专利名称：用以检测浮渣/封闭接触孔和线路的cd－sem信号分析的制作方法
技术领域：
本发明领域涉及半导体的处理，尤其是结合光刻法(lithography)工艺来检测有浮渣或部分有开口的圆片线路和接点的系统及方法。
要求相邻部件间具有紧密间隙的细小部件就要求有高分辨率的光刻法工艺。一般，光刻法指在多种不同的介质中进行图案转移(patterntransfer)的工艺。此技术使用在集成电路的制造中，其中如硅片、圆片被均匀涂覆上一层辐射敏感膜即抗蚀剂，并以曝光源(如可见光、X射线等)经由用于特定图案的一中介主模板即掩模而照射表面上选定区域。光刻法涂层通常是适于接收该图案的投射图像的辐射敏感涂层。一旦投射图像后，即在涂层中形成不能消除的图像。该投射图像可能是该图案的正或负图像。经光掩模使涂层曝光，使得图像区域变得更容易或更不易被特定的溶剂显影剂溶解(依涂层而定)。在显影处理过程中将更容易溶解的区域去除，从而在涂层上留下较不容易溶解的聚合物而形成图案图像。
由于曝光到光致抗蚀剂上的图案极微细，通常使用扫描电子显微镜(SEM)以分析且测量得自光刻法工艺的极重要尺寸(CriticalDimesion)。极重要尺寸包含跨圆片的最小特征尺寸，如线路宽度、间隔及接点尺寸。虽然SEM在提供涉及圆片的极重要尺寸的定量测量信息上相当有效，但在提供涉及工艺相关问题的质量分析信息上则效果不彰。
特别与工艺有关的问题为所谓的浮渣(scumming)，且一般与图像图案的分辨率有关，而发生在负或正的光阻剂上。当一特征曝光不足、聚焦不明、或仅仅太小而无法印刷(例如光掩模缺陷或异常测试结构)，则可能发生浮渣的现象。由于上述分辨率的问题，无法良好地界定出线路边缘，而在线路之间或在接触孔内可能发生浮渣现象。结果将在线路之间及接触开口内的区域只有部分开放。
传统上用于测量圆片的极重要尺寸的分析CD-SEM系统通常无法检测到有浮渣或只有部分开放的线路或接触开口。因此，没有处理好的圆片仍然可以量出适当的极重要尺寸，而避开浮渣线路与接点的检测。例如，一个有浮渣的接点开口可能测量成为接点开口的宽度。甚至即使接触开口只有部分打开，传统的CD-SEM系统通常也显示适当的宽度尺寸，尽管该接触开口事实上是有缺陷的。
因此，需要有一种系统和/或方法，其可实际上增加在测量极重要尺寸时，检测到浮渣线路及接触开口的机率。
更具体言之，本发明的系统对由测量极重要尺寸时所收到的信号进行曲线拟合分析。已发现有浮渣的线路和接点在接收信号的一部分上产生一曲线或一般为非线性的信号响应。与此相比，正常制造的圆片提供大体平坦的信号响应。数学回归分析法(mathematical regressionanalysis)提供了一种用以确定测量信号中的曲率大小及平滑度的方法，从而通过确定是否在测量极重要尺寸时信号中的一部分大于曲率的预定阈值，即可检测出有浮渣的线路及接点。应注意本文所公开的本发明实质上可应用在基于圆片表面的扫描及测量而提供形状信号的任何系统。
为实现上述目的与相关目的，本发明的特征将于下文中详细说明。以下所提出的说明及其附图将详细说明本发明的实施例。但是，这些实施例仅是实现本发明的原理的多种不同方法中的数种。通过以下说明并参考附图，本发明的特征及新颖特性即会变得显而易见。
图1b是根据本发明的无浮渣圆片及相应信号的示意图。
图1c是根据本发明的有浮渣圆片及相应信号的示意图。
图2是示范性CD-SEM系统的示意方块图，用于根据本发明来确定浮渣。
图3为根据本发明的检测系统的更详细示意方块图。
图4a至4b表示根据本发明的大致平坦的及曲线的信号。
图4c至4d表示根据本发明的大致平坦的及曲线的信号数据；而图5为说明用于执行本发明的方法理论的流程图。
发明实施方案现参照
本发明如下，各附图中相同的标记编号表示相同组件。
本发明提出一系统及方法，用以检测处理不良和/或在处理膜中有浮渣的线路与接点。最好将该系统配置在软件系统中，作为极重要尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)的一部分。该软件系统同时使用极重要尺寸(CD)算法(algoritbm)分析SEM信号，因此实际上不会在该系统通量中产生任何损失。虽然本发明参考CD-SEM系统而加以说明，但应理解，以下所说明的系统及方法实际上可用于任何分析系统，只要此系统基于测量表面的几何和/或外形而提供一有形信号即可。
首先参照图1a，其中显示一印刷圆片10的剖面图。经印刷处理后，薄膜层上的两条线路16a及16b仍然与基底层16相接触。图中显示通常由SEM或者类似系统所测量的圆片10的各种极重要尺寸，以说明用于形成多种不同部件的光刻法工艺的功效。例如尺寸16c显示线路16a的线路宽度测量。尺寸16d显示在线路16a及16d之间的开放接触区域或空间，而节距尺寸16e一般表示在基底16上的线路密度。圆片10显示一经过适当溶解的(properly resolved)集成电路中的一部分，其中在线路16a及16b之间或近该两者处没有任何浮渣。结果，清楚地界定了接近线路16a及16b处的边缘17，而且在这些线路之间的空间实际上是开放的。
现参照图1b，SEM信号18表示圆片10b中适当溶解部分的空间16d的表面测量。传统的SEM系统可能测量到空间16d的极重要尺寸为例如1.8微米。在该空间16d的极重要尺寸测量期间，当在线路16a及16b之间的空间或区域16d实际上开放时，将收到SEM信号18中大体平坦的部分18a。再参照图1c，图中显示的圆片10c有一浮渣19位在线路16a及16b之间。从空间16d的测量中显示一SEM信号18b。与图1b中的信号18比照下，当执行极重要尺寸测量时，该图中显示出大体为曲线的区域18c，并显示浮渣19。不过，虽然区域16d只有一部分开放，以传统的SEM系统测量的浮渣线路及空间时可能判断为可接受的极重要尺寸。例如，图1b所示来自信号18的检测信号宽度与图1c中所示来自信号16b的信号宽度实质上类同。因此，传统的SEM系统可以检测出一接触孔的存在却无法提供与接触孔质量有关的信息。结果，传统的SEM信号经常无法检测出溶解不良接触孔的存在。如果未测出存在浮渣，则可能发生集成电路性能的失效。因此，本发明在极重要尺寸测量期间完成以信号为基础的分析，以确定由光刻法工艺所产生的下层圆片中潜在的缺陷。
现参照图2，其中显示根据本发明用于检测有浮渣线路及接触孔的CD-SEM系统20。该系统包含用于收容一个圆片26的小室24。从电磁透镜30指向圆片26发射电子束28。由电源32所提供的高电压配合电子束产生系统34而产生电子束28，该电子束产生系统34包含一发射组件34a。电子束产生系统34中多种不同的指向、聚焦、及扫描组件(图中未示)，使得从发射组件34a发射的电子束被引导到电磁透镜30。该电子束粒子的能量从500eV加速到40KeV。当电子束28撞击圆片26的表面时，发射电子束及X射线，该电子束为检测器36所检测而提供给检测系统38。该检测系统38提供数字化的检测信号给一处理系统44，以根据本发明完成传统的极重要尺寸测量及信号分析。
从圆片26表面上发射而对极重要尺寸成像最有用的电子一般熟知为二次电子，而且该电子提供为检测器36所接收的实质量(substantialamount)的信号电流。由处理系统44将极重要尺寸图像提供给显示器40。除了检测系统38所接收的分析数据以外，处理系统44使显示器40的扫描与圆片26的电子束扫描同步以提供该图像。所显示图像的对比度与到达检测器36的电子流的变化有关，且与来自圆片26表面的发射电子及来自电子束28的入射电子的产量有关。
图2所示的圆片26显示圆片的蚀刻部位的剖视图，包含两条线路26a及26b。在一经过适当溶解的圆片中，在线路26a及26b之间的区域实质上不存在任何浮渣。但是如图2所示，在线路26a及26b之间仍然有浮渣残余物26c存在。如同以下加以更详细说明的那样，当该圆片的区域中存在有浮渣时，大致呈曲线的电子信号将从检测器36提供给检测系统38。反之，当邻近线路26a及26b的区域实质上为开放时，检测及测量系统38将接收到大体平坦的或矩形的信号。
检测系统38接受自圆片表面经由检测器36而来的发射电子，且最好将该信号数字化，以便用于处理系统44。另外，检测系统38也对于该接收信号进行滤波或其它信号处理，此将于下文中更详细地加以说明。该处理系统44提供极重要尺寸信息给显示器40和/或在存储器46中储存信息。根据本发明，处理系统44包含一曲线拟合软件系统，以判断在线路26a及26b之间或邻近两线路处是否存在如浮渣残余物26c的污染物。在处理系统44中包含一处理器(图中未显示)，用于控制电子束产生系统34、提供极重要尺寸测量、以及完成根据本发明的信号分析。应认识到，多种不同的处理器和/或处理系统可以包含在CD-SEM系统20中而成为其一部分或在该系统之外，用以完成根据本发明的信号分析。如以下所要更详细说明的那样，从圆片表面测量中所接收的信号经过数字化并作为数据组来分析。经由分析该数据，例如，由对该数据组进行回归演算(regression mathematics)，而根据该数据组的形状的预定指标，可以确定出该数据组的形状并将圆片中的浮渣区域予以排斥。
在处理系统44中的处理器经过编程，用以控制并操作CD-SEM系统20内的多种不同的组件，由此执行本文中说明的多种不同的功能。该处理器可以是多种不同的处理器中任何一种处理器，例如AMDAthlon、K6或任何其它类型结构的处理器。对于本领域普通技术人员而言，基于本文中提供的说明即可轻易了解处理器为执行与本发明相关的功能而编程的方式，为简化起见，在此省略其说明。
在系统20中还包含存储器46。该存储器46可操作地连接到处理系统44，用于储存为处理器所执行的程序代码，以执行本文中说明的系统20的操作功能。存储器46也作为一储存介质，以暂时储存各种信息，如曲线拟合数据、极重要尺寸数据、统计数据及可以用于执行本发明的其它数据。
电源32还向CD-SEM系统20提供操作电力，且向电子束产生系统34提供高电压。任何适当的电源(例如线性的开关电源)均可用于执行本发明。
现参照图3，其中显示图2所示示范性检测系统38的更详细视图。来自检测器的有潜在噪声的电输出信号36a耦合到低通滤波器的输入端。所示低通滤波器50用于说明目的，但是也可以配置在硬件中，或者作为处理系统44中数字低通滤波器50算法的一部分。在随后进行本发明的形状分析时，会需要由一低通滤波器来使信号36a平滑。模数(A/D)转换器60接收由检测器36和/或低通滤波器50所提供的模拟信号，并将该信号转换为数字形式。该A/D 60提供二位的数据给处理系统44，而由处理系统44根据本发明完成极重要尺寸测量和完成信号分析。该二位的数据可以储存在存储器中，以进行随后的数据信号分析，或者可以同时与极重要尺寸测量一并分析。
现参照图4a到图4d，其中显示根据本发明的优选实施例的示范性信号分析。如上所述，本发明最好是当作与SEM系统的CD算法共同工作的软件系统实施。但是应理解，本发明也可以当作为一个独立的处理系统的一部分来实施。例如，可以将极重要尺寸数据送入后续或同时处理系统，以判断所测量的特定区域的质量。而且应更进一步理解，还可将本发明使用到根据表面几何和/或结构测量而提供信号的其它系统中。
图4a及图4b中分别显示来自一经适当溶解及溶解不佳的区域的信号。其中所显示的信号18的一部分为相对平坦的部分18a。在图4b中，显示信号图18b的一部分为相对弯曲的部分18c。可以如所需要的来预定所要分析的接收信号部分的大小及数量。例如，信号18及18b的整个信号宽度中可以包含100个样品。例如，也可以提供预定中间的50个样品给该信号分析系统，据以判断测量区域的质量。如下文所更详细说明的那样，经由分析该接收样品中至少一部分的形状，本发明即可以判断该测量区域是否已经过适当的溶解。
现参照图4c，以图形及表格来显示平坦区域18a的数据点的范例组，以说明本发明的各个分析方面。为了简化起见，下文中根据本发明说明6个数据点X0到X5，每个数据点具有一个Y值。图形80显示该接收信号中大体平坦的部分18a。图中显示在Y轴上数值从0到3的不同的任意级距。应注意到，Y轴可根据需要而定标，从而适应实际上任一系统。在本发明中，Y轴表示接收信号的电压值，而沿着X轴，在特定时间点上记录采样点。X的数值可以是离散整数，表示对于具有特定Y值的采样电压的时间点。该采样点可增加至实际上任何数值，以达到信号质量判断所需的精确度。
根据本发明，应用曲线拟合分析法于所接收的数据，从而判断测量区域中的信号形状(例如平坦形，抛物线形)。可以使用多种技术来将特定的数据拟合到一线性区域或曲线上。本发明中应用线性和/或多项式的回归来判断所需要区域中的平坦度或曲率。但是应理解，还可应用许多其它众所周知的曲线拟合和/或回归方法，以判断该接收数据的形状，而且每种这样的方法均视为落入本发明的范围内。
在图4c中图形80所示的数据显示于表82中。可看到，在X的某些点上的Y值为1.0或接近此值，这表示在所接收数据大体平坦。应注意，最好是就整个数据组来分析数据。例如，如果只将端点X0或X5的数据分析为低于某特定数值(如1.2)，当数值X3及X4远小于1时，则无法检测出数据的曲率。这可能使浮渣区域得以逃避检测。
根据本发明一特定实施例，使用了“最佳拟合”的准则，以经由一线性或多项式方程式判断某一数据组是否更接近相关的模型。可以经由对实际数据结合所述线性或多项式方程式的预测数据值来完成一统计分析，而判断最佳的拟合。根据该统计分析的结果，确定数据是否与线性模型和/或更高阶的多项式模型间更紧密地相关。例如，如果该数据相对线性(如平坦信号响应)，则统计分析将显示线性模型比多项式模型有更高相关性(例如在下文更详细说明的较佳拟合及更接近于1的最佳拟合)。经由对于最佳拟合准则选择相关性阈值，当相关性高于或低于线性模型的预定阈值，或者高于或低于多项式模型的预定阈值时，即可检测到浮渣。
以下将更详尽地说明一组方程式，从而进一步说明本发明的工作原理。在方程式1中显示用于拟合数据组的线性方程式。
方程式1y＝a0+a1X+e(其中e表示在数学模型及实际数据之间的残数或误差)。
这一方程式可以展开成更高阶方程式，如方程式2所示。
方程式2y＝a0+a1X+a2X2+…+amXm+e一种将实际数据(确定上述方程式的系数)拟合到方程式1及2的方法是使如方程式3及4中所示的残数的平方和达到最小。
方程式3Sr=Σi=1nei2=Σi=1n(yi-a0-a1X)2]]>其中Sr表示残数的平方和。方程式4Sr=Σi=1n(yi-a0-a1X-a2X2-…-amXm)2]]>可以从这些方程式求出确定系数(coefficient of determination)。然后使用确定系数来确定该数据是否对于线性方程式和/或多项式方程式达到最佳拟合。该确定系数或r2可以通过下式确定。
方程式5r2＝(St-Sr)/Sr其中St为因变量y均值的平方和，且表示在进行回归演算前，与因变量y相关的不确定性。如果在应用方程式5之后，r2接近于数值1，则实际的数据接近或最佳拟合上述的线性或多项式方程式。以下讨论涉及数值例子，用于说明本发明的工作原理。
通过对所接收数据进行如方程式2所示的m阶多项式拟合，即可取得接收信号的曲率。另外，可以应用方程式1以确定是否数据点对一线性方程式为最佳拟合。例如，一个2阶多项式(一般为抛物线或曲线形状)可以在X0至X5拟合到接收的数据采样。可对方程式2及方程式4进行运算以形成一组方程式，用于确定m阶多项式的系数，从而拟合给定数据，如方程式6到8所示。
方程式6a0n+ai∑Xi+ai∑Xi2+…+am∑Xim＝∑Yi方程式7a0∑Xi+a1∑Xi2+…+a2∑Xi3+…am∑Xim+1＝∑XiYi方程式8a0∑Xi2+…+a1∑Xi3+a2∑Xi4+…am∑Xim+2＝∑Xi2Yi其中n为所要拟合的点的总数，m为数据点所要拟合的次数。
从表82中给定数据及所示作为范例的2次方程式，可得到以下推定以便用于确定上式m＝2，n＝6，∑Xi＝15，∑Xi2＝55，∑Xi3＝225，∑Xi4＝979，∑Yi＝6，∑XiYi＝15，∑Xi2Yi＝56.2，∑(Yi-Y)2＝0.04∑(Yi-a0-aiXi-a2Xi2)2＝0.01272(注意，在系数之后求得)。
由此可以将如方程式6到8中所示写为以下的线性方程式方程式96a0+15a1+55a2＝6方程式1015a0+55a1+225a2＝15方程式1155a0+225a1+979a2＝56.2方程式9到11可以采用传统的高斯消去法解出。该解为以下方程式12所示的2阶方程式。
方程式12y＝0.032X2-0.161X+1.11方程式13r2＝0.964
从方程式12可以看到，表82中数据可以拟合到具有微抛物线形式的二阶方程式。通过选择r2或a2的阈值，即可对圆片样品的质量作出确定。另外，0.032的X2的系数相当小，因此从该拟合方程式可推导出高平坦度，这表明，所给定数据为近似直线的一组数据。给出上述的数据点作为说明性示例，以表明本发明的工作原理。来自一适当处理的圆片的给定数据点可以良好与直线相符合(例如所有的点均具有相同数值)，且因此，在方程式12中的X2项为0。还应认识到，如上述概括性的方程式所示，如果有此需要，可用更高阶方程式来拟合一给定数据点。
现参照图4d，其中显示来自有浮渣或溶解不良的圆片的数据点的图形90。数据点(示于表92)可以表示如图4b所示的曲线信号。如上所述，接收的数据组可以拟合到一曲线上，以确定曲率的程度，且最后确定所测量的圆片表面是否已受到浮渣损害。对表92中数据所进行如下所示的类似曲率分析。
从表92中给定的数据，可以得到用于上列方程式的以下推定。
m＝2，n＝6，∑Xi＝15，∑Xi2＝55，∑Xi3＝225，∑Xi4＝979，∑Yi＝11，∑XiYi＝27，∑Xi2Yi＝111.2，∑(Yi-Y)2＝72.45∑(Yi-a0-a1Xi-a2Xi2)2＝0.04513(注意在系数之后求出)。
可以列出如方程式14到16所示的下列线性方程式。
方程式146a0+15a1+55a2＝11方程式1515a0+55a1+225a2＝27方程式1655a0+225a1+979a2＝111.2可以使用传统的高斯消去法解出上述方程式。对该二阶方程式的解如以下方程式17所示。
方程式17y＝0.344X2-1.75X+3.05方程式18r2＝0.990
从方程式16可看到，须得到来自表92的数据可以拟合到一个2阶方程式，该方程式比来自上述表82的数据具有更大的抛物线曲率。如方程式17中所示，r2非常接近于1，其表示该数据与该曲线方程式之间达到非常好的拟合。在方程式16中0.344的X2系数约比上述方程式11所说明的高出10倍。因此从该拟合方程式可推导出高曲率，这表明，所给定数据为近似曲线的一组数据。
通过预先确定在任何给定的数据组中可允许的曲率程度，使用者即可设定所需要的阈值，从而产生信号在预定曲率阈值之下的圆片区域被接受，而产生信号在预定曲率阈值之上的的圆片区域被排斥。如上所述，阈值确定最好与极重要尺寸测量同时进行。
作为对上述实施例的替代，可对一给定的数据组同时进行线性及多项式回归演算。然后对于各回归项求出一r2相关系数。然后基于来自线性或多项式方程式的相关系数是否密切匹配而确定浮渣。例如，如果对于线性及多项式回归都执行了相关函数r2，且如果在这两种情况下r2均在预定的等效数量之内时，即可确定其中实际上没有出现浮渣。同样，如果r2结果实际上不类似，则可确定实际上浮渣已出现。
图5的流程图显示实施本发明的方法，在步骤100中，在预备测量一部分圆片样品时，处理系统44执行CD-SEM系统20的一般初始化。在步骤110中，经由引导一电子束产生系统34扫描该圆片样品，该处理系统启动圆片的扫描。在步骤120中，检测器36接收信号，且将此信号送到检测系统38。最好在将该信号送到处理系统44之前，将其数字化。在步骤130中，通过以一曲线拟合到从检测与测量系统38接收的数据组，处理系统44分析所接收信号的形状。在步骤140中，根据该数据曲率是否低于预定的阈值而作出确定。如果是，在步骤150中处理系统44接受现在测量的圆片样品，且随后回到步骤110以执行另一项测量。如果该曲率大于预定的阈值，则在步骤160中排斥该圆片样品，且处理系统44回到步骤110中以执行另一项测量。
尽管对应某一个或数个优选实施例而说明了本发明，但是显然本领域技术人员一旦阅读和理解了本说明书及附图，即能对于其进行对等的变动及修改。尤其是由上述部件(组件、设备、电路等)所完成的不同功能，用于描述这些组件的术语(包含所谓的“装置”)系对应于(除非另外说明)任何完成上述组件特定功能的组件(即功能对等的组件)，即使其结构并不对等于完成在此所述本发明实施例的功能的所公开的结构。另外，尽管本发明的某个特定特性可能仅对应于数个实施例中的一个实施例而作了公开，但可按照可能的需要，将这类特性其它实施例的一个或多个特征结合，并便利地应用于某个给定的或特定的用途。
工业上的应用本系统及方法可以使用于半导体处理领域，如用于确定一光刻法处理的工具中。
权利要求
1.一种检测圆片(26)中浮渣的系统(20)，该系统包含分析系统(24)，用于提供对应于圆片(26)表面部分的信号(18)；以及处理系统(44)，可操作地连接到该分析系统(24)；其中，该处理系统(44)配置成确定该信号(18)中至少一部分(18a，18c)的形状，并且其中该处理系统(44)基于该信号(18)中至少一部分(18a，18c)的形状而检测圆片(26)中的浮渣。
2.如权利要求1的系统，其中，该处理系统(44)进一步配置成以一般对应到信号(18)的数据组执行该曲线拟合作业。
3.如权利要求1的系统，其中，该处理系统(44)根据对应到该信号(18)的至少该部位(18a，18c)之形状的预定准则，检测圆片(26)中的浮渣。
4.如权利要求1的系统，其中，该预定准则根据来自一多项式或一线性回归的相关准则的对等性。
5.一种检测圆片(26)中浮渣的方法，该方法包含下列步骤提供(步骤110，120)对应于该圆片(26)表面的信号(18)；判断(步骤130)该信号(18)的至少一部分(18a，18c)的形状；以及根据该信号(18)的至少该部分(18a，18c)的形状，检测圆片(26)中的浮渣(步骤140)。
6.如权利要求5的方法，其中，该检测浮渣(140)的步骤尚包含下列步骤经由使用数学回归法，拟合一曲线到至少一部分(18a，18c)的形状；经由分析该数学回归法的结果，而判断该形状的曲率大小；以及判断该曲率的大小是否低于预定的临界值。
7.如权利要求6的方法，其中，判断该曲率的大小是否低于预定临界值的步骤尚包含下列步骤如果该曲率等于或大于一预定的大小则排斥(步骤160)样品；以及如果该曲率小于一预定的大小，则接受(步骤150)该样品。
8.一种在检测圆片(26)中浮渣的CD-SEM系统，该系统包含将电子(28)导向圆片(26)表面的凹透镜，及根据从该圆片(26)的表面所接收的电子提供一信号的检测器(36)，其特征为该系统尚包含处理系统(44)，用于判断该信号(18)中至少一部分(18a，18b)的形状，该处理系统(44)根据该信号(18)的该至少一部分(18a，18c)的形状检测圆片(26)中的浮渣。
9.如权利要求8的CD-SEM系统，其中，经由对于一般对应该信号(18)的一数据组进行曲线拟合，而判断该形状。
10.如权利要求8的CD-SEM系统，其中，根据来自信号(18)中至少一部分(18a，18c)的数据组的预定曲率准则，检测该浮渣。
全文摘要
提供了一种在圆片(26)中检测浮渣的系统(20)，该系统(20)包含分析系统(24)，用于提供对应于圆片(26)表面部分的信号(18)；以及处理系统(44)，其可操作地连接到该分析系统(24)；其中处理系统(44)配置为根据该信号(18)中至少一部分(18a，18c)的形状，检测圆片(26)中的浮渣。
文档编号H01L21/66GK1433570SQ00818737
公开日2003年7月30日 申请日期2000年12月13日 优先权日2000年1月31日
发明者B·K·楚, B·新恩, S·K·耶德, K·A·泛 申请人:先进微装置公司