专利名称：蚀刻方法及接触窗开口的形成方法
技术领域：
本发明涉及一种蚀刻方法，特别是涉及一种可缩小关键尺寸的蚀刻方法。
背景技术：
在集成化的要求愈来愈高的情况下，整个半导体元件大小的设计往缩小尺寸上发展。集成电路的工艺将图案线距缩小化的方法，大多是利用具有高分辨率的光刻工艺来达成。但是高分辨率的光刻工艺由于本质光学的限制因此技术较为困难而且成本也较为昂贵。
目前有一种蚀刻工艺方法，可以不需利用高分辨率的光刻工艺即可达到缩小蚀刻后的关键尺寸的目的。此方法以既有的光刻工艺形成显影后检查关键尺寸(ADI CD)，之后使用富聚合物(polymer rich)与低功率(lower power)的配方来进行蚀刻，以使得蚀刻后检查的关键尺寸小于显影后检查的关键尺寸。然而，以此方法进行蚀刻时，容易造成光致抗蚀剂层及抗反射层扩口的问题，而使得蚀刻后的开口的关键尺寸无法达到所需者。另一方面，以此蚀刻方法对于缩小蚀刻后的关键尺寸有其限度，因此若无法有效缩小关键尺寸，所形成的接触窗开口间的距离会过于接近，甚至于会出现重叠的部分，而容易使得后续形成的接触窗产生桥接的现象，使元件的可靠性下降。
发明内容
本发明的目的就是在提供一种蚀刻方法，可以有效缩小蚀刻后的关键尺寸。
本发明的再一目的是提供一种蚀刻方法，可缩小关键尺寸的线宽，以提高集成电路的集成度。
本发明的又一目的是提供一种接触窗的形成方法，可避免接触窗的桥接现象，以提高半导体元件的可靠性。
本发明提出一种蚀刻方法，适用于半导体基底，其表面上依序具有介电层及抗反射层，首先于抗反射层上形成图案化光致抗蚀剂层。接着，以图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行第一蚀刻步骤，以至少移除暴露出的抗反射层。然后，以图案化光致抗蚀剂层及抗反射层作为掩模，进行第二蚀刻步骤，以移除部分介电层。接着，移除图案化光致抗蚀剂层。其中，第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤在不同的温度下进行。
依照本发明实施例所述，上述第一蚀刻步骤的温度低于第二蚀刻步骤的温度。第一蚀刻步骤的温度低于第二蚀刻步骤的温度5-20℃。第一蚀刻步骤的温度范围包括在0℃～30℃之间。第二蚀刻步骤的温度范围包括在30℃～50℃之间。此外，第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤可在不同的反应腔室中进行。
依照本发明实施例所述，上述的蚀刻方法在进行第一蚀刻步骤的过程中，会于图案化光致抗蚀剂层的侧壁上形成聚合物间隙壁。
本发明提出一种蚀刻方法，适用于半导体基底，其表面上依序具有介电层及抗反射层，首先于抗反射层上形成图案化光致抗蚀剂层。接着，以图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行第一蚀刻步骤，以至少移除暴露出的抗反射层，此第一蚀刻步骤使用第一含氟的烃类化合物作为蚀刻气体。然后，以图案化光致抗蚀剂层及抗反射层作为掩模，进行第二蚀刻步骤，以移除部分介电层，此第二蚀刻步骤使用第二含氟的烃类化合物作为蚀刻气体。且第一含氟的烃类化合物中的氢原子含量小于第二含氟的烃类化合物的氢原子含量。接着，移除图案化光致抗蚀剂层。
依照本发明实施例所述，上述第一蚀刻步骤中的第一含氟的烃类化合物包括四氟甲烷(CF4)，且所使用的蚀刻气体还包括八氟丁烯(C4F8)及六氟丁炔(C4F6)的混合气体，此外，所使用的蚀刻气体可还包括一氧化碳(CO)或氧(O2)。
依照本发明实施例所述，上述的蚀刻方法中，第二蚀刻步骤包括主蚀刻步骤及过度蚀刻步骤。主蚀刻步骤所使用的第二含氟的烃类化合物包括三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)，且可还包括一氟甲烷(CH3F)、氩(Ar)或氧。过度蚀刻步骤所使用的第二含氟的烃类化合物包括六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯，且可还包括氧或氩。
依照本发明实施例所述，上述第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤在不同的温度下进行，且第一蚀刻步骤的温度低于第二蚀刻步骤的温度。第一蚀刻步骤的温度低于第二蚀刻步骤的温度5-20℃。第一蚀刻步骤的温度范围包括在0℃～30℃之间。第二蚀刻步骤的温度范围包括在30℃～50℃之间。
依照本发明实施例所述，上述的蚀刻方法中，第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤包括在不同的反应腔室中进行。
依照本发明实施例所述，上述的蚀刻方法包括在进行第一蚀刻步骤的过程中，会于图案化光致抗蚀剂层的侧壁上形成聚合物间隙壁。
本发明提出一种接触窗开口的形成方法，首先提供一基底，在基底上已形成有导电区。接着，于基底上形成介电层并覆盖导电区。然后，于介电层上形成抗反射层。接下来，于抗反射层上形成图案化光致抗蚀剂层。之后，以图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行第一蚀刻步骤，以至少移除暴露出的抗反射层。继之，以图案化光致抗蚀剂层及抗反射层作为掩模，进行第二蚀刻步骤以移除介电层并暴露出导电区。接着，移除图案化光致抗蚀剂层。其中，第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤在不同的温度下进行。
依照本发明实施例所述，上述第一蚀刻步骤的温度低于第二蚀刻步骤的温度，且上述第一蚀刻步骤的温度低于第二蚀刻步骤的温度至少5-20℃以上。第一蚀刻步骤的温度范围在0℃～30℃之间；第二蚀刻步骤的温度范围在30℃～50℃之间。
依照本发明实施例所述，上述第一蚀刻步骤中使用第一含氟的烃类化合物，在第二蚀刻步骤中使用第二含氟的烃类化合物。
依照本发明实施例所述，上述的接触窗开口的形成方法中，第一含氟的烃类化合物包括四氟甲烷，且可还包括八氟丁烯及六氟丁炔的混合气体。此外，所使用的蚀刻气体可还包括氧化碳或氧。第二蚀刻步骤包括主蚀刻步骤及过度蚀刻步骤。主蚀刻步骤所使用的第二含氟的烃类化合物包括三氟甲烷、二氟甲烷，且可再包括氟甲烷，此外可再添加氩或氧。过度蚀刻步骤所使用的第二含氟的烃类化合物包括六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯，且可还包括氧或氩。
依照本发明实施例所述，上述的接触窗开口的形成方法中，第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤包括在不同的反应腔室中进行。
依照本发明实施例所述，上述的接触窗开口的形成方法包括在进行第一蚀刻步骤的过程中，会于图案化光致抗蚀剂层的侧壁上形成聚合物间隙壁。
依照本发明实施例所述，上述的接触窗开口的形成方法还包括于形成介电层之前，于导电区上形成金属硅化物。
依照本发明实施例所述，上述的接触窗开口的形成方法中，金属硅化物的材料包括硅化镍、硅化钨或硅化钴。
依照本发明实施例所述，上述的接触窗开口的形成方法还包括于形成介电层之前，于基底上形成蚀刻终止层，且在进行第二蚀刻步骤之后移除部分蚀刻终止层。
依照本发明实施例所述，上述的接触窗开口的形成方法还包括于形成抗反射层之前，于介电层上形成硬掩模层，且于第一蚀刻步骤中移除部分硬掩模层。
采用本发明所提出的蚀刻方法可于图案化光致抗蚀剂层侧壁及表面上形成间隙壁，如此一来，可以降低在蚀刻过程中光致抗蚀剂层的消耗，并减少在对抗反射层进行蚀刻时，在光致抗蚀剂层及抗反射层产生的扩口的问题，而可以较大的显影后的关键尺寸得到较小的蚀刻后的关键尺寸，有效缩小元件的关键尺寸。更值得一提的是，采用本发明所提出的蚀刻方法，可有效提高蚀刻选择比另一方面，依照本发明所提出的接触窗的形成方法，可缩小所形成的接触窗开口的关键尺寸，以避免接触窗开口间的距离会过于接近，而防止后续形成的接触窗产生桥接的现象，因此可提高元件的可靠性。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图作详细说明如下。
图1A～图1F依照本发明一实施例所绘示的接触窗开口的制造流程剖面图。
简单符号说明100半导体基底101隔离结构102栅介电层104栅极106间隙壁108源极区110漏极区
112金属硅化物114蚀刻终止层115介电层116无掺杂玻璃层118磷硅玻璃层120顶盖层122硬掩模层124抗反射层126图案化光致抗蚀剂层128聚合物间隙壁130聚合物层132接触窗开口具体实施方式
图1A～图1F绘示本发明一实施例的接触窗开口的制造流程剖面图。图1A绘示形成于半导体基底100上的金氧半导体元件，此金氧半导体元件通过隔离结构101，例如是浅沟渠隔离结构与其它元件进行隔离。金氧半导体元件的栅极104形成于栅介电层102上；而间隙壁106形成于栅极104的侧壁上。源极区108与漏极区110形成于栅极104两侧的半导体基底100中。在另一实施例中，还可于栅极104、源极区108及漏极区110上形成金属硅化物112，其材料例如是硅化镍、硅化钨或硅化钴等，以降低阻值。上述金氧半导体各构件的材料与形成方法，于此技术领域中具有通常知识者所周知，于此不再赘述。
接着，请参照图1B，于半导体基底100上形成介电层115并覆盖于栅极104、源极区108及漏极区110，介电层115例如是由无掺杂玻璃层116与磷硅玻璃层118所组成。而介电层115的形成方法例如是先进行一化学气相沉积工艺，以于半导体基底100上形成无掺杂玻璃层116，再进行另一化学气相沉积工艺，以于无掺杂玻璃层116上形成磷硅玻璃层118。其中，无掺杂玻璃层116可抑制磷硅玻璃层118中磷掺杂物的移动，防止可能产生的电性缺陷。另外，可于形成介电层115之前，形成蚀刻终止层114，其材料例如是氮化硅，形成的方法例如是化学气相沉积法。形成蚀刻终止层114的目的在防止后续形成接触窗的过程中发生过度蚀刻而破坏源/漏极区结进而产生漏电流的情况。
然后，请参照图1C，于介电层118上形成抗反射层124，其材料例如是钛/氮化钛(Ti/TiN)，形成的方法例如是化学气相沉积法。在另一实施例中，于形成抗反射层124之前，可先形成硬掩模层122，其材料例如是氮氧化硅，形成的方法例如是化学气相沉积法，其作用为当图案化光致抗蚀剂层126在蚀刻过程中消耗殆尽时，作为掩模层使用以防止下方膜层受到破坏。此外，可于形成硬掩模层122之前，先于介电层115上形成顶盖层(cap layer)120，其材料例如是氧化硅，形成的方法例如是以四乙氧基硅烷(TEOS)为反应气体源，利用化学气相沉积法形成之。
接下来，请参照图1D，于抗反射层124上形成图案化光致抗蚀剂层126。之后，以图案化光致抗蚀剂层126为掩模，进行第一蚀刻步骤，以至少移除暴露出的抗反射层124。此第一蚀刻步骤中的反应温度例如是在0～30℃之间，使用含氟的烃类化合物作为蚀刻气体，例如是四氟甲烷。在蚀刻气体中可添加如八氟丁烯及六氟丁炔的混合气体。此外，依照光致抗蚀剂的特性可再添加如一氧化碳或氧等气体。在另一实施例中，此第一蚀刻步骤可移除抗反射层124以及硬掩模层122、顶盖层120及一部分的介电层115。
值得注意的是，在本发明另一实施例中，于第一蚀刻步骤的反应温度下，所采用的蚀刻气体-含氟的烃类化合物会与图案化光致抗蚀剂层126产生反应，而于图案化光致抗蚀剂层126的侧壁上形成聚合物间隙壁128。如此一来，聚合物间隙壁128可保护图案化光致抗蚀剂层126，以减缓图案化光致抗蚀剂层126在蚀刻过程中的消耗速度，并防止图案化光致抗蚀剂层126与抗反射层124所产生的扩口现象。同时，可有效缩小介电层115在蚀刻后的关键尺寸。此外，因所形成的接触窗开口的关键尺寸缩小，可避免后续形成的接触窗(未绘示)之间的距离过于接近而产生桥接现象，以提高半导体元件的可靠性。
继之，请参照图1E，以图案化光致抗蚀剂层126、抗反射层124、硬掩模层122及顶盖层120作为掩模，进行第二蚀刻步骤以移除部分介电层115。在第二蚀刻步骤中的反应温度大于第一蚀刻步骤的反应温度，且两者间的温度差例如是在5～20℃之间。其中，第二蚀刻步骤的反应温度例如是在30～50℃之间。另一方面，在第二蚀刻步骤中例如是使用含氟的烃类化合物作为蚀刻气体，可有效提高蚀刻选择比。在另一实施例中，第一蚀刻步骤中含氟的烃类化合物的氢原子含量大于第二蚀刻步骤中含氟的烃类化合物的氢原子含量。
上述第二蚀刻步骤可包括主蚀刻步骤及过度蚀刻步骤，其中主蚀刻步骤至少移除磷硅玻璃层118，所使用的含氟的烃类化合物例如是三氟甲烷、二氟甲烷，还可添加如一氟甲烷等气体。此外，依照光致抗蚀剂的特性可于反应器体中添加如氩或氧等气体。
在主蚀刻步骤中，含氟的烃类化合物会与图案化光致抗蚀剂层126产生反应，而于图案化光致抗蚀剂层126表面及侧壁上均匀沉积形成一聚合物层130，其材料例如是短碳链的聚合物，可用以保护图案化光致抗蚀剂层126，以提高图案化光致抗蚀剂层126在蚀刻过程中的保存能力。
另一方面，在过度蚀刻步骤中移除无掺杂玻璃层116，其中所使用的含氟的烃类化合物例如是六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯，且依照光致抗蚀剂特性可于反应气体中添加氧或氩等气体，以使得过度蚀刻步骤可停在蚀刻终止层114之上。
在另一实施例中，上述第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤因为操作的温度不同，因此，可在不同的反应腔室中进行。
接着，请参照图1F移除聚合物层130、图案化光致抗蚀剂层126及间隙壁128，移除的方法例如是干式蚀刻法。然后，移除抗反射层124，移除的方法例如是干式蚀刻法。接下来，移除部分蚀刻终止层114，以暴露出漏极区110上方的金属硅化物112，而形成接触窗开口132，移除的方法例如是湿式蚀刻法，如利用热磷酸法进行之。另一实施例中，在移除部分蚀刻终止层的114的同时，会一并移除硬掩模层122。至此，已完成接触窗开口132，而后续形成接触窗或是金属内连线等其它半导体工艺，为此技术领域中具有通常知识者所周知，于此不在赘述。
在上述实施例中，第一蚀刻步骤及第二蚀刻步骤的蚀刻方法在不同的反应温度及反应气体中进行蚀刻，意即对温度及反应气体进行调整，以达到缩小蚀刻后的关键尺寸、减少图案化光致抗蚀剂层126在蚀刻过程中的消耗防止图案化光致抗蚀剂层126与抗反射层124发生扩口的问题及提高蚀刻选择比等功效。
综上所述，在本发明的至少具有下列优点
1.利用本发明的蚀刻方法进行蚀刻，能以较大的显影后的关键尺寸得到较小的蚀刻后的关键尺寸，可缩小关键尺寸以提高元件集成度。
2.本发明所提出的蚀刻方法会于图案化光致抗蚀剂层上形成聚合物对其进行保护，可提高图案化光致抗蚀剂层的保存能力，以避免图案化光致抗蚀剂层与抗反射层产生扩口的问题。。
3.本发明所提出的蚀刻方法具有较高的蚀刻选择比。
4.依照本发明所提出的接触窗的形成方法所形成的接触窗开口的关键尺寸较小，可减少接触窗的桥接现象，以提高半导体元件的可靠性。
虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种蚀刻方法，适用于一半导体基底，其表面上依序具有一介电层及一抗反射层，该方法包括下列步骤于该抗反射层上形成一图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层裸露出部分该抗反射层；以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一蚀刻步骤，以至少移除暴露出的该抗反射层；以及以该图案化光致抗蚀剂层作为掩模，进行一第二蚀刻步骤，以移除部分该介电层，其中，该第一蚀刻步骤与该第二蚀刻步骤在不同的温度下进行；以及移除该图案化光致抗蚀剂层。
2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤的温度低于该第二蚀刻步骤的温度。
3.如权利要求2所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤的温度低于该第二蚀刻步骤的温度5-20℃。
4.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤的温度范围包括在0℃～30℃之间。
5.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该第二蚀刻步骤的温度范围包括在30℃～50℃之间。
6.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤与该第二蚀刻步骤包括在不同的反应腔室中进行。
7.如权利要求1所述的蚀刻方法，其中在进行该第一蚀刻步骤的过程中，会于该图案化光致抗蚀剂层的侧壁上形成一聚合物间隙壁。
8.一种蚀刻方法，适用于一半导体基底，其表面上依序具有一介电层及一抗反射层，该方法包括下列步骤于该抗反射层上形成一图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层裸露出部分该抗反射层；以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一蚀刻步骤，以至少移除暴露出的该抗反射层，该第一蚀刻步骤使用一第一含氟的烃类化合物作为蚀刻气体；以及以该图案化光致抗蚀剂层作为掩模，进行一第二蚀刻步骤，以移除部分该介电层，该第二蚀刻步骤使用一第二含氟的烃类化合物作为蚀刻气体，其中，该第一含氟的烃类化合物中的氢原子含量小于该第二含氟的烃类化合物的氢原子含量；以及移除该图案化光致抗蚀剂层。
9.如权利要求8所述的蚀刻方法，其中该第一含氟的烃类化合物包括四氟甲烷(CF4)。
10.如权利要求9所述的蚀刻方法，在该第一蚀刻步骤中，所使用的蚀刻气体还包括八氟丁烯(C4F8)及六氟丁炔(C4F6)的混合气体。
11.如权利要求10所述的蚀刻方法，在该第一蚀刻步骤中，所使用的蚀刻气体还包括一氧化碳(CO)或氧(O2)。
12.如权利要求8所述的蚀刻方法，其中该第二蚀刻步骤包括一主蚀刻步骤及一过度蚀刻步骤。
13.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中该主蚀刻步骤所使用的该第二含氟的烃类化合物包括三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)。
14.如权利要求13所述的蚀刻方法，其中该主蚀刻步骤所使用的蚀刻气体还包括一氟甲烷(CH3F)。
15.如权利要求14所述的蚀刻方法，其中该主蚀刻步骤所使用的蚀刻气体还包括氩(Ar)或氧。
16.如权利要求12所述的蚀刻方法，其中该过度蚀刻步骤所使用的该第二含氟的烃类化合物包括六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯。
17.如权利要求16所述的蚀刻方法，其中该过度蚀刻步骤所使用的蚀刻气体还包括氧或氩。
18.如权利要求8所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤与该第二蚀刻步骤在不同的温度下进行。
19.如权利要求18所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤的温度低于该第一蚀刻步骤的温度。
20.如权利要求19所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤的温度低于该第二蚀刻步骤的温度5-20℃。
21.如权利要求18所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤的温度范围包括在0℃～30℃之间。
22.如权利要求18所述的蚀刻方法，其中该第二蚀刻步骤的温度范围包括在30℃～50℃之间。
23.如权利要求18所述的蚀刻方法，其中该第一蚀刻步骤与该第二蚀刻步骤在不同的反应腔室中进行。
24.如权利要求8所述的蚀刻方法，包括在进行该第一蚀刻步骤的过程中，会于该图案化光致抗蚀剂层的侧壁上形成一聚合物间隙壁。
25.一种接触窗开口的形成方法，包括提供一基底，在该基底上已形成有一导电区；于该基底上形成一介电层并覆盖该导电区；于该介电层上形成一抗反射层；于该抗反射层上形成一图案化光致抗蚀剂层；以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一蚀刻步骤，以至少移除暴露出的该抗反射层；以及以该图案化光致抗蚀剂层及该抗反射层作为掩模，进行一第二蚀刻步骤以移除该介电层并暴露出该导电区，其中，该第一蚀刻步骤与该第二蚀刻步骤在不同的温度下进行；以及移除该图案化光致抗蚀剂层。
26.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，其中该第一蚀刻步骤的温度低于该第二蚀刻步骤的温度。
27.如权利要求26所述的接触窗开口的形成方法，其中该第一蚀刻步骤的温度低于该第二蚀刻步骤的温度5-20℃。
28.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，其中该第一蚀刻步骤的温度范围包括在0℃～30℃之间。
29.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，其中该第二蚀刻步骤的温度范围包括在30℃～50℃之间。
30.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，还包括在该第一蚀刻步骤中使用一第一含氟的烃类化合物，在该第二蚀刻步骤中使用一第二含氟的烃类化合物。
31.如权利要求30所述的接触窗开口的形成方法，其中该第一含氟的烃类化合物包括四氟甲烷。
32.如权利要求31所述的接触窗开口的形成方法，在该第一蚀刻步骤中，所使用的蚀刻气体还包括八氟丁烯及六氟丁炔的混合气体。
33.如权利要求30所述的接触窗开口的形成方法，其中该第二蚀刻步骤包括一主蚀刻步骤及一过度蚀刻步骤。
34.如权利要求33所述的接触窗开口的形成方法，其中该主蚀刻步骤所使用的该第二含氟的烃类化合物包括三氟甲烷、二氟甲烷。
35.如权利要求34所述的接触窗开口的形成方法，其中该主蚀刻步骤所使用的蚀刻气体还包括一氟甲烷。
36.如权利要求33所述的接触窗开口的形成方法，其中该过度蚀刻步骤所使用的该第二含氟的烃类化合物包括六氟丁炔、八氟戊炔或八氟丁烯。
37.如权利要求36所述的接触窗开口的形成方法，其中该过度蚀刻步骤所使用的蚀刻气体还包括氧或氩。
38.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，其中该第一蚀刻步骤与该第二蚀刻步骤在不同的反应腔室中进行。
39.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，包括在进行该第一蚀刻步骤的过程中，会于该图案化光致抗蚀剂层的侧壁上形成一聚合物间隙壁。
40.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，还包括于形成该介电层之前，于该导电区上形成一金属硅化物。
41.如权利要求40所述的接触窗开口的形成方法，其中该金属硅化物的材料包括硅化镍、硅化钨或硅化钴。
42.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，还包括于形成该介电层之前，于该基底上形成一蚀刻终止层，且在进行第二蚀刻步骤之后移除部分该蚀刻终止层。
43.如权利要求25所述的接触窗开口的形成方法，还包括于形成该抗反射层之前，于该介电层上形成一硬掩模层，且于该第一蚀刻步骤中移除部分该硬掩模层。
全文摘要
一种蚀刻方法，包括第一蚀刻步骤与第二蚀刻步骤，此二蚀刻步骤使用不同的反应温度，且第二蚀刻步骤的反应温度高于第一蚀刻步骤的反应温度。藉此，可利用较大的显影后的关键尺寸形成较小的蚀刻后的关键尺寸。
文档编号H01L21/28GK1885495SQ200510079419
公开日2006年12月27日 申请日期2005年6月21日 优先权日2005年6月21日
发明者周珮玉, 廖俊雄 申请人:联华电子股份有限公司