一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池的制作方法

专利名称:一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，涉及太阳能电池领域，包括由上而下层叠设置的透明导电玻璃基板、透明导电膜、非晶硅顶电池、微晶硅底电池和背板，所述非晶硅顶电池包括P型掺杂层一、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层和N型掺杂层一，所述微晶硅底电池包括P型掺杂层二、微晶硅缓冲层、微晶硅本征层和N型掺杂层二，所述透明导电玻璃基板内设有非晶硅纳米线阵列，所述P型掺杂层一和P型掺杂层二均由有氢沉积层和无氢沉积层组成，所述背板包括背电极层和封装层，该种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池可以在调整原有生产工艺后，提高太阳能电池的稳定性，提高了光电转换效率且降低成本，值得推广。
【专利说明】
一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池
技术领域
[0001]本实用新型涉及太阳能电池领域，具体涉及一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池。【背景技术】
[0002]随着能源短缺现象的日益严重，对新能源开发的需求也逐渐增加，太阳能作为清洁能源，在未来有着相对较大的应用需求，目前市面上的非晶硅太阳能电池由于非晶硅材料的特有属性，衰退效应较强，因而限制其在太阳能电池中的应用，市面上亟需一种新型的太阳能电池以代替传统太阳能电池，以期提高其电池稳定性和光电转化效率。【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。
[0004]—种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，包括由上而下层叠设置的透明导电玻璃基板、透明导电膜、非晶硅顶电池、微晶硅底电池和背板，所述非晶硅顶电池包括P型掺杂层一、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层和N型掺杂层一，所述微晶硅底电池包括P型掺杂层二、微晶硅缓冲层、微晶硅本征层和N型掺杂层二，所述透明导电玻璃基板内设有非晶硅纳米线阵列，所述P型掺杂层一和P型掺杂层二均由有氢沉积层和无氢沉积层组成，所述背板包括背电极层和封装层。
[0005]优选的，所述透明导电玻璃基板具体为一种设有氧化锡前电极薄膜的氧化锡基板。
[0006]优选的，所述背电极层包括氧化锌层和金属铝层。
[0007]优选的，所述P型掺杂层一为10-15nm，所述非晶娃缓冲层为5-10nm，所述非晶娃本征层为100_200nm，所述N型惨杂层一为20_40nm〇[00〇8] 优选的，所述P型掺杂层二为5-10nm，所述非晶娃缓冲层为5-10nm，所述非晶娃本征层为80-150nm，所述N型掺杂层二为15_30nm 〇
[0009]本实用新型的有益效果:该种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，通过该种结构设计，通过非晶硅和微晶硅材料和不同的光学效应，进行科学的组合，设置成由非晶硅材料组成的顶电池和微晶硅材料组成的底电池，充分发挥了两种材料的作用，形成底电池电流限制，提高了太阳能电池的工作过程中的稳定性，通过非晶硅纳米线的阵列的聚光特性，提高了光线的入射效率，从而提高太阳能电池的光电转换效率，而通过有氢沉积层和无氢沉积层的设置可以提高沉积效率，进一步稳定该太阳能电池，值得推广，所述透明导电玻璃基板具体为一种设有氧化锡前电极薄膜的氧化锡基板，使用氧化锡基板可以充分发挥氧化锡材料的透明导线性，优于普通的透明玻璃或者透明塑料，所述背电极层包括氧化锌层和金属铝层，采用一般生产工艺中的背电极层组装形式，缩减生产成本，加快生产效率，所述P型掺杂层一为15nm，所述非晶娃缓冲层为8nm，所述非晶娃本征层为150nm，所述N型掺杂层一为30nm，所述P型掺杂层二为10nm，所述非晶娃缓冲层为5nm，所述非晶娃本征层为lOOnm，所述 N型掺杂层二为20nm，通过合理的组合方式，可以生产出稳定高效的太阳能电池。【附图说明】

[0010]图1为本实用新型所述的一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池的结构示意图。
[0011]图2为本实用新型所述的一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池的截面剖视图。
[0012]其中:1 一透明导电玻璃基板，2—透明导电膜，31 —P型掺杂层一，32—非晶硅缓冲层，33—非晶娃本征层，34—N型惨杂层一，41 一P型惨杂层二，41 一微晶娃缓冲层，43—微晶硅本征层，44 一 N型掺杂层二，51—氧化锌层，52—金属铝层，6—封装层，7—非晶硅纳米线阵列，311 —有氢沉积层，312—无氢沉积层。【具体实施方式】
[0013]为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本实用新型。
[0014]如图1和图2所示，一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，包括由上而下层叠设置的透明导电玻璃基板1、透明导电膜2、非晶硅顶电池、微晶硅底电池和背板，所述非晶硅顶电池包括P型掺杂层一 31、非晶硅缓冲层32、非晶硅本征层33和N型掺杂层一 34,所述微晶硅底电池包括P型掺杂层二41、微晶硅缓冲层42、微晶硅本征层43和N型掺杂层二44,所述透明导电玻璃基板1内设有非晶硅纳米线阵列7,所述P型掺杂层一 31和P型掺杂层二41均由有氢沉积层311和无氢沉积层312组成，所述背板包括背电极层和封装层6。该种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，通过该种结构设计，通过非晶硅和微晶硅材料和不同的光学效应，进行科学的组合，设置成由非晶硅材料组成的顶电池和微晶硅材料组成的底电池，充分发挥了两种材料的作用，形成底电池电流限制，提高了太阳能电池的工作过程中的稳定性，通过非晶硅纳米线阵列7的聚光特性，提高了光线的入射效率，从而提高太阳能电池的光电转换效率，而通过有氢沉积层311和无氢沉积层312的设置可以提高沉积效率，进一步稳定该太阳能电池，值得推广。
[0015]在本实施例中，所述透明导电玻璃基板1具体为一种设有氧化锡前电极薄膜的氧化锡基板，使用氧化锡基板可以充分发挥氧化锡材料的透明导线性，优于普通的透明玻璃或者透明塑料，所述背电极层包括氧化锌层5和金属铝层6,采用一般生产工艺中的背电极层组装形式，缩减生产成本，加快生产效率，所述P型掺杂层一 31为15nm，所述非晶硅缓冲层 32为8nm，所述非晶娃本征层33为150nm，所述N型掺杂层一34为30nm，所述P型掺杂层二41为 10nm，所述非晶娃缓冲层42为5nm，所述非晶娃本征层43为100nm，所述N型掺杂层二44为 20nm，通过合理的组合方式，可以生产出稳定高效的太阳能电池。
[0016]基于上述，本实用新型可以通过非晶硅和微晶硅材料和不同的光学效应，设置成由非晶硅材料组成的顶电池和微晶硅材料组成的底电池，充分发挥了两种材料的作用，提高了太阳能电池的工作过程中的稳定性，通过非晶硅纳米线的阵列的聚光特性，提高了光电转换效率，值得推广。[〇〇17]由技术常识可知，本实用新型可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本实用新型范围内或在等同于本实用新型的范围内的改变均被本实用新型包含。
【主权项】
1.一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，其特征在于，包括由上而下层叠设置的透明 导电玻璃基板、透明导电膜、非晶硅顶电池、微晶硅底电池和背板，所述非晶硅顶电池包括P 型掺杂层一、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层和N型掺杂层一，所述微晶硅底电池包括P型掺杂 层二、微晶硅缓冲层、微晶硅本征层和N型掺杂层二，所述透明导电玻璃基板内设有非晶硅 纳米线阵列，所述P型掺杂层一和P型掺杂层二均由有氢沉积层和无氢沉积层组成，所述背 板包括背电极层和封装层。2.根据权利要求1所述的一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，其特征在于:所述透明 导电玻璃基板具体为一种设有氧化锡前电极薄膜的氧化锡基板。3.根据权利要求1所述的一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，其特征在于:所述背电 极层包括氧化锌层和金属铝层。4.根据权利要求1所述的一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，其特征在于:所述P型 掺杂层一为l〇-15nm，所述非晶娃缓冲层为5-10nm，所述非晶娃本征层为100-200nm，所述N 型掺杂层一为20-40nm〇5.根据权利要求1所述的一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，其特征在于:所述P型 掺杂层二为5-10nm，所述非晶娃缓冲层为5-10nm，所述非晶娃本征层为80-150nm，所述N型 掺杂层二为15_30nm。
【文档编号】H01L31/054GK205723579SQ201620366899
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】魏国祯
【申请人】南安市高捷电子科技有限公司