具有磁各向异性的记录层。并且，磁记录层的磁性体通过由后述的磁头15施加的磁场而被向与磁盘12的表面(介质面)大致垂直的方向磁化。另外，磁盘12的磁记录层使用在常温下具有高保磁力的材料。
[0021]磁盘12经由主轴13以可旋转的方式固定于壳体11。SPM14通过对主轴赋予旋转力而间接地使磁盘12旋转。
[0022]关于磁头15，详细情况将后述，其构成为对磁盘12进行信号和/或数据的读写。磁头15设置在滑块16的长度方向的端部，该滑块16会受到由于磁盘12的旋转所产生的空气流而在磁盘12上浮起。滑块16经由允许其浮起的悬架17而连接于臂致动器18。臂致动器18通过VCM19在沿着磁盘12的记录面的方向上滑动。由此，磁头15能够对磁盘12的任意部位进行信号和/或数据的读写。
[0023]头IC20与磁头15及SoC22电连接。头IC20将通过磁头15从磁盘12读取的信号和/或数据放大，并输出到后述的SoC22。另外，头IC20将从SoC22输出的信号和/或数据放大，向磁头15输出。进而，头IC20将后述的测试电压和/或压电电压向磁头15输出。
[0024]电机驱动器IC21与SPM14和VCM19、以及SoC22连接。电机驱动器IC21根据来自SoC22的控制信号来控制SPM14及VCM19，控制磁头15相对于磁盘12的定位。
[0025]SoC22 具备:MPU (micro processing unit，微处理器)221、RAM (random accessmemory，随机存取存储器)222、R0M(read only memory，只读存储器)223、R/W(read write，读写)通道 224 和 HDC (hard disc controller，硬盘控制器)225。
[0026]MPU221 连接于电机驱动器 IC21、RAM222、R0M223、R/W 通道 224 和 HDC225。MPU221控制磁盘装置I的各部的动作。具体而言，MPU221通过依次读出R0M223所保存的固件和/或各种应用程序并予以执行，来控制磁盘装置I的各部的动作。R0M223保存固件和/或各种应用程序、以及执行它们所需的各种数据。RAM222作为磁盘装置I的主存储器，提供MPU221执行固件和/或应用程序时的作业区域。
[0027]R/W通道224连接于MPU22UHDC225和头IC20。R/W通道224对从HDC225输出的数据进行预定的信号处理，并向头IC20输出。另外，R/W通道224将由MPU221生成的测试信号向头IC20输出。另外，R/W通道224生成光闸(X卜欠一卜)信号并向头IC20输出。另外，R/W通道224向头IC20指示后述的测试电压和/或压电电压的输出。另外，R/W通道224对从头IC20输出的信号和/或数据进行预定的信号处理，并输出到HDC225和/或 MPU221。
[0028]HDC225连接于MPU22UR/W通道224和未图示的主机计算机。HDC225构成与主机计算机的接口，将从主机计算机接收到的数据输出到R/W通道224，另外将从R/W通道224接收到的数据向主机计算机输出。
[0029]接着，基于图2至图3说明磁头15的构成。图2是磁头15的XY面的剖视图。另夕卜，图3是从磁盘12侧观察磁头15的与磁盘12相对一面的一部分的俯视图。此外，在此所述的头行进方向是指通过磁盘12的旋转而磁头15相对于磁盘12相对移动的方向，是图2及图3中的+X方向。此外，图2所示的X轴、Y轴及Z轴彼此正交，图3所示的X轴、Y轴及Z轴彼此正交，图2所示的X轴、Y轴及Z轴与图3所示的X轴、Y轴及Z轴分别对应。另夕卜，在以下的说明中，将磁头15的与磁盘12相对的一面称为磁头15的浮起面F。另外，虽然省略了图示，磁头的浮起面F整体被例如ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)树脂等的保护膜覆盖。
[0030]最初，参照图2说明磁头15的构成。此外，图2也是用图3所示的剖切线A — A剖切磁头15而得到的剖视图。如图2所示，磁头15大致包括:构成为可读取磁盘12中所写入的信号和/或数据的再生部15a ;和构成为可对磁盘12写入信号和/或数据的记录部15b。
[0031]再生部15a具备再生元件151和2个屏蔽件152、153。再生元件151在X轴方向上配置于2个屏蔽件152、153之间。另外，再生元件151的至少一部分隔着未图示的保护膜而露出于浮起面F。再生元件151是TMR(tunnel magneto 一 resistance，隧道磁电阻)元件，通过感应电流来读取在磁盘12所写入的信号和/或数据。2个屏蔽件152、153作为磁屏蔽件发挥作用，并作为向再生元件151供给感应电流的电极发挥作用。在各屏蔽件152、153连接有未图示的布线，从头IC20施加用于对再生元件151供给感应电流的电压。此外，在本实施方式中，作为再生元件151以TMR元件为例进行了说明，但本实施方式不限于此，例如可以是GMR(giant magneto 一 resistance，巨磁电阻)元件等，只要是能够读取磁盘12中所写入的数据的元件即可，可以采用任意构成。
[0032]记录部15b具备磁芯部154、光产生部155、压电元件部156、磁极位置控制部157、散热部158和硬性构件159。
[0033]磁芯部154具备磁轭154a、线圈154b和主磁极154c。
[0034]磁轭154a由分别由高饱和密度材料形成的前部磁轭(leading yoke) 154al及后部磁轭(trailing yoke) 154a2而形成为一体。前部磁轭154al在图2所示的磁头15的截面具有大致倒F字形状。后部磁轭154a2在图2所示的磁头15的截面具有使前部磁轭154al的大致倒F字形状绕Y轴旋转180°而成的形状。前部磁轭154al和后部磁轭154a2彼此相对配置，在Y轴方向的中央部分(接近线圈154b的缠绕中心的部分)彼此连接。前部磁轭154al的位于浮起面F侧的顶端部隔着保护膜露出于浮起面F。后部磁轭154a2的位于浮起面F侧的顶端部被后述的压电元件部156覆盖。此外，本实施方式的前部磁轭154al及后部磁轭154a2可以使用彼此相同的材料形成，也可以使用不同材料形成。
[0035]线圈154b绕后部磁轭154a2的Y轴方向的中央部分缠绕。该线圈154b经由未图示的布线而连接于头IC20，借助从头IC20输出的电流而由磁轭154a产生磁场。由线圈154b产生的磁场被从主磁极154c以与磁盘12的磁记录面大致垂直的方式施加于磁盘12。
[0036]主磁极154c在后部磁轭154a2的位于浮起面F侧的顶端部的头行进方向前方，与后部磁轭154a2相邻配置。主磁极154c隔着保护膜露出于浮起面F。主磁极154c与后部磁轭154a2不同，由高Bs材料形成。
[0037]光产生部155具备导光路155a和光照射部155b。
[0038]导光路155a在浮起面F的近旁在X轴方向上配置于光照射部155b与硬性构件159之间。另外，导光路155a从浮起面F的近旁向图2中的+Y方向延伸而与光源连接，将从光源供给的光(例如激光)向光照射部155b引导。此外，导光路155a的浮起面侧的端部配置成在+Y方向从浮起面F离开。
[0039]光照射部155b在浮起面F的近旁，相对于主磁极154c被配置在头行进方向的前方。更具体而言，光照射部155b在X轴方向上配置在后述的散热部158与导光路155a之间。该光照射部155b具有长度为从光源供给的光的波长以下的开口部，通过从导光路155a导入的光而在开口部周边形成近场光。并且，光照射部155b将所形成的近场光局部照射于磁盘12。S卩，光照射部155b产生近场光。由此，对于被局部照射了近场光的部位，对利用由主磁极154c产生的磁场进行的对磁盘12的信号和/或数据的写入进行辅助。此外，导光路155a被配置成相对于浮起面F向离开磁盘12的方向上从浮起面F离开(相对于浮起面F凹陷)。
[0040]压电兀件部156具备压电兀件156a、两个压电电极156b、156c和两个压电端子156d、156e。
[0041]两个压电电极156b、156c相对于压电兀件156a分别配置在X轴方向的两端部，作为用于对压电元件156a施加电压的电极发挥作用。
[0042]两个压电端子156d、156e分别与电极156b、156c连接，经由未图示的布线而连接于头IC20。
[0043]压电元件156a以其长度方向沿着X轴方向的方式配置在浮起面F上。另外，压电元件156a相对于主磁极154c配置在头行进方向的后方。此外，在本实施方式中，压电元件(匕。工'/素子)156a是压电元件(圧電素子)。压电元件156a按照来自头IC20的指示而经由压电电极156b、156c施加电压，由此在其长度方向伸长。其结果，压电元件156a向头行进方向推压主磁极154c。换言之，压电元件156a能够使主磁极154c向+X方向移动。也就是说，压电元件部156在头行进方向上调整主磁极154c与光照射部155b之间的距离。
[0044]磁极位置控制部157在浮起面F的近旁，在X轴方向上配置于主磁极154c与散热部158之间。磁极位置控制部157例如由Si02和/或LiAlSi04等形成，具有负的热膨胀率。此外，在本实施方式中，说明了磁极位置控制部157因在向磁盘12进行数据写入时的主磁极154c周边的发热而收缩的例子，但本实施方式不限于此。
[0045]散热部158在浮起面F的近旁，X轴方向上配置在磁极位置控制部157与光照射部155b之间。散热部158例如由金(Au)和/或铜(Cu)等高传热导体形成，例如将由在光照射部155b产生的近场光所致的多余热量向外部散热。
[0046]硬性构件159在浮起面F的近旁，相对于光照射部155b而言配置在头行进方向的前方。另外，硬性构件159从浮起面F的近旁向图2中的+Y方向延伸。硬性构件159例如由低热膨胀材料形成，这是为了在通过压电元件156a的伸长使主磁极154c的位置向头行进方向变动时，利用硬性构件159防止光照射部155b的位置被向头行进方向推压而变动。
[0047]接着，说明浮起面F处的磁头的主要构成的配置。如图3所示，磁头15中，在其浮起面F，从磁头15的头行进方向的后方朝向前方，依次配置有压电端子156d、压电电极156b、压电元件156a、压电电极156c、主磁极154c、磁极位置控制部157、散热部158、光照射部155b、硬性构件159和前部磁轭154al。在此，在光照射部155b与硬性构件159之间配置有导光路155a，但由于导光路155a从浮起面F凹陷，因此在浮起面F上未显现出导光路155a0
[0048]另外，在安装了利用近场光进行热辅助磁记录的磁头的磁盘装置中，考虑基于近场光的加热与施加磁场的时机而配置近场光产生元件和主磁极。然而，由于磁盘装置的制造时的误差和/或磁盘的保磁力的微妙区别等，存在在温度分布的梯度陡峭的位置无法施加磁场的情况。
[0049]图4是用于说明由于磁盘装置的制造时的误差等而主磁极154c与光照射部155b离开地配置，在磁盘12的表面温度的温度分布的梯度陡峭的位置无法施加磁场的例子的图。在该例中，如图4(a)所示，在头行进方向上，光照射部155b的位置xl与主磁极154c的位置x2离开了距离dl。
[0050]图4(b)是将由图4(a)所示的光照射部155b加热后的磁盘12的表面温度的温度分布作为曲线H而示出的图。另外，图4(c)是将由于加热而减弱了保磁力的磁盘12的磁性体磁化所需的磁场强度(以下，称为反转必要磁场强度)的分布作为曲线I而示出的图。另外，图4(d)是将主磁极154c所形成的写入时的磁场强度的分布作为曲线J而示出的图。图4(e)是用同一图示出曲线I和曲线J的图。此外，图4(a)至(e)中的X轴方向的位置彼此对应。
[0051]从图4明确可知，由光照射部155b加热后的磁盘的反转必要磁场强度的分布是图4(c)的曲线I，主磁极154c所形成的写入时的磁场强度的分布为图4(d)的曲线J。因此，在主磁极154c和光照射部155b具有图4(a)所不的位置关系时，关于写入时的磁场，如图4(e)所示，与反转必要磁场强度的分布(曲线I)的梯度为最陡峭的梯度相比，在具有比较平缓的梯度的位置A施加写入时的磁场。其结果，存在信噪比和/或比特错误率等的数据写入时的品质降低的隐患。
[0052]因此，在本实施方式中，在磁盘装置组装后、出厂前进行的测试等中，利用压电元件部156调整主磁极154c与光照射部155b之间的距离。由此，可以在磁盘12的表面温度的温度分布的梯度陡峭的位置施加磁场。
[0053]图5是用于说明利用压电元件部156调整了主磁极154c与光照射部155b之间的距离后的例子的图。在该例中，如图5(a)所示，位于x2的虚线所示的距离调整前的主磁极154c向头行进方向(图5(a)的箭头方向)移动到x3，主磁极154c与光照射部155b之间的距离改变为d2。其结果，如图5(b)所示，关于写入时的磁场，能够在反转必要磁场强度的分布(曲线K)的梯度与其他位置的梯度相比、比较陡峭的位置B施加写入时的磁场。由此，能够提高信噪比和/或比特错误率等的数据写入时的品质。此外，图5b中的曲线K是由光照射部155b加热后的磁盘的反转必要磁场强度的分布。另外，图5b中的曲线L是主磁极154c所形成的写入时的磁场强度的分布。
[0054]接着，说明在执行用于调整主磁极154c与光照射部155b之间的距离的处理(以下，称为压电电压设定处理)时由MPU221所实现的功能、和该处理时所参照的R0M223的各部。通过保存于R0M223的程序来执行压电电压设定处理。
[0055]MPU221通过执行R0M223中保存的程序，实现图6所示的各功能(测试信号生成部2211、光闸控制部2212、压电电压控制部2213、R/W控制部2214、比特错误率运算部2215、比较运算部2216)。换言之，MPU221具备图6所示的多个功能部。另外，R0M223包括压电电压保存部2231、压电电压.比特错误率保存部2232和信号保存部2233。在压电电压保存部2231预先保持有例如在磁盘装置I的制造时确定的多个候选电压值。在压电电压保存部2231保存有由压电电压设定处理特定的压电电压。测试电压值和比特错误率相关联地保存于测试电压.比特错误率保存部2232。另外，从磁盘12读取到的测试信号保存于信号保存部2233。
[0056]测试信号生成部2211在特定压电电压时，生成试验性写入磁盘12的预定的测试信号。光闸控制部2212控制基于R/W通道152的光闸信号的输出。压电电压控制部2213进行从压电电压保存部2231获取候选电压值和/或压电电压值、并将与这些电压值相应的电压施加于压电元件部156的控制。R/W控制部2214进行将由测试信号生成部2211生成的测试信号写入磁盘12的控制。另外，R/W控制部2214进行读出写入了磁盘12的测试信号并保存于信号保存部2233的控制。另外，比特错误率运算部2215对在信号保存部2233所保存的测试信号计算比特错误率。另外，比特错误率运算部2215将计算出的比特错误率与在写入对应的测试信号时所用的候选电压值相关联地保存于压电电压.比特错误率保存部2232。比较运算部2216将在压电电压?比特错误率保存部2232中保存的多个比特错误率相互比较，将与最低比特错误率相关联的候选电压值特定为压电电压值，将其保存于压电电压保存部2231。
[0057]接着，参照图7说明压电电压设定处理的流程。图7是压电电压设定处理的流程图。首先，测试信号生成部2211生成测试信号(S1001)。光闸控制部2212控制R/W通道152而打开光闸(S1002)。
[0058]接着，压电电压控制部2213参照压电电压保存部2231，获取所保存的多个候选电压值中的任一个作为测试电压值，基于获取到的电压值控制压电元件部156的驱动(S1003)ο
[0059]接着，R/W控制部2214控制对磁盘12的测试信号的写入(S1004)。具体而言，R/W控制部2214进行根据由测试信号生成部2211生成的测试信号来向磁头15的线圈154b流入电流的控制。然后，R/W控制部2214判断对磁盘12的测试信号的写入是否已完成(S1005) ο在判断为测试信号的写入未完成的情况下(否:S1005)，R/W控制部2214重复进行S1005的处理直到测试信号的写入完成。另一方面，在判断为测试信号的写入已完成的情况下(是:S1005)，光闸控制部2212关闭光闸(S1006)。
[0060]接着，R/W控制部2214进行读出在磁盘12所写入的测试信号的控制(S1007)。然后，R/W控制部2214将所读出的测试信号保存于信号保存部2233(S1008)。其后，比特错误率运算部2215从信号保存部2233获取测试信号，基于所获取的测试信号算出比特错误率(S1009)。另外，比特错误率运算部2215，将向磁盘12写入在S1009计算出比特错误率的测试信号时所使用的测试电压值，与在S1009计算出的比特错误率相关联地保存于测试电压.比特错误率保存部2232 (SlOlO)。
[0061]接着，比较运算部2216判断是否使用了在压电电压保存部2231中保存的多个候选电压值的全部值进行了测试信号的写入(SlOll)。在判断为未使用候选电压值的全部值进行了测试信号的写入的情况下(否:S1011)，压电电压控制部2213将压电电压保存部2231中保存的候选电压值中的尚未测试的候选电压值设定为测试电压值(S卩，改变测试电压)(S1012)，重复从S1003开始的处理。
[0062]另一方面，比较运算部2216在判断为使用了在压电电压保存部2231中保存的多个候选电压值的全部值进行了测试信号的写入的情况下(是:S1011)，比较在测试电压?比特错误率保存部2232中保存的比特错误率，将与最低的比特错误率相关联的候选电压值特定为压电电压值(S1013)。然后，比较运算部2216将特定的压电电压值保存于压电电压保存部2231 (S1014)。由此，结束压电电压设定处理。
[0063]接着，参照图8说明使用由压电电压设定处理设定的压电电压值来写入数据时的处理。图8是使用所保存的压电电压值的数据写入处理的流程图。此外，在此所述的数据的写入处理是指将从个人计算机等指示了写入的用户数据写入磁盘的处理。
[0064]最初，MPU221进行打开光闸的控制(S1021)。接着MPU221进行如下控制:获取压电电压设定处理的结果、保存于压电电压保存部2231的压电电压值，并将与获取到的压电电压值相应的电压施加于压电元件部156(S1022)。由此，在头行进方向上调整主磁极154c与光照射部155b之间的距离。
[0065]接着，MPU221控制对磁盘12的预定数据的写入(S1023)。具体而言，MPU221进行将利用HDC225从主机计算机接收到的预定数据写入磁盘12的控制。其后，MPU221判断数据的写入是否已完成(S1024)。其结果，在判断为数据的写入未完成的情况下(否:S1024)，重复进行S1024的处理直到数据的写入完成。
[0066]另一方面，在判断为数据的写入已完成的情况下(是:S1024)，MPU221进行关闭光闸的控制(S1025)，结束处理。
[0067]如此，根据第一实施方式的磁盘装置1，在磁头15具备可调整主磁极154c与光照射部155b之间的距离的压电元件部156。由此，可以在磁盘12的表面温度的温度分布的梯度陡峭的位置施加磁场，可获得能够提高信噪比和/或比特错误率等的对磁盘的写入品质这一效果。
[0068](第二实施方式)
[0069]接着，基于图9说明第二实施方式。图9是第二实施方式的磁头25的剖视图。本实施方式的磁头25与第一实施方式的磁头15的不同点在于，压电元件部300的至少一部分在向+Y方向上配置在从浮起面F离开的位置。因而，在以下的说明中，对与第一实施方式相同的部分用相同符号表不，并省略说明。
[0070]如图9所示，磁头25在与磁盘12相对的一侧，具备大致平坦的浮起面F和位于在+Y方向上从浮起面F离开的位置的大致平坦的面G。换言之，磁头25在图9的剖视下，在头行进方向的后端具有凹部。并且，压电元件部300中的至少一部分配置在面G上。另外，该凹部被ABS等保护膜400填充。保护膜400的浮起面侧与主磁极154c和/或光照射部155b等的浮起面侧都形成为大致平坦。[0071 ] 如此，根据第二实施方式的磁盘装置，在磁头25具备可调整主磁极154c与光照射部155b之间的距离的压电元件部300。由此，可以在磁盘12的表面温度的温度分布的梯度陡峭的位置施加磁场，可获得能够提高信噪比和/或比特错误率等的对磁盘的写入品质这一效果。
[0072]另外，根据第二实施方式，将压电元件部300的一部分配置成在离开磁盘12的方向上从浮起面F离开，在该浮起面侧设置保护膜400，由此利用保护膜400来保护压电元件部300的一部分。由此，可获得能够保护较容易腐蚀的压电电极等这一效果。
[0073]在第一及第二实施方式中，说明了在磁盘装置组装后、磁盘装置出厂前的测试时进行压电电压设定处理的情况。但是，本实施方式不限于此，也可以在磁盘装置出厂后进行压电电压设定处理。由此，即使在由于例如压电元件的经年劣化等而利用磁盘装置出厂设定的压电电压无法适当地维持主磁极与近场光产生部之间的距离的情况下，也能重新设定适当的压电电压。
[0074]另外，在第一及第二实施方式中，说明了作为调整主磁极与近场光产生部之间的距离的构成而使用压电元件的情况。但是，本实施方式不限于此，只要是能够调整主磁极与近场光产生部之间的距离的构成、例如任意的压电元件和/或电流驱动的元件等，可以采用任意的构成。
[0075]另外，在第一及第二实施方式中，说明了通过对压电元件施加电压来缩短主磁极与近场光产生部之间的距离的情况。但是，本实施方式不限于此，只要是能够将主磁极与近场光产生部之间的距离调整为可提高写入品质的距离的构成、例如加长主磁极与近场光产生部之间的距离等，可以采用任意的构成。
[0076]另外，在第一及第二实施方式中，说明了 MPU通过执行ROM中保存的程序而具备测试信号生成部、光闸控制部、压电电压控制部、R/W控制部、比特错误率运算部、比较运算部(以下，称为测试信号生成部等)的各部的例子。但是，本实施方式不限于此，测试信号生成部等中的至少任一个可以构成为与MPU不同的1C。
[0077]另外，在第一及第二实施方式中，说明了基于测试信号计算比特错误率、基于比特错误率设定压电电压的例子。但是，本实施方式不限于此，可以构成为:只要是例如HSC等、可验证测试信号的写入品质的值，可计算任意的值。
[0078]说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而示出，并不意图限定发明的保护范围。这些新实施方式可以用其他各种形态来实施，在不脱离发明要旨的范围内可进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形也包含于发明的保护范围和/或要旨，并包含于权利要求书记载的发明和其等同的范围内。
【主权项】
1.一种磁头，与磁记录介质相对配置，所述磁记录介质具有在与介质面大致垂直的方向上具有磁各向异性的记录层，所述磁头具备: 主磁极，其包含软磁性材料； 磁轭，其配置成与所述主磁极接合； 线圈，其绕所述磁轭的一部分缠绕； 光照射部，其相对于所述主磁极配置在所述磁头的行进方向，向所述记录层照射光； 导光路，其向所述光照射部引导光；以及 距离调整部，其调整所述主磁极与所述光照射部之间的、所述磁头的行进方向上的距离。2.根据权利要求1所述的磁头， 所述光照射部，相对于所述主磁极配置在所述磁头的行进方向的前方， 所述距离调整部，相对于所述主磁极配置在所述磁头的行进方向的后方。3.根据权利要求1所述的磁头， 所述磁头还具备磁极位置控制部，所述磁极位置控制部具有负的热膨胀系数，配置在所述主磁极与所述光照射部之间。4.根据权利要求1所述的磁头， 所述磁头还具备硬性构件，所述硬性构件相对于所述光照射部配置在所述磁头的行进方向的前方，由低热膨胀材料构成。5.根据权利要求1所述的磁头， 所述距离调整部是压电元件。6.根据权利要求1所述的磁头， 所述光照射部基于从所述磁头的外部导入的激光而产生近场光。7.根据权利要求1所述的磁头， 所述磁头在与所述磁记录介质相对的一侧，具有大致平坦的第一面、和位于在离开所述磁记录介质的方向上从所述第一面离开的位置的大致平坦的第二面， 所述主磁极、所述光照射部以及所述距离调整部的一部分分别配置于所述第一面上， 所述距离调整部的另一部分配置在所述第二面上。8.根据权利要求7所述的磁头， 所述磁头还具备保护膜，所述保护膜在所述磁头的与所述磁记录介质相对的一侧覆盖所述第二面， 所述保护膜的与所述磁记录介质相对的面，与所述第一面一起形成大致平坦的面。9.一种磁盘装置，具备: 磁记录介质；和 权利要求1?8中任一项所述的磁头。10.根据权利要求9所述的磁盘装置， 所述磁盘装置还具备存储部和控制器， 在所述存储部中，保存有与再生信号相关的信息， 所述控制器，基于在所述存储部中保存的所述信息来控制所述距离调整部，由此在头行进方向上调整所述主磁极与所述光照射部之间的距离。
【文档编号】G11B5/56GK105989855SQ201510087766
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月26日
【发明人】井贝敏幸, 田口知子, 青木健郎, 青木健一郎
【申请人】株式会社东芝