专利名称：磁阻设备的制造方法
技术领域：
本发明一般涉及磁阻存储设备。尤其是，本发明涉及在磁随机存取存储器(MRAM)设备的磁存储器单元内的高质量<111>晶体结构的改进。
发明内容
人们已经认识到，改进具有贯穿连接的高质量的<111>晶体结构的磁存储器单元是有利的。
本发明提供一种改进磁存储器单元的至少一个组成层内的<111>晶体结构生长的方法，所述方法包括以足够高的离子能量水平在存储单元内施用至少一个组成层，所述足够高的离子能量水平能使所述至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。
从随后结合附图的详细说明中可知，本发明附加的特征和优点将是显而易见的，这些附图以举例的方式一起说明了本发明的特征。
附图1是示出用于改进上旋阀结构中的所述<111>晶体结构的方法的流程图；附图2是在附图1中描述的上旋阀结构的横截面图；附图3是说明所述离子能量水平是如何对TMR连接的磁滞回线进行影响的图；附图4是图示用于确定所述足够高的以使排列达到所述<111>晶体结构的高质量等级的离子能量水平的方法的流程图；附图5是合成的铁氧磁材料的横截面图；附图6是上旋阀结构的横截面图，在该结构中所述铁磁体层已经被替换为合成的铁氧磁材料；附图7是图示用于改进下旋阀结构中的所述<111>晶体结构的方法的流程图；附图8是在附图7中描述的下旋阀结构的横截面图。
具体实施例方式
现在将参考在附图中说明的示范性的实施方式，并且在这里将使用特定的语言来描述该实施方式。然而应当理解，这并不意味着是对本发明的范围进行限定。在这里说明的创造性特征的改变和进一步的修改，以及这里所说明的本发明的原则的其他应用，将都被认为是在本。发明的范畴之内，其中该改变和进一步的修改是相关技术领域中的技术人员能够做到的，并且属于本公开所有。
根据本发明，公开了一种方法，该方法改进了在磁存储器单元的至少一个组成层内的<111>晶体结构的高质量的生长。该方法包括，以足够高的离子能量水平在所述存储单元内施用至少一个组成层，该离子能量水平使该至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。虽然这个方法尤其旨在改进磁存储器单元内的<111>晶体结构的高的质量等级，但所公开的方法可以适用于各种其它磁性的传感应用。例如，用于感应硬盘磁场的磁性读出头可以得益于使用所述公开的方法。现在非常实际的是，许多磁性读出头使用TMR连接作为传感器。
虽然上述方法适用于改进磁存储器单元内的所有组成层中的<111>晶体结构的高的质量等级，但是所述方法尤其有利于用在隧道磁阻(TMR)连接(亦称磁隧道连接，或MTJs)中。在TMR连接中，一个隧道效应阻挡层完全终止或者很大程度衰减了从下面到它上方的层的所述<111>晶体结构场的连续传播。通过使用高的离子能量水平在所述隧道效应阻挡层上方施用所述组成层，尽管存在所述隧道效应阻挡层，但所述隧道效应阻挡层上面的层会形成所述<111>晶体结构。这样，如果建造上旋阀结构，其中所述FM被钉扎层和钉扎层在所述氧化层的上方，那么所述FM被钉扎层和所述钉扎层将具有非常弱的<111>晶体结构。同样地，如果建造下旋阀结构，其中所述感应层在所述氧化层的上方，那么所述FM感应层将具有非常弱的<111>晶体结构。
正如在附图1和附图2中所举例说明的，给出了根据本发明的方法10，其用于制造上旋阀TMR连接20以便在所述TMR连接的组成层内建立<111>晶体结构的高的质量等级。首先，如11，施用种子层21和所述FM感应层22，所述种子层21建立了在<111>晶体结构取向上随后的层的生长。所述FM感应层22可以采用由所述种子层21所建立的<111>晶体结构。所述FM感应层22的磁化矢量可自由地转变方向，正如由附图2中的虚线箭头所表示的。所述FM感应层22也可以称为数据层，因为它的磁化矢量的方向确定了存储在所述TMR连接20中的数据位的值。
其次，如12，在所述FM感应层22上施用所述隧道效应阻挡层23。所述隧道效应阻挡层23允许量子力学隧道效应在FM感应层22和FM被钉扎层24之间产生。这个隧道效应现象是由电子自旋决定的，它使所述磁隧道连接的阻力成为所述FM被钉扎层24和所述FM感应层22的磁化矢量的所述相对取向的函数。所述隧道效应阻挡层23以元定形的方式生长，这使得在它上方生长的层的所述<111>晶体结构次于在它下面的层。
第三，如13，利用足够高的离子能量水平将FM被钉扎层24施用于所述隧道效应阻挡层23上，以便所述FM被钉扎层24的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。
第四，如14，在所述FM被钉扎层24之上形成所述钉扎层25。所述FM钉扎层25也可以使用高的离子能量水平来施用。所述钉扎层25不具有其自身的磁化，而是代之以强迫所述FM被钉扎层24的磁化矢量固定在一个方向上。所述钉扎层25可以由反铁磁性(AFM)材料形成。重要的是，所述FM被钉扎层和所述AFM钉扎层建立了高等级的<111>晶体结构，因为在所述钉扎层25和被钉扎层24中的所述<111>晶体结构中建立了用于所述钉扎层25和被钉扎层24的强大的交换偏磁。所述强大的交换偏磁是这样的一种偏磁，它强迫所述FM被钉扎层24被固定在一个方向上。
如附图3中所说明的，TMR连接的磁滞回线30可以根据用于沉积所述AFM钉扎层和所述FM被钉扎层的离子能量水平来改变。磁滞回线是对用于改变铁磁材料的磁性取向所需的磁场强度所做的描述。在附图3中，如31，使用54瓦的能量级来沉积TMR连接的所述AFM钉扎层和所述FM被钉扎层，同时如32，使用108瓦的能量级来沉积第二个TMR连接的所述AFM钉扎层和所述FM被钉扎层。结果，改变在108W沉积的FM被钉扎层的所述磁性取向所需的磁场超过用于在54W沉积的所述FM被钉扎层大约100Oe。这个增量的出现是因为当沉积它的FM被钉扎层时，在第二TMR连接中的所述AFM钉扎层和所述FM被钉扎层中由于使用更高的能量级而建立了所述更好的<111>晶体结构。所得到的<111>晶体结构建立了用于所述被钉扎层和钉扎层的强大的交换偏磁，其使得所述被钉扎层的磁性方向成为一个方向上的“推力”，或“固定”。因为这个“推力”在108W沉积的所述FM被钉扎层中比它在54W沉积的FM被钉扎层中要高，所以它需要一个更高的磁场来改变在108W沉积的所述FM被钉扎层的磁化矢量。这在被钉扎层中是非常理想的结果，因为它的目的是要固定在一个方向上以便它能被作为一个与所述FM感应层相关的参考层来使用。
本发明公开了在磁存储器单元的所述组成层中获得的<111>晶体结构的等级是在那些在层沉积期间所使用的离子能量水平的函数。当沉积在所述隧道效应阻挡层以上的层时这是尤其重要的，因为所述隧道效应阻挡层或者完全终止或者很大程度地衰减所述<111>晶体结构场从下面向它上方的层的连续的传播。一般的原理是，在磁存储器单元内的层沉积期间所使用的离子能量水平越高，在那些层中所得到的<111>晶体结构将会越好。这个一般原理一直有效，直到所述离子能量水平是如此的高以致于用于新的层的原子碰撞到在以前的层中偏离位置而不是移动到所述位置的原子。换句话说，当所述处理停止沉积新的层时使用的离子能量水平太高，并且开始侵蚀以前的层。
为获得有效的<111>晶体结构所需要的离子能量水平将随每一个沉积系统而改变。定义所述组成“高的离子能量水平”的具体功率水平是可能的，但是这对于每一个沉积系统来说将是非常特殊的。可能影响最佳的离子能量水平的因素可以包括所述沉积系统的尺寸，所述目标的尺寸，以及在所述沉积系统和所述目标之间的距离。然而，不管正在使用什么类型的沉积系统，较高的离子能量水平产生较好的<111>晶体结构的普通原理都是适用的。
如附图4中所说明的，示出了根据本发明的一种方法40，其用于获得足够高的离子能量水平来使至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体的高的质量等级。首先，在41，将用来沉积所述组成的层的离子能量水平设定为预先确定的最小水平。其次，在42，使用在步骤一中设定的离子能量水平将至少一个组成层施用在所述存储单元中。所述的组成层可由FM层组成。在使用离子能量水平施用所述至少一个组成层之前，可以将至少一个隧道效应阻挡层沉积在所述存储单元中。第三，在44，测量质量等级，该质量等级用于所述<111>晶体结构，其由使用离子能量水平来施用所述至少一个组成层而产生。第四，在45，将所述离子能量水平增加到预先确定的数量的更高的离子能量水平。在46，从第二步骤开始重复所述处理，直到达到理想的离子能量水平。最后，在47，当已经达到所述预先确定的最高级的离子能量水平时，将所述离子能量水平设定到大约为所述更高的离子能量水平，该更高的离子能量水平可用于产生在所述磁存储器单元的至少一个组成层内的所述<111>晶体结构的高的质量等级。所述足够高的离子能量水平可以是能产生所述<111>晶体结构的高的质量等级的水平，或者可以是产生为所述<111>晶体结构所测量的最高的质量等级的水平，这取决于厂商的需要。也可以稍微改变这个处理，并且是同样有效的，并且可适用于上旋阀TMR结构和下旋阀TMR结构，在下面会详细地讨论。
利用上旋阀结构使所述FM感应层22能够直接地在所述种子层21之上生长。因此，所述结构与其在下旋阀结构中时相比要平滑的多，在下旋阀结构中所述感应层22在所述隧道效应阻挡层23上方生长。这个结果可以提供更大的均匀性和更大的可控制的磁性性质。当所述感应层表面的压力或粗糙程度减少时，磁致伸缩和磁各向异性也减少了。进一步的，所述感应层22现在可以被放置在接近于底电极的底部导体字线处，改善其对所述底部导体字线中的电脉冲的响应。这为更有效的比特交换作准备并且减少了转换磁场的要求。这都是通过以高离子能量在所述隧道效应阻挡层的上方沉积FM层的磁层而实现的。
所述使用高离子能量水平沉积磁存储器单元内的层的技术也有利于当FM层被替换为合成的铁氧磁材料(SF)时的情况。如附图5中所说明的，最基本的SF层50由两个FM层51和53组成。第一个FM层51是与第二个FM层53通过薄的无磁性的隔离层52分离的。所述隔离层52具有多种特性以便所述两个FM层51和53彼此进行强的交换耦合。正如由所述在每一层中有方向性的箭头所注释的，这个耦合使它们在相反的方向上排列以产生纯粹的零磁化或接近于零磁化。这个三层结构是SF层的最简单的形式，超过两个的FM层，每一个FM层由隔离物分离，也可以建立SF结构。在这种情况下，所述磁化定向为相邻层中的相反的方向+然后-然后+......，如此重复。
然而，在没有有效的<111>晶体结构的情况下，很难实现强的交换耦合。当SF层50被沉积在所述隧道效应阻挡层53上方时，所述<111>晶体结构被衰减或被完全地消除，由此减少SF层50中的两个FM层51和53之间的交换耦合。通过以高离子能量水平沉积所述SF层50，所述<111>晶体结构在所述SF层50中得以改进。这样，在所述两个FM层51和53之间的强的交换耦合就得到了促进。
用SF层状结构50替换FM层的好处是它减少了强的退磁磁场，该退磁磁场典型地是当所述MRAM栈被制成矩形的、椭圆形的、或其它几何学上有用的比特形状时，在所述比特边缘处产生的。因为所述两个层51和53的磁化矢量指向相反的方向，所以在所述边缘处其净退磁磁场接近于零。值得注意的是，因为所述FM感应层22的磁滞回线对来自于所述退磁磁场的各向异性贡献更为敏感，所以利用SF层50作为所述FM感应层22在所述边界处提供了退磁磁场有利的缩减。当所述FM被钉扎层24和所述FM感应层22两个层用SF层50代替时，这些好处得到最大化。附图6是上旋阀结构TMR连接的横截面图，其中FM被钉扎层24和FM感应层22都已经被替换为SF层50。
两个FM层51和53与所述无磁性的隔离层52的厚度在厚度或组成方面不必相同，而且事实上可以故意做得不同以产生稍微不平衡的SF层50。这个不平衡的SF层50当被用作FM被钉扎层24或FM感应层22时具有很多好处。因为不平衡的程度可以被控制，所以在所述磁滞回线方面的变化，其被称作R-H特性，可以被计算和处理。通过处理所述R-H特性，所述FM层51和53的磁化矢量的转换行为可以被控制。这就允许对用于转换FM感应层22的磁化矢量的电流进行更好地控制。
如附图7和附图8中所说明的，示出了根据本发明的一种方法70，该方法用于制造下旋阀TMR连接80以便在所述TMR连接的组成层内建立高质量等级的<111>晶体结构。首先，在71，使用一离子能量水平将反铁磁性的钉扎层25和铁磁性的被钉扎层24施用于种子层21，所述离子能量水平足够地高，以利于使所述反铁磁性的钉扎层和所述铁磁性的被钉扎层的排列达到<111>晶体结构的高的质量等级。其次，在72，所述隧道效应阻挡层23在所述FM被钉扎层24上生长。如上所述，所述隧道效应阻挡层23一般使得在它上方的层的<111>晶体结构的生长次于在它下面的层。第三，在73，所述FM感应层22在所述隧道效应阻挡层23上沉积。所述感应层22也可以使用高的离子能量水平进行沉积。然而，往往希望所述感应层不具有<111>晶体结构。在此情况下，所述感应层将使用与所述高水平相反的正常的离子能量水平来应用。
所述下旋阀结构也可以受益于用SF层30替换所述FM感应层22和所述FM被钉扎层24。通过用SF层替换这些层，它们在所述边缘之处的净退磁磁场接近于零。然而，如在本发明中所公开的，如果在它的沉积期间不使用高的离子能量水平，在所述隧道效应阻挡层23上面的SF层50的两个FM层51和53之间改进必要的交换耦合将是很困难的。
用于制造TMR结构的处理可以包括各种类型的化学气相沉积、原子层沉积、分子束外延、电子束气化、激光烧蚀、等离子体辅助沉积和其它适用于高离子能量的方法。所述FM层的厚度可以被改变以控制所需要的退磁效应。当FM层被沉积时，从预制的具有正确组成的目标，或者通过以控制的比率从多于一的目标中的若干材料的共沉积，可以进行合金沉积。典型地，使用磁控管喷射或离子束沉积来施用第一层。如上所述的处理技术可以被用于下旋阀和上旋阀结构中。
现在将详细描述可以被用于所述各层的材料。使用若干不同类型的材料来制造或组合所述FM被钉扎层和FM感应层。所述FM被钉扎层24和所述FM感应层22由FM材料，一般为镍、铁和/或钴的二元或三元合金组成。所述层24和22可以由相同的或不同的材料制成。其它可能的FM层材料包括掺杂的无定形铁磁性合金和透磁合金(PERMALLOYTMTM)，以及掺杂的无定形的FM材料，它们是以各种程度掺有如铌、硼、铪、硅和氮的无定形制剂的镍/铁/钴合金。
当SF层30作为FM被钉扎层24或FM感应层22时，所述SF层30可包括NiFe、NiFeCo、CoFe，或其它镍、铁和钴的软磁合金的第一层，钌、铼、铑或铜的隔离层，以及与第一层相似的第三层。也可以使用掺杂的无定形FM合金。
AFM钉扎层25典型地用FeMn、NiMn、PtMn、IrMn制造。
所述种子层21实际上可用作两个目的。除了作为种子层，它也可以作为所述底部导体以提供用于在特别的操作期间的电流流动的路径。用于建造所述种子层21的首选材料是铜、钽、钽/钌、钽、TaN、钛、TiN，或钽/NiFe、钽/铜、钽/钌、铜/钌、钽/钌、钽/铜/钌、钽/钌/FM、钽/钌/SF等的多层组合。钽/NiFe、或钽/铜/NiFe多层结构具有所希望的特性，但是它们应该被避免。这样，钽/SF或钽/铜/SF被推荐为可行的和有用的替代但是不一定是优选的。因为钌是完全无磁性的，当它用作种子层时所有的退磁磁场问题都消除了。使用钌的另一个好处是它阻止了在所述钽和所述FM或SF层之间的任何交互作用。一般地，交互作用发生在所述钽和邻近的磁层之间，并且导致所述磁层的磁矩的损失，以及减少了所述设备的热稳定性(从制造中的特性的均匀以及从长期使用的可靠性两方面考虑都是不希望有的)。
选择所述种子层材料是因为它们促进薄膜在后生长的能力，其中所述薄膜具有<111>晶体结构，该晶体结构提供了NiFe FM层中的有效的各向异性或来自于所述AFM钉扎层的高的钉扎场。这允许在所述种子层上在后沉积NiFe层或SF层，以使它的晶体结构具有较高的<111>取向。需要这种生长方向以实现在所述AFM钉扎层中的钉扎效果。当SF层用在MRAM栈中时，所述<111>晶体结构也改善了所述交换耦合。在当前的MRAM制造过程中并没有使用所述磁性的种子层，因为仅仅使用无磁性的钌/铜/钽层更为容易。
所述隧道效应阻挡层23可以由氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氮化硅(SiN4)、氮化铝(AlNx)或氧化镁(MgO)制成。其它的介电材料和某些半导体材料也可用于所述隧道效应阻挡层。所述隧道效应阻挡层23的厚度可以是从大约0.5毫微米到大约3毫微米的范围。
可以理解，上述所参考的配置是为了说明本发明的原理的示例性的应用。当已经在所述附图中示出本发明并且已经对其连同本发明的(多个)示范性的实施例一起作了以上描述时，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以作出很多的修改和可替换的配置。例如，所述旋转阀结构不仅仅局限于存储器应用。所述严格相同的结构可以用于场传感器和磁性读出头。当然每一个应用将需要在隧道连接特性(TMR值、绝对阻抗、矫顽力、转换场等等)方面重新设计，但是这样的重新设计在仅具有一般经验的本领域技术人员的能力范围内是容易做到的。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离如权利要求中所提出的本发明的原理和构思的情况下，可以作出很多的修改是显而易见的。
权利要求
1.一种在磁存储器单元的至少一个组成层内改进<111>晶体结构的生长的方法，所述方法包括以足够高的离子能量水平向所述存储单元(至少20，80)中施用至少一个组成层(至少21-25)，其中足够高的离子能量水平使得所述至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述使所述至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级的足够高的离子能量水平通过下述步骤来确定(a)设定(41)所述离子能量水平为预先确定的最小值；(c)使用所述离子能量水平将至少一个组成层施用(42)到所述存储单元中；(d)测量(44)所述晶体结构的质量等级，其中晶体结构通过使用所述离子能量水平来施用所述至少一个组成层而产生；(e)将所述离子能量水平增加(45)预先确定的数量，使其达到更高的离子能量水平，并且从上面的(b)进行重复直到得出想要的离子能量水平；和(f)将所述离子能量水平设定(47)到大约为所述更高的离子能量水平，以用于在所述磁存储器单元的至少一个组成层内产生所述<111>晶体结构的高的质量等级。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述磁存储器单元是隧道效应磁阻连接(20，80)。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个组成层是合成的铁磁材料(50)，至少由下列组成第一铁磁材料(51)；在第一铁磁材料(51)之上建造的无磁性的隔离层(52)；以及建造在所述无磁性的隔离层之上并且具有与第一铁磁材料(51)相反的磁场方向的第二铁磁材料(53)。
5.一种制造上旋阀TMR连接(20)以便在所述TMR连接(20)的组成层内建立<111>晶体结构的高的质量等级的方法，所述方法包括将铁磁性的感应层(22)施用(11)于种子层(21)上；在所述铁磁性的感应层(22)上施用(12)所述隧道效应阻挡层(23)；使用(13)离子能量水平在所述隧道效应阻挡层(23)上施用铁磁性的被钉扎层(24)，其中所述离子能量水平足够的高以促进所述铁磁性的被钉扎层(24)的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级；以及由于所述反铁磁性的钉扎层(25)和所述铁磁性的被钉扎层(24)的接近性，并且由于它们类似的金属特性，在所述铁磁性的被钉扎层(24)上施用(14)反铁磁性的钉扎层(25)，在所述反铁磁性的钉扎层(25)内改进所述<111>晶体结构。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述足够高的以在所述TMR连接(20)的组成层内建立所述<111>晶体结构的高的质量等级的离子能量水平通过下述步骤来确定(a)设定(41)所述离子能量水平为预先确定的最小值；(b)提供至少所述种子层(21)，所述铁磁性的感应层(22)，和所述隧道效应阻挡层(23)；(c)利用所述离子能量水平在所述隧道效应阻挡层(23)之上施用(42)至少所述铁磁性的被钉扎层(24)；(d)测量(44)所述晶体结构的质量等级，所述晶体结构通过利用所述离子能量水平在所述隧道效应阻挡层(23)之上施用至少所述铁磁性的被钉扎层(24)来产生；(e)将所述离子能量水平增加(45)预先确定的数量到较高的离子能量水平并且从上面的(b)进行重复直到得出想要的离子能量水平；以及(f)将所述离子能量水平设定(47)到大约为所述较高的离子能量水平，以用于在所述隧道效应阻挡层(23)之上的所述晶体结构上产生高的质量等级。
7.如权利要求5所述的方法，其中所述铁磁性的感应层(22)和/或所述铁磁性的被钉扎层(24)被用合成的铁氧磁材料(50)代替，其至少包括第一铁磁材料(51)；在第一铁磁材料(51)之上建造的无磁性的隔离层(52)；以及建造在所述无磁性的隔离层(52)之上的并且具有与第一铁磁材料(51)相反的磁场方向的第二铁磁材料(53)。
8.一种制造下旋阀TMR连接(80)以便在所述TMR连接(80)的组成层内建立<111>晶体结构的高的质量等级的方法，所述方法包括使用离子能量水平，在种子层(21)上施用反铁磁性的钉扎层(25)和铁磁性的被钉扎层(24)，其中所述离子能量水平足够的高以促进所述反铁磁性的钉扎层(25)的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级；在所述铁磁性的被钉扎层(24)上施用所述隧道效应阻挡层(23)；以及在所述隧道效应阻挡层(23)上施用铁磁性的感应层(22)。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述足够高的以使得所述TMR连接(80)的组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级的离子能量水平通过下述步骤来确定(a)设定(41)离子能量水平为预先确定的最小值；(b)提供种子层(21)，其中所述种子层已经建立了所述<111>晶体结构；(c)利用所述离子能量水平施用(42)所述反铁磁性的钉扎层(25)和所述铁磁性的被钉扎层(24)；(d)在所述铁磁性的被钉扎层(25)上施用所述隧道效应阻挡层(23)和所述铁磁性的感应层(22)；(e)测量(44)所述<111>晶体结构的质量等级，所述晶体结构通过利用所述离子能量水平施用所述反铁磁性的钉扎层(25)和所述铁磁性的被钉扎层(24)来产生；(f)将所述离子能量水平增加(45)预先确定的数量到更高的离子能量水平并且从上面的(b)进行重复直到得出想要的离子能量水平；以及(g)将所述足够高的离子能量水平设定(47)为所述更高的离子能量水平，以用于产生在所述TMR连接(80)的组成层内所述<111>的高的质量等级。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述铁磁性的感应层(22)和/或所述铁磁性的被钉扎层(24)可用合成的铁氧磁材料(50)来代替，其至少包括第一铁磁材料(51)；在第一铁磁材料(51)之上制造的无磁性的隔离层(52)；以及建造在所述无磁性的隔离层(52)之上的并且具有与第一铁磁材料(51)方向相反的磁场方向的第二铁磁材料(53)。
全文摘要
一种改进在磁存储器单元(至少20，80)的至少一个组成层(至少21－25)内<111>晶体结构生长的方法。所述方法包括下列步骤，以足够高的离子能量水平施用所述至少一个组成层，以使得至少一个组成层的排列达到所述<111>晶体结构的高的质量等级。
文档编号H01L43/08GK1577860SQ200410055298
公开日2005年2月9日 申请日期2004年7月16日 优先权日2003年7月16日
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