专利名称：消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法
技术领域：
在制造晶圆的制程中，正电荷静电会累积在金属导电层上而产生位能的障壁，当圆孔或沟槽愈小时，该金属导线层上的氮化层将难以蚀刻完全，本发明消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法能消除累积在金属导电层的正电荷静电，使圆孔或沟槽底部的氮化层蚀刻完全。
背景技术：
公知半导体在电浆蚀刻的制程中，有一些蚀刻不完全的情况发生；该蚀刻不完全的情况是由于金属导电层上的正电荷静电累积所造成。举一例来说(如图1所示)，公知一金属导电层1a通常位于一氧化物层5a上方；一氮化层2a以电浆气相沉积法沉积在该金属导电层1a的上方，该金属导电层1a在电浆气相沉积法的制程中，或是经由干燥的空气磨擦，会有一正电荷静电11a累积于该金属导电层1a的情形发生；该正电荷静电11a在该金属导电层1a上形成一位能障壁使带正电的若干个蚀刻离子4a很难进入一氟硅玻璃3a旁的一圆孔或沟槽31a的底部(尤其当圆孔或沟槽愈小时)，故该蚀刻离子4a很难和该氮化层3a进行蚀刻反应，因而造成蚀刻不全的现象，如此会造成晶圆制程中良率的下降。
发明内容
本发明提供一种消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，可在晶圆制程中，消除金属导电层上所累积的正电荷静电，使位于圆孔或沟槽底部的氮化层能完全被蚀刻，而提升制造晶圆的良率。
本发明提供一种消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其步骤包括；a·将一氮化层沉积在一金属导电层上；b·将一氟硅玻璃沉积在该氮化层上，且该氟硅玻璃中开设若干个圆孔或沟槽；c·将一高气压低密度(isotropic)电浆所产生的若干个自由电子撞击该金属导电层；及d·用若干个蚀刻离子将该圆孔或沟槽底部的该氮化层蚀刻。
综上所述，本发明消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，能解决晶圆制程中，金属导电层带有静电所造成的蚀刻不全的问题，进而达到蚀刻完全及提升制造晶圆的良率。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细内容与附图，兹举一较佳可行的实施例并配合图式详细说明如后，相信对本发明的目的、特征与优点，当可由此得一深入且具体的了解。
图1为公知金属导电层的静电让圆孔或沟槽底部的氮化层蚀刻不完全的示意图。
图2为本发明消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法的步骤流程图。
图3为本发明消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法让圆孔或沟槽底部的氮化层蚀刻完全的示意图。
符号说明〔公知〕1a 金属导电层 31a 圆孔或沟槽11a正电荷静电 4a蚀刻离子2a 氮化硅层 5a氧化物层3a 氟硅玻璃〔本发明〕1 金属导电层 31圆孔或沟槽11正电荷静电 4 蚀刻离子2 氮化硅层5 氧化物层3 氟硅玻璃具体实施方式
本发明消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其步骤(如图2所示)包括a·将一金属导电层1(如铜层)沉积在一氧化层5上，之后将一氮化层2(如氮化硅层)沉积在该金属导电层1上；b·再将一氟硅玻璃3沉积在该氮化层2上，并在该氟硅玻璃3上开设若干个圆孔或沟槽31，该圆孔或沟槽31的底部即是该氮化层2；c·将一高气压低密度电浆所产生的若干个自由电子撞击该金属导电层1，用以中和该金属导电层1上的一正电荷静电11，使该金属导电层1具电中性或具有若干个带负电荷的自由电子；及d·用若干个带正电的蚀刻离子4(如带正电的氟化物离子)将该圆孔或沟槽31底部的该氮化层2蚀刻，此时该带正电的蚀刻离子4会很容易进入该圆孔或沟槽31的底部，而将该圆孔或沟槽31底部的该氮化层2完全蚀刻(如图3所示)，之后再将多余的该蚀刻离子及蚀刻反应产生的气体用一帮浦抽出。
综上所述，本发明消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，能解决晶圆制程中，金属导电层带有静电所造成的蚀刻不全的问题，进而达到蚀刻完全及提升制造晶圆的良率。
本方法可广泛用于各种沉积植布材料的蚀刻，如氮化层可为须蚀刻的第一植布层，氟硅玻璃可为具被覆功能的第二植布层，而第一植布层与第二植布层可为性质功能相近的各种材料。
权利要求
1.一种消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其步骤包括a.将一第一植布层沉积在一金属导电层上；b.将一第二植布层沉积在该第一植布层上，且该第二植布层中开设若干个圆孔或沟槽；c.将一高气压低密度电浆所产生的若干个自由电子撞击该金属导电层；及d.用若干个蚀刻离子将该圆孔或沟槽底部的该第一植布层蚀刻。
2.如权利要求1所述的消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其中该步骤a中还包括一将该金属导电层沉积在一氧化层上的步骤。
3.如权利要求1所述的消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其中该步骤d中还包括一将多余的该蚀刻离子及蚀刻反应产生的气体用一帮浦抽出的步骤。
4.如权利要求1所述的消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其中该第一植布层为氮化层，且该氮化层以电浆气相沉积法沉积在该金属导电层上。
5.如权利要求4所述的消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其中该氮化层为一氮化硅层。
6.如权利要求1所述的消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其中该金属导电层为一铜层，且该第二植布层为氟硅玻璃。
7.如权利要求1所述的消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其中该若干个蚀刻离子为若干个带正电的氟化物离子。
全文摘要
本发明消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其步骤包括a.将一氮化层沉积在一金属导电层上；b.将一氟硅玻璃沉积在该氮化层上，且该氟硅玻璃中开设若干个圆孔或沟槽；c.将一高气压低密度电浆所产生的若干个自由电子撞击该金属导电层；及d.用若干个蚀刻离子将该圆孔或沟槽底部的该氮化层蚀刻。如此，可在晶圆制程中，消除金属导电层上所累积的正电荷静电，使位于圆孔或沟槽底部的氮化层能完全被蚀刻。
文档编号H01L21/321GK1635614SQ20031012291
公开日2005年7月6日 申请日期2003年12月29日 优先权日2003年12月29日
发明者吴汉明, 宋伟基, 邢国强, 古其发 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司