专利名称：一种多晶锗硅肖特基二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种多晶锗硅肖特基二极管。
背景技术：
多晶锗硅肖特基二极管主要应用在一些并不需要很高的整流比或频率的场合，但是随着对器件要求越来越高，希望能够在不提高器件成本的情况下，获得高整流比的多晶锗硅肖特基二极管。但是目前多数多晶锗硅肖特基二极管采用横向器件结构，导致器件的整流特性降低，反向漏电流大。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种具有高整流比的多晶锗硅肖特基二极管。
本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。
多晶锗硅肖特基二极管的制作方法，包括以下步骤1)将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，通入纯氧于900～1200℃下热氧化一层0.2～0.3μm的二氧化硅层；2)利用电子束蒸发在热氧化后的硅片上蒸镀一层厚为30～60nm的金属镍或金属钴；3)将镀好镍或钴的样品放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，通入纯硅源与以氢气为载气的锗烷，锗烷的体积含量为锗烷与氢气混和气体的10％，纯硅烷跟锗烷与氢气混和气体的流量比为5∶5，生长室压强10～70Pa，生长多晶锗硅薄膜，锗硅薄膜厚为0.5～1μm；4)在步骤3)所得制品上涂上一层光刻胶，并光刻出窗口；5)利用锗硅选择性腐蚀溶液，将未被光刻胶覆盖的锗硅腐蚀掉；6)将腐蚀好的样品去掉光刻胶后，放入溅射设备中，在多晶锗硅层上溅射金属层，然后在350～450℃下进行合金化至少10分钟。
上述的锗硅选择性腐蚀液由体积浓度为6％的氢氟酸稀释溶液、体积浓度为30％的双氧水溶液和体积浓度为99.8％的乙酸配置而成，氢氟酸稀释溶液和双氧水溶液及乙酸的体积比为1∶2∶3。
溅射在多晶锗硅层上金属可以是铝，金或铜，优选铝。所述的硅源可以是纯度＞99.999％的硅烷或乙硅烷；氧源的纯度＞99.99％。
本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管由于利用生长过程中形成的镍或钴硅化物具有低的薄层电阻，它们能够与多晶锗硅形成欧姆接触，多晶锗硅在镍硅化物或钴硅化物层上，因而可以有效的降低多晶锗硅肖特基二极管的串联电阻，从而能够有效的提高器件的整流比以及降低反向漏电流。
图1是多晶锗硅肖特基二极管的结构示意图；具体实施方式
以下结合具体实例进一步说明本实用新型。
参照图1，本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管包括自下而上依次迭置的硅衬底1、二氧化硅层2、镍硅化物或钴硅化物层3、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层3上面的多晶锗硅层4与欧姆接触电极6以及迭在多晶锗硅层4上面的势垒金属层5。
锗硅肖特基二极管的制作方法，步骤如下1)将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，通入纯度为99.99％的氧于1100℃下热氧化一层0.2μm的二氧化硅层；2)将所得制品放入电子束蒸发设备中，在热氧化后的硅片上蒸镀一层厚为30nm的金属镍；3)将镀好镍的样品放入超高真空化学气相沉积装置中，530℃下，通入纯度为99.999％的硅烷与以氢气为载气的锗烷，锗烷的体积含量为锗烷与氢气混和气体的10％，纯硅烷跟锗烷与氢气混和气体的流量比为5∶5，生长室压强10Pa，生长多晶锗硅薄膜，锗硅薄膜厚为0.5μm；4)将步骤3)所得制品上涂上一层光刻胶，利用标准光刻工艺，光刻出窗口；5)利用锗硅选择性腐蚀溶液，将未被光刻胶覆盖的锗硅腐蚀掉；锗硅选择性腐蚀液由体积浓度为6％的氢氟酸稀释溶液、体积浓度为30％的双氧水溶液和体积浓度为99.8％的乙酸配置而成，氢氟酸稀释溶液和双氧水溶液及乙酸的体积比为1∶2∶3。
6)将腐蚀好的样品去掉光刻胶后，放入溅射设备中，在多晶锗硅层上溅射厚为200nm的铝，然后在450℃下进行铝合金化10分钟。
根据器件要求，可以将步骤6)的铝电极进行反刻，去掉多余的金属铝。
权利要求1.一种多晶锗硅肖特基二极管，其特征在于包括自下而上依次迭置的硅衬底(1)、二氧化硅层(2)、镍硅化物或钴硅化物层(3)、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层(3)上面的多晶锗硅层(4)与欧姆接触电极(6)以及迭在多晶锗硅层(4)上面的势垒金属层(5)。
专利摘要本实用新型的多晶锗硅肖特基二极管，包括自下而上依次迭置的硅衬底、二氧化硅层、镍硅化物或钴硅化物层、并列迭在镍硅化物或钴硅化物层上面的多晶锗硅层与欧姆接触电极以及迭在多晶锗硅层上面的势垒金属层。该多晶锗硅肖特基二极管利用生长过程中形成的镍或钻硅化物具有低的薄层电阻，它们能够与多晶锗硅形成欧姆接触，多晶锗硅在镍硅化物或钴硅化物层上，因而可以有效地降低多晶锗硅肖特基二极管的串联电阻，从而能够有效的提高器件的整流比以及降低反向漏电流。
文档编号H01L29/66GK2826700SQ20052001450
公开日2006年10月11日 申请日期2005年8月30日 优先权日2005年8月30日
发明者叶志镇, 吴贵斌, 赵星, 刘国军 申请人:浙江大学