专利名称：高频滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种特别是复式滤波器(Duplexweiche)型式的高频滤波器。
背景技术：
在无线电技术设备中，例如在移动式无线电领域中，通常只利用一个共用的天线来发射信号和接收信号。其中发射信号和接收信号利用不同的频率范围。所采用的天线必须适合于在两频率范围内发射和接收。为了分离发射信号和接收信号，因此适当的频率过滤是必需的，其确保，一方面来自发射机的发射信号只可达到天线(而不进入接收机的方向)，而另一方面来自天线的接收信号只转送给接收机而不受发射机的干扰。
为此，总是可以采用适当的一对高频滤波器。
利用这样的高频滤波器可以变换不同的方案。这样，例如有可能采用一对高频滤波器，其通过两个规定的(即分别要求的)频带(带通滤波器)。但也有可能采用一对高频滤波器，其抑止两个规定的频带(即分别不符合要求的)(带阻滤波器)。此外也可以采用一对高频滤波器，其由各个滤波器构成，其中一个滤波器通过一位于发射频带与接收频带之间的频率以下的频率而抑止位于其以上的频率(低通滤波器)，而另一滤波器抑止位于发射频带与接收频带之间的频率以下的频率而通过位于其以上的频率(高通滤波器)。最后，上述滤波器型式的其他的组合也是可能的。
这样的滤波器的已知的实现形式是根据带状导线技术、微波带状导线或所谓悬式基片带状导线技术完成的。由于其不大的空间需要和很低的制造成本而建议这些技术。
由在先出版物“Microwave Journal”(微波期刊)Vol.45，No.10，2002年10月根据文章“关于悬式微波带状线的基础的评论”得知作为已知技术的悬式基片带状导线技术。按照该在先出版物，在悬式基片带状导线技术中，一单谐振器包括一在电介质的基片(板)上的导电的表面。电介质板，即基片以对导电的表面一定的平行间距固定，后者构成外壳表面。在基片的下面与外壳表面之间的容积一般充满空气，但也可以包括其他的电介质。此外，在一个单谐振器中所述导电的表面或设置在基片的侧面上，该侧面远离外壳表面，或在其相反的侧面，其面向外壳表面。其中可以使一谐振器的一端短路，而另一端不短路。在这种情况下谐振器的机械长度相当于四分之一电波长度。如果没有短路端，其机械长度相当于电波长度的一半。悬式基片谐振器本身的谐振频率由其长度确定。
同一种型式的高频滤波器例如得知于在先出版物“MICROSTRIPFILTERS FOR RF/MICROWAVE APPLICATIONS”(无线电/波微应用的微波传输带滤波器)，Jia-Sheng Hong和M.J.Lancaster，2001年，特别是得知于其第170页中的图6.5。图中示出带状导线技术中的一种电导线，其中在接近于该导线的不大间距处设有多个U形谐振器或直的即带状延伸的谐振器。其中直线延伸的谐振器或成U形构成的谐振器的各侧边垂直于带状导线形导线延伸。各个谐振器的侧面间距沿带状导线的方向分别为λ/4。
在上述预知的方案中，一般具有50欧姆的波阻抗的贯通的导线与直线延伸的谐振器电容式耦合而与U形谐振器电感式耦合。耦合的尺寸由导线与谐振器之间的间距、谐振器的宽度和基片材料的特性(基片高度和介电常数)确定。耦合的尺寸可以根据对称的结构由一低通原型样机计算求得。
在微波带状导线中，由于基片材料有较高的介电常数，基片中的场浓度高于空气中的。由于基片材料中的杂质和由于基片中高的场浓度，这样的电路会产生高的介电损失。另外，由于缩小的导体结构，在金属导体的区域内产生提高的场浓度。这由于金属表面的阻抗导致导体损失。这两个因素对于微波传输带电路引起较高的损失。该技术的另一缺点是耦合关于侵蚀允差和基片材料的介质常数的散布的敏感性。
滤波器结构的设计例如在悬式基片技术中的带通、即高通或低通或带阻滤波器相对于传统的微波带状导线技术显示出优点，即可以将介电的和金属的损失减至最小。通过基片与外壳表面之间的气隙减少基片材料对场浓度和有效作用的介电常数的影响。基片的部分(即与空气部分相比基片的高度)越低和空气的部分(即基片相对于外壳表面的间距)越高，电路的介电损失越低。此外这能够减少制造技术决定的基片材料的介电常数的波动对电路的电特性的影响。
补充于上述的同一种形式的现有技术也已知，一高频滤波器或一般地一带阻滤波器在悬式基片技术中建立成使各谐振器交替地设置在基片的上面和下面，借此通过基片实现带通的，即高通的或低通的各个谐振器的耦合。
在移动式无线电领域中通常将带通滤波器用于滤波器。这尤其显示出这样的可能性，即由于嵌入超临界耦合可以使通过特性在某一限度内适合于规定的要求。由于一契贝射夫(Tschebyscheff)带通的基本对称的通过特性，其在不对称的要求中不总能采用尽可能少量的谐振器。由于其本身不必要地增加了谐振器数目，损失也增加了。同样不利地影响制造费用和调整费用以及这样的滤波器的构造体积。
发明内容
因此本发明的目的是，提供一种改进的高频滤波器(HF滤波器)，例如以一带阻滤波器的形式，其特别还可以用于复式滤波器(双联滤波器)。
为此，本发明提供一种高频滤波器，
—它设有一板或一基片；
—在板或基片上设一贯通的导线；
—在与贯通的导线相对的一面，在板或基片上设有谐振器；
—各谐振器沿贯通的导线的纵向方向彼此位错设置；
其特征在于，
—各谐振器通过电介质耦合在贯通的导线上；
—至少一个谐振器的至少一部分按下述方式设置，即，在垂直于板或基片观察时，一谐振器的至少一部分
a)与贯通的导线搭接，或
b)离贯通的导线具有一最小的间距，该间距小于或等于贯通的导线横向于其纵向方向的宽度；以及
—贯通的导线具有至少一个导线窄缩部或至少一个导线加宽部。
优选地，平行于板或基片并对其位错地设有一外壳表面。
进一步优选地，在板或基片与外壳表面之间设有电介质。
优选地，各谐振器通过电介质按板或基片的形状耦合在贯通的导线上。
有利地，至少一个谐振器的至少一部分按下述方式设置，即，在垂直于板或基片观察时，至少一个谐振器的至少一部分离开贯通的导线具有一最大的间距，该间距小于或等于贯通的导线的一半宽度。
有利地，在垂直于板或基片观察时，全部的谐振器至少以一部分与贯通的导线搭接或以其最近的端部或部段离贯通的导线具有一最大的间距，该间距小于或等于贯通的导线的一半宽度。
有利地，在两谐振器中间设有至少一个导线窄缩部和/或至少一个导线加宽部。
有利地，贯通的导线至少关于一谐振器，在贯通的导线与谐振器的至少一部段或一部分搭接或在那里对谐振器具有一最小的间距之区域内，具有一导线窄缩部或一导线加宽部。
有利地，各谐振器设在板或基片的面向外壳表面的一面上。
有利地，各谐振器电容式地耦合在贯通的导线上。
优选地，电容式耦合的谐振器包括至少一个直线延伸的带状导线部分，此带状导线部分以其纵向方向横向于特别是垂直于贯通的导线的延伸方向定位。
优选地，电容式耦合的谐振器的宽度相当于导线的导线窄缩部或导线加宽部沿其纵向方向的长度或者对其偏离不大于50％，特别是少于30％。
有利地，HF滤波器的通过特性/抑止特性通过相应的谐振器的长度和/或通过导线窄缩部或导线加宽部的尺寸和/或通过相应的谐振器相对于贯通的导线的偏移或通过在贯通的导线与相应的谐振器的邻近端之间的搭接尺寸可进行调节。
或者，各谐振器电感式耦合在贯通的导线上。
优选地，电感式耦合的谐振器由俯视呈U形或接近U形的带状导线谐振器构成，它们设置成使其相应的中间的连接部分至少近似平行于贯通的导线的邻近部分，其中所述中间的连接部分将至少接近U形的带状导线谐振器的两侧边相互连接。
优选地，带状导线谐振器的各侧边的宽度小于导线窄缩部或导线加宽部的纵向延伸尺寸。
优选地，谐振器的总宽度或耦合长度大于导线窄缩部或导线加宽部的纵向尺寸。
优选地，HF滤波器的通过特性/抑止特性通过相应的谐振器的长度和/或通过导线窄缩部或导线加宽部的尺寸和/或通过相应的谐振器中间相对于贯通的导线的偏移或通过在贯通的导线与相应的谐振器的邻近端之间的搭接尺寸可进行调节。
有利地，由两个高频滤波器装置组成一复式滤波器。
优选地，复式滤波器的一个支线包括一具有电感式耦合的谐振器的带阻滤波器而另一个支线包括一具有电容式耦合的谐振器的带阻滤波器。
优选地，所述复式滤波器在其用于在一较低频率时通过一低频带的一个支线中包括一具有电感式耦合的谐振器的不对称的带阻滤波器，而在用于在较高频率时通过一高频带的另一个支线中包括一具有电容式耦合的谐振器的带阻滤波器。
有利地，高频滤波器的通过特性/抑止特性可调节成使f并联＜f串联。
有利地，滤波器或带阻滤波器构造成不对称的。
通过本发明提供一种改进的高频滤波器，特别是一种还特别以复式滤波器的形式改进的带阻滤波器，其具有改进的高频抑止特性或通过特性，并且其在总体上具有较低的构造费用和组装费用或构造体积。
以悬式基片带状导线技术实现滤波器或复式滤波器的本发明的方案，以便如以上所述一开始就可保持尽可能小的导线与基片的损失。
按照本发明，现在就有可能将带阻滤波器建立成可以实现抑止范围的不对称的分布。这意味着在抑止范围的一边缩小抑止范围与通带范围之间的频率间距，同时在抑止范围的另一边加大抑止范围与通带范围之间的频率间距。
带阻滤波器例如采用电容式耦合的谐振器的电路在抑止范围的上面的或较高的边缘产生从抑止范围到通带范围的过渡的斜度增峭。相反，采用电感式耦合的谐振器的带阻滤波器的电路在相应的抑止范围的下面的或较低的边缘导致从抑止范围到通带范围的过渡的斜度增峭。本发明规定，电路的元件不仅设置在基片的上面也设置在基片的下面。借助于通过基片的耦合可以减小基片材料的介电常数的影响和侵蚀允差的影响。另外借此有可能达到两线路，即谐振器之间的较强的耦合或使一谐振器较强地耦合在一贯通的导线上。
不对称的带阻滤波器的优点是，不同于传统的带通滤波器结构，能以显著较少量的谐振器实现一规定的抑止要求。此外，这样的滤波器或这样的复式滤波器对于直流或低频率的信号是可通过的。也就是说，对于可能的供电线路或数据线路不需要单独的装置用以绕过滤波器。
因此本发明规定，带状导线谐振器通过电介质耦合在一贯通的导线上，并且其中贯通的导线还设有分级，而且优选在谐振器的耦合区域上或耦合点上。可以在加宽导线的方面也可在减小导线宽度(导线窄缩)方面并从而在导线横截面方面构成贯通的导线中的分级。
借此最后有可能得到具有不对称的抑止作用或通带作用的频率分布。
而这样的HF滤波器或这样的带阻滤波器通常建立成使贯通的导线在其相反端设有各一个接插套筒，其上例如可连接通向发射机或通向接收机的接头。
在一优选的实施形式中，可以将两个这样的HF滤波器，即优选两个这样的带阻滤波器联接成一个复式滤波器，其中还优选贯通的导线总共设有三个接插套筒。优选两外面的套筒之一通向一发射机而另一个通向一接收机，其中第三套筒建立向一共同的通信线路的连接，该通信线路在优选的实施形式中通向一共用的天线。因此这样的高频分向滤波器特别适用于移动式无线电的基站。但复式滤波器特别同样还可以优选固定布线地设置于一移动式无线电天线中，因此通常在一安装在一天线杆上的固定的移动式无线电天线的情况下设置于天线本身中，即在天线的天线罩内或邻近于天线在一凸缘上或在天线杆或天线塔本身上。
在一特别优选的实施形式中，一具有电容式耦合的谐振器的带阻滤波器与一具有电感式耦合的谐振器相联接，借此可以在两频带之间实现具有很窄的过滤区的频率分向滤波器。
最后，在一优选的实施形式中同样规定，高频分向滤波器在UMTS间距中没有确定的状态，亦即特别是在从1980MHZ到2110MHZ的频率范围之间是如此。
以下借助于实施例更详细地说明本发明。其中
图1本发明的具有电容式耦合的HF谐振器的第一实施例在抑止范围的上面的频带边缘处的斜度增峭的侧缘的情况下的示意俯视图2按照图1的实施例沿图1中线II-II截取的横剖面；
图3不同于图1的实施例关于具有电感式耦合的HF滤波器在抑止范围的下面的频带宽度处的斜度增峭的侧缘的情况下的示意俯视图4图3的沿线IV-IV截取的横剖面图5用于复式滤波器的实例，其在复式滤波器的一个支线中具有一电感式耦合而在复式滤波器的第二支线中具有一电容式耦合以便各向抑止的频带达到一斜度增峭的侧缘；
图6用于具有在贯通的导线上电容式耦合的谐振器的HF滤波器的等效电路图7用于说明一具有通向较高频率的斜度增峭的侧缘/匹配极点的电容式设置的谐振器的谐振特性的曲线图8用于具有在贯通的导线上电感式耦合的谐振器的HF滤波器的等效电路图9用于说明一具有通向较低频率的斜度增峭的侧缘/匹配极点的电感式设置的谐振器的谐振特性的曲线图。
具体实施方式
图1中示出一具有电容式耦合的谐振器的不对称的带阻滤波器的第一实施例。对此在一电介质板1上安装一在板的上面的贯通的导线3。电介质板1以下也称为基片1。导线3具有相当于板1的长度之长度，从而导线3在该实施例中从板1的左边1’到板1的右边1”构成，亦即从输入端3a到输出端3b。
导线宽度5在不同的线段具有不同于标准规格的宽度。这样，导线宽度5a小于导线宽度5的标准规格而导线宽度5b大于导线宽度5的标准规格。
此外在电介质板1上设有三个谐振器，即9a、9b和9c。谐振器9a至9c具有长度L1、L2或L3和所属的宽度B1、B2或B3。
在基片1的下方并从而在构成在基片下面上的谐振器9的下方间隔开设有一外壳表面11，其在所示的实施例中相当于板1的大小。换言之亦即谐振器9构成在基片1面向外壳表面11的一面上。在基片1与外壳表面11之间具有电介质。其在所示的实施例中为空气。
所述的谐振器9a至9c在所说明的实施例中在其两端是开路的，亦即其长度优选相当于第一谐振频率的半波长。在这样的具有与第一谐振频率相适应的长度的谐振器中电场在谐振器的两端是最大的，反之磁场在两端变成最小的。
图1中以虚线标明设置在基片下面的谐振器。由图1和由按图2的横剖面图中可看出，谐振器9a、9b和9c的一端分别贴邻在基片的相反面的贯通的导线3。也就是说，谐振器9接近贯通的导线3的端部在俯视图中垂直于板1与贯通的导线3的线段搭接或以与其不大的间距终止。正好在谐振器9接近导线3的端部终止的那个区域内贯通的导线3设有所述的导线窄缩部5a或导线加宽部5b。沿导线3的纵向方向延伸的、其中构成导线窄缩部5a或导线加宽部5b的纵向尺寸在所示的实施例中相当于谐振器的宽度B1至B3。此外，该纵向尺寸等于导线窄缩部5a或导线加宽部5b并从而等于全部三个谐振器的尺寸宽度B1至B3。但该尺寸在个别情况中也可以是不同的并且可以彼此不同。
通过在谐振器的端部的电场(在贯通的导线3的区域内)实现相应的谐振器的电容式耦合。对此相应的等效电路图示于图6中。
所述具有电容式耦合的谐振器的系统包括三个电抗。在该系统中，在可选择的频率的情况下激发一个串联谐振和一个并联谐振。
通过按照图1和2在一贯通的导线3上的C串联与并联的电抗L和C并 联的串联电路使该导线3在串联谐振时短路而在并联谐振时作为贯通的导线运行。在串联谐振时C串联和L对于电路的总阻抗是决定性的。也就是说，总电路的阻抗类似于一串联振荡回路的阻抗。亦即电路的阻抗值是低的。在并联谐振时C并联和L对于电路的总阻抗是决定性的。也就是说，总电路的阻抗类似于一并联振荡回路的阻抗。亦即电路的阻抗值是高的。对于导线这在串联谐振时相当于一抑止极点而在并联谐振时相当于一匹配极点。
为了可以尽可能彼此独立地调准抑止频率和通过频率。考虑三个可能的自由度，其在三个可变的或三个独立的量的方面是可调节的。
在电容式耦合的不对称的带阻滤波器的情况中，一可变的自由度涉及相应的谐振器的长度L1、L2或L3。第二变量涉及谐振器与贯通的导线之间的偏移(即沿横向于电导线的纵向的方向的偏移)。第三变量由导线窄缩部5a或导线加宽部5b的尺寸构成。通过这些数值的适当调节可以以要求的程度调节要求的通过特性/抑止特性。此时优选适用。
f串联＜f并联
借此有可能有针对性地修改具有电容式耦合的谐振器的带阻滤波器，使对于给定数目的谐振器减小抑止频带与处于较高频率中的通过频带之间的过渡区。反之，可以以很少量的谐振器满足关于抑止作用预定的要求。
以下针对按照图3和4的实施例，其示出一具有电感式耦合的谐振器的不对称的带阻滤波器。
其中，相同的技术装置/结构具有相同的标记。
不同于按照图1和2的实施例，在按照图3和4的实施例中在电介质板上设置三个成U形弯曲的谐振器19，即谐振器19a、19b和19c，其构成发针式的。各谐振器分别具有长度L1、L2或L3。成U形构成的谐振器的各个侧边的宽度为B1、B2或B3。U形谐振器的总宽度。即其各从其相互平行延伸的侧边的外边缘的延伸尺寸(并从而在两平行延伸的侧边之间的连接段的长度)得出其耦合长度K1、K2或K3。其中各谐振器19，如按照图1和2的实施例中那样，同样构成在贯通的导线3的相反面上并从而构成在基片1的面向外壳表面11的侧面。各谐振器同样又是开路的，即其长度优选相当于第一谐振频率的半波长。在这样的具有相当于如谐振频率的半波长之长度的谐振器中，电场在两端是最大的，而磁场变成最小的。其中在谐振器各端之间的中部电场是最小的而磁场是最大的。
在按照图3和4的实施例中，也将成U形弯曲的谐振器19的中间区域或连接区域19’设置成使该中间区域在俯视图中至少微小地在基片1上与贯通的导线3搭接或与其贴邻。同样在该说明的实施例中贯通的导线3在中间部分19’的区域内又设有一导线窄缩部5a或一导线加宽部5b，其中导线窄缩部5a或导线加宽部5b沿贯通的导线3的纵向方向的长度可以例如是相应的谐振器19的平行的各侧边19b的从内边到内边的内间距但不一定这样。
这里，通过在谐振器的中部的磁场实现相应的谐振器19的电感式耦合。其中相应的等效电路图示于图8中。
该所述具有电感式耦合的谐振器的系统也包括三个电抗。在该系统中在可选择的频率的情况下激发一个串联谐振和一个并联谐振。
通过按照图3和4在一贯通的导线3上的L串联与并联的电抗L并联和C的串联电路使该导线在串联谐振时短路而在并联谐振时作为贯通的导线运行。在并联谐振时C和L并联对于电路的总阻抗是决定性的。也就是说，总电路的阻抗类似于一并联振荡回路的阻抗。亦即电路的阻抗值是高的。在串联谐振时C和L串联对于电路的总阻抗是决定性的。也就是说，总电路的阻抗类似于一串联振荡回路。亦即电路的阻抗是低的。对于导线这在串联谐振时相当于一抑止极点而在并联谐振时相当于一匹配极点。
为了可以尽可能彼此独立地调准抑止频率和通过频率，这里也又给出三个自由度或变量，其关于其数值是可彼此无关地调节的。
在电感式耦合的不对称的带阻滤波器的情况中，一个变量由一相应的谐振器19的长度L1、L2或L3给出。第二变量涉及谐振器与贯通的导线之间的偏移。这里同样再次将偏移理解为一相对尺寸，以该相对尺寸将U形谐振器沿横向于贯通的导线3的横向方向对其相对偏移。连接相应的谐振器19的两侧边的中间区域19’平行于贯通的导线3设置，其中一相应的谐振器19的各个侧边19’横向于贯通的导线3的纵向方向定位。第三变量涉及导线窄缩部5a或导线加宽部5b的尺寸。在该实施例中也可以通过该三个数值的适当调节来调节要求的通过特性或抑止特性。这里优选
f并联＜f串联
借此有可能有针对性地修改具有电感式耦合的谐振器的带阻滤波器，使对于给定数目的谐振器减小抑止频率与处于较低频率中的通过频带之间的过渡区。反之，在预定的抑止作用时可以实现相应的具有很少量的谐振器的电路。
图7中示出按照等效电路图6的一电容式耦合的谐振器的谐振特性，由此通向较高频率的斜率增峭的侧缘(匹配极点)是显而易见的。其中在图解中同时标明通常衰减DD、抑止范围SB以及通带范围DB和失配衰减RD。
图9中示出一电感式耦合的谐振器的谐振特性，而且按照图8中的等效电路图。其中在这里通向较低频率的斜度增峭的侧缘(匹配极点)是可见的。其中也标明失配衰减RD、通带范围DB以及抑止范围SB和通带衰减DD。
以下根据图5进行说明，如同借助于带阻滤波器或HF滤波器，也可以建立一复式滤波器。
图5示出此时两带阻滤波器的可能的联接。其中一按照图1和2的带阻滤波器与一按照图3和4的带阻滤波器联接成一按照图5和6的复式滤波器，而且是这样的，即贯通的导线从第一输入端3a和对置的第二输入端3a’向一共同的位于中部并横向离去的输出导线3b连通。在所示按照图5和6的实施例中，在涉及的复式滤波器的每一支线中，不同于上述各实施例，只设有各两个谐振器。
按照图5的联接可以(如图中所示)通过转换线路，不过也可以通过共同的谐振器以及通过电场或磁场或其他的适当的联接方式来实现。
如果为低频带(即通带范围是在较低的频率时)的分滤波器选择一具有电感式耦合的不对称的带阻滤波器和为较高频带(即通带范围是在较高的频率时)的分滤波器选择一具有电容式耦合的不对称的带阻滤波器，则对于给定数目的谐振器可以使高频带与低频带之间的过渡区减至最小。同样在高频带与低频带之间给定的选通要求时与带通滤波器相比可以实现相应的具有少得多的谐振器的电路。
权利要求1.高频滤波器，
—它设有一板或一基片(1)；
—在板或基片(1)上设一贯通的导线(3)；
—在与贯通的导线(3)相对的一面，在板或基片(1)上设有谐振器(9、19)；
—各谐振器(9、19)沿贯通的导线(3)的纵向方向彼此位错设置；
其特征在于，
—各谐振器(9、19)通过电介质耦合在贯通的导线(3)上；
—至少一个谐振器(9、19)的至少一部分按下述方式设置，即，在垂直于板或基片(1)观察时，一谐振器(9、19)的至少一部分
a)与贯通的导线(3)搭接，或
b)离贯通的导线(3)具有一最小的间距，该间距小于或等于贯通的导线横向于其纵向方向的宽度；以及
—贯通的导线(3)具有至少一个导线窄缩部(5a)或至少一个导线加宽部(5b)。
2.按照权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于，平行于板或基片(1)并对其位错地设有一外壳表面(11)。
3.按照权利要求2所述的高频滤波器，其特征在于，在板或基片(1)与外壳表面(11)之间设有电介质。
4.按照权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于，各谐振器(9、19)通过电介质按板或基片(1)的形状耦合在贯通的导线(3)上。
5.按照权利要求1至4之一项所述的高频滤波器，其特征在于，至少一个谐振器(9、19)的至少一部分按下述方式设置，即，在垂直于板或基片(1)观察时，至少一个谐振器(9、19)的至少一部分离开贯通的导线(3)具有一最大的间距，该间距小于或等于贯通的导线(3a)的一半宽度。
6.按照权利要求1至5之一项所述的高频滤波器，其特征在于，在垂直于板或基片(1)观察时，全部的谐振器(9、19)至少以一部分与贯通的导线(3)搭接或以其最近的端部或部段离贯通的导线(3)具有一最大的间距，该间距小于或等于贯通的导线(3)的一半宽度。
7.按照权利要求1至6之一项所述的高频滤波器，其特征在于，在两谐振器(9、19)中间设有至少一个导线窄缩部(5a)和/或至少一个导线加宽部(5b)。
8.按照权利要求1至6之一项所述的高频滤波器，其特征在于，贯通的导线(3)至少关于一谐振器(9、19)，在贯通的导线(3)与谐振器(9、19)的至少一部段或一部分搭接或在那里对谐振器(9、19)具有一最小的间距之区域内，具有一导线窄缩部(5a)或一导线加宽部(5b)。
9.按照权利要求2至8之一项所述的高频滤波器，其特征在于，各谐振器(9、19)设在板或基片(1)的面向外壳表面(11)的一面上。
10.按照权利要求1至9之一项所述的高频滤波器，其特征在于，各谐振器(9)电容式地耦合在贯通的导线(3)上。
11.按照权利要求10所述的高频滤波器，其特征在于，电容式耦合的谐振器包括至少一个直线延伸的带状导线部分，此带状导线部分以其纵向方向横向于贯通的导线(3)的延伸方向定位。
12.按照权利要求11所述的高频滤波器，其特征在于，所述带状导线部分以其纵向方向垂直于贯通的导线的延伸方向定位。
13.按照权利要求10或11所述的高频滤波器，其特征在于，电容式耦合的谐振器(9)的宽度(B1、B2、B3)相当于导线(3)的导线窄缩部(5a)或导线加宽部(5b)沿其纵向方向的长度或者对其偏离不大于50％。
14.按照权利要求13所述的高频滤波器，其特征在于，所述偏离少于30％。
15.按照权利要求1至14之一项所述的高频滤波器，其特征在于，HF滤波器(9)的通过特性/抑止特性通过相应的谐振器(9a、9b、9c)的长度(L1、L2、L3)和/或通过导线窄缩部(5a)或导线加宽部(5b)的尺寸和/或通过相应的谐振器(9a、9b、9c)相对于贯通的导线(3)的偏移或通过在贯通的导线(3)与相应的谐振器(9，9a、9b、9c)的邻近端之间的搭接尺寸可进行调节。
16.按照权利要求1至9之一项所述的高频滤波器，其特征在于，各谐振器(9)电感式耦合在贯通的导线(3)上。
17.按照权利要求1至9之一项或16所述的高频滤波器，其特征在于，电感式耦合的谐振器由俯视呈U形或接近U形的带状导线谐振器构成，它们设置成使其相应的中间的连接部分(19′)至少近似平行于贯通的导线(3)的邻近部分，其中所述中间的连接部分(19′)将至少接近U形的带状导线谐振器的两侧边(19″)相互连接。
18.按照权利要求1至9、16或17之一项所述的高频滤波器，其特征在于，带状导线谐振器的各侧边的宽度(B1、B2、B3)小于导线窄缩部(5a)或导线加宽部(5b)的纵向延伸尺寸。
19.按照权利要求1至9或16至18之一项所述的高频滤波器，其特征在于，谐振器(19)的总宽度或耦合长度(K1、K2、K3)大于导线窄缩部(5a)或导线加宽部(5b)的纵向尺寸。
20.按照权利要求1至9或16至19之一项所述的高频滤波器，其特征在于，HF滤波器(19)的通过特性/抑止特性通过相应的谐振器(9a、9b、9c)的长度(L1、L2、L3)和/或通过导线窄缩部(5a)或导线加宽部(5b)的尺寸和/或通过相应的谐振器(9，9a、9b、9c)中间相对于贯通的导线(3)的偏移或通过在贯通的导线(3)与相应的谐振器(9，9a、9b、9c)的邻近端之间的搭接尺寸可进行调节。
21.按照权利要求1至20之一项所述的高频滤波器，其特征在于，由两个高频滤波器装置(9、19)组成一复式滤波器。
22.按照权利要求21所述的高频滤波器，其特征在于，复式滤波器的一个支线包括一具有电感式耦合的谐振器(9)的带阻滤波器而另一个支线包括一具有电容式耦合的谐振器(19)的带阻滤波器。
23.按照权利要求21或22之一项所述的高频滤波器，其特征在于，所述复式滤波器在其用于在一较低频率时通过一低频带的一个支线中包括一具有电感式耦合的谐振器(9)的不对称的带阻滤波器，而在用于在较高频率时通过一高频带的另一个支线中包括一具有电容式耦合的谐振器(19)的带阻滤波器。
24.按照权利要求1至23之一项所述的高频滤波器，其特征在于，高频滤波器的通过特性/抑止特性可调节成使f并联＜f串联。
25.按照权利要求1至24之一项所述的高频滤波器，其特征在于，滤波器或带阻滤波器构造成不对称的。
专利摘要一种改进的高频滤波器，其特征在于具有下列特点各谐振器(9、19)通过电介质，尤其是按板或基片(1)的形状耦合在贯通的导线(3)上；谐振器(9、19)的至少一部分设置成使得在垂直于板或基片(1)观察时谐振器(9、19)的至少一部分与贯通的导线(3)搭接；以及贯通的导线(3)至少在一谐振器(9、19)中在贯通的导线(3)与谐振器(9、19)的至少一部段或一部分搭接的区域或部段内具有一导线窄缩部(5a)和一导线加宽部(5b)。
文档编号H01P1/203GK2711914SQ20042000496
公开日2005年7月20日 申请日期2004年3月10日 优先权日2003年6月5日
发明者弗朗兹·罗特莫泽, 威廉·韦岑伯格 申请人:凯瑟雷恩工厂两合公司