具有垂直发射方向的表面发射的半导体激光器部件的制作方法

专利名称：具有垂直发射方向的表面发射的半导体激光器部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有垂直发射方向的表面发射的半导体激光器部件，特别是电泵浦的半导体激光器部件，其被设置用于借助光学谐振器来产生激光辐射，并且包括具有半导体层序列的半导体本体，其中半导体层序列具有横向的主伸展方向和设置用来产生辐射的有源区。
在传统的电泵浦的、表面发射的半导体激光器部件中，由于半导体本体的半导体材料在横向方向上的导电性一般很低，所以泵浦电流经常通过电流扩展层从半导体本体的n型导电侧注入该半导体本体中。对此，例如使用由III-V半导体材料、如n-GaAs构成的层。然而，这种电流扩展层经常同样具有在横向方向上低的、通常与半导体本体的导电性类似的导电性，或者吸收有源区中所产生的辐射。由于导电性低，所以必须经常以大厚度来实施这样的电流扩展层以便有效地注入电流，但由此提高了在电流扩展层中被吸收的辐射功率。总之，由于吸收和/或在横向方向上的小的导电性，提高了使半导体激光器部件的效率降低的风险。
本发明的任务在于，说明一种改进的表面发射的半导体激光器部件。
根据本发明，该任务通过具有权利要求1所述特征的半导体激光器部件来解决。本发明的有利的改进方案是从属权利要求的主题。
一种根据本发明的、具有垂直发射方向的表面发射的半导体激光器部件包括具有半导体层序列的半导体本体，其中该半导体激光器部件被设置用于借助外部光学谐振器来产生激光辐射，半导体层序列具有横向的主伸展方向和为产生辐射而设置的有源区，其中在谐振器内设置有辐射透射的接触层并且该接触层与半导体本体导电地相连。优选的是，借助辐射透射的接触层来电泵浦半导体激光器部件。
通过这样的方式可以有利地减小有吸收作用的电流扩展层中的吸收损耗，这对部件的的效率和/或激光器工作阈值产生有利的影响。
必要时，除辐射透射的接触层之外还可以设置有吸收作用的电流扩展层，该有吸收作用的电流扩展层具有比接触层更小的透射性。然而，与传统的半导体激光器部件相比可以有利地减小电流扩展层的厚度。
优选地，接触层在横向方向上的导电性这样高，使得借助接触层能够实现泵浦电流至半导体本体中的均匀的电流注入。特别优选地，接触层在横向方向上具有这种导电性或者结构，使得在半导体本体的中心区域上的横向的泵浦电流密度比在半导体本体的边缘区域上的泵浦电流密度更大，其中至接触层中的电流注入优选地在半导体本体的中心区域上进行。
横向的泵浦电流密度具有基本上近似高斯状的分布，该分布在中心区域中具有极大值，从极大值出发，在中心区域具有相对平坦的侧翼而在边缘区域具有变得更陡峭的侧翼。
借助接触层可以在相对大的横向区域上，例如在具有10-10000μm、优选100μm至1000μm或者100μm至500μm的横向伸展的横向区域上，实现了在半导体本体上的中心区域中，在横向方向上基本上均匀的泵浦电流密度分布。
此外，优选的是，接触层设置在半导体本体上。通过这种方式，可实现有利地将电流有效地注入到半导体本体中。特别是有利的是，接触层的特色是对半导体本体的有利的电接触特性。例如，接触层形成对半导体本体的基本上为电阻的接触。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，接触层包含氧化物、特别是金属氧化物。辐射透射的导电的氧化物(TCOTransparent Conducting Oxide(透明导电氧化物))、特别是金属氧化物的特色是在宽的波长范围上的高辐射透射性而同时在横向方向上具有高导电性。接触层例如可以包含一种或者多种TCO材料，例如锌氧化物、如ZnO，或者铟锡氧化物、如ITO，锡氧化物、如SnO2，或者钛氧化物，如TiO2，或者由它们组成。为了提高导电性，接触层可以优选地用金属来掺杂。例如，ZnO可以用Al来掺杂。
优选地，接触层包含ZnO或者ITO。ZnO的特色是对p型导电的半导体材料具有特别有利的接触特性。
例如，ZnO对于400nm和大约1100nm之间的波长具有近似为0的吸收系数，而对于大约340nm与1200nm之间的波长具有为0.1或者更小的吸收系数。ITO例如对于大于500nm至1000nm之间的波长以及超过该范围之上的波长具有近似为0的吸收系数，并且对于400至500nm的波长具有为0.1或者更小的吸收系数。这样小的吸收系数与高透射值相应。
优选地，接触层的厚度为100nm或者更厚，并且小于或者等于1000nm。接触层在横向方向的层电阻例如可以为20Ω_sq或者更小。单位Ω_sq在此称作接触层的平方面积(square)的电阻。
在本发明的一种优选的扩展方案中，通过优选在半导体本体中的和/或构造为布拉格反射器的第一反射器和至少一个其它的外部发射器来形成谐振器的边界。
外部反射器可构造为针对来自谐振器的辐射的输出耦合反射器，并且为此优选地具有比第一反射器更低的反射性。特别优选的是，外部反射器通过自由辐射区域与半导体本体间隔。
有源区中所产生的辐射可以在第一反射器与外部反射器之间这样地反射，使得在谐振器中形成用于通过感应发射(induzierte Emission)在有源区中产生相干辐射(激光辐射)的辐射场，相干辐射可通过输出耦合反射器被从谐振器输出耦合。
根据本发明的一种有利的改进方案，接触层设置在有源区与谐振器的外部反射器之间的直接的光路中。
与具有内部谐振器的部件(VCSEL垂直腔面发射激光器(Vertical CavitySurface Emitting Laser))相比，借助具有外部谐振器的表面发射的半导体激光器部件(VECSEL垂直外腔面发射激光器(Vertical Extemal Cavity SurfaceEmitting Laser)或者半导体圆盘激光器)可以实现高输出功率。
根据本发明的另一种优选的扩展方案，有源区包括单量子阱结构或者多量子阱结构。这样的结构特别适于半导体激光器部件。必要时，有源区也可以包括一个或者多个量子点或者一个或者多个量子线。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，将光学镀膜(Vrguetung)设置在半导体本体与接触层之间或者在接触层与半导体本体背对的侧上。
根据本发明的一种有利的改进方案，光学镀膜至少部分构造为对于谐振器中的辐射或者辐射模式的抗反射镀膜或者高反射镀膜。借助高反射镀膜可以通过在有源区中感应发射的、由于反射而提高的部分来降低激光器工作阈值，其中接着将较小的辐射功率从谐振器中输出耦合。抗反射镀膜会导致阈值提高而因此提高了输出耦合的辐射功率。
抗反射镀膜或者高反射镀膜例如可以层状地实施，并且可包括一个或者多个必要时由不同的材料构成的层。
优选的是，在这些层的、必要时不同的折射率和/或厚度方面(例如以一个或者多个λ/4层的形式)根据所希望的高反射或者抗反射的特性来设置这些层。例如，另一些层中的至少一个包含基本上是介电的材料。特别是，接触层可以实施为光学镀膜的层。
特别优选的是，光学镀膜直接与接触层邻接。
在本发明的另一种有利的扩展方案中，在谐振器中设置有一选择元件(Selektionselement)或者接触层实施为选择元件。优选的是，选择元件被构造用于谐振器中的辐射的波长选择和/或极化选择。相对于其它波长或者极化，通过适当构造的选择元件可以优选谐振器中的辐射的确定的波长和/或极化。由此，必要时可对由半导体激光器部件所发射的辐射的波长或极化状态产生影响。
特别是可以通过这样的方式这样地使谐振器中的辐射的极化稳定，使得辐射的极化难以与由选择元件预先给定的极化、如线性的极化(例如被s极化或者p极化)产生偏差。
根据本发明的一种有利的改进方案，选择元件包括一种栅格结构。借助辐射在栅格结构上相应产生的衍射或者反射，可以通过栅格参数、如栅格线的设置和间距，调节选择元件的选择特性。
根据本发明的另一种优选的扩展方案，半导体本体设置在支撑体上，该支撑体优选使半导体本体机械稳定。
优选的是，支撑体来自支撑体层，在该支撑体层上将半导体层系统设置在晶片复合中，其中半导体层系统优选地被设置用于构造多个半导体本体并且包含半导体层的相应序列。
例如可以借助与刻蚀工艺组合的光刻方法从半导体层系统中将多个设置在共同的支撑体层上的半导体本体结构化。例如在将该结构分割为半导体芯片(至少一个设置在支撑体上的半导体本体)时，支撑体可以来自支撑体层。
特别地，支撑体层可以包括半导体层系统的生长衬底或者由半导体层系统的生长衬底来构成，其中半导体层系统优选外延地在生长衬底上生长。
然而，支撑体层也可不同于半导体层系统的生长衬底。
例如，这样的支撑体可以包含与生长衬底不同的半导体材料或者金属和/或将该支撑体构造为散热装置。
如果支撑体与半导体层系统的生长衬底不同，则在制造时例如可以将设置在生长衬底上的半导体层系统或者多个半导体本体在与生长衬底对置的侧上固定在与生长衬底不同的支撑体层上。可适于此的例如可以是晶片接合方法(Waferbonding-Verfahren)，如阳极接合、共晶接合或者焊接。之后例如借助激光烧蚀方法(Laserablationsverfahren)，机械方法、如打磨，或者化学方法、如刻蚀，将生长衬底去除。在分割时，半导体本体的支撑体可以来自与生长衬底不同的支撑体层。
然而，半导体本体也可以在分割之后设置和/或固定在与生长衬底不同的支撑体上，之后必要时将生长衬底或者剩余的生长衬底从半导体本体上去除。
生长衬底的去除有利地提高了在支撑体的选择方面的自由度。支撑体不必符合对生长衬底的高要求，而是在有利的特性、如高导热性和/或高导电性方面可以相对自由地选择。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，预制了半导体本体并且在制造半导体本体之后将接触层施加到半导体本体上。因此，可以借助不同的方法和/或依次地制造半导体本体和接触层。例如可借助外延来制造半导体本体，并且优选含有TCO的接触层在结束外延阶段之后，例如借助溅射施加到半导体本体上。
必须说明，半导体本体的预制也可理解为预制半导体层系统，该半导体层系统被设置用于构造多个半导体本体。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，将非线性的光学元件、优选用于频率变换的光学元件设置在谐振器中。例如，将非线性的光学元件构造为频率倍增器(SHG二次谐波产生(Second Harmonic Generation))。优选地，非线性光学元件被构造为用于将不可见频谱范围中的辐射、如红外线频率变换到可见的频谱范围中的辐射。
本发明的另一些特点、优点和符合目的性从结合附图对这些实施例的说明中得出。
其中

图1借助示意性的截面视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第一实施例， 图2在图2A中示出了根据本发明的半导体激光器部件的半导体本体的示意性俯视图，以及在图2B的曲线图中定性地示出了与图2A相应的泵浦电流密度的横向分布， 图3示出了根据本发明的半导体激光器部件的半导体本体的示意性俯视图， 图4借助示意性截面视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第二实施例。
相同、类似和作用相同的元件在这些附图中设有相同的参考标号。
图1借助示意性截面视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第一实施例。
在支撑体1上设置有半导体层序列2，该半导体层序列具有为产生辐射、优选波长在红外频谱范围中的辐射而设置的有源区3。有源区例如构造为多量子阱结构。
在有源区3与支撑体1之间设置有布拉格反射器4，布拉格反射器与外部反射器5一起构成了用于在有源区3中所产生的辐射的光谐振器。在该实施例中，布拉格反射器4与半导体层序列2一起集成到半导体激光器部件的半导体本体中。
在本发明的一种优选的扩展方案中，半导体激光器部件、特别是半导体本体或者有源区包含至少一种III-V半导体材料，如由材料系InxGayAl1-x-yP、InxGayAl1-x-yAs或者InxGayAl1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1)构成的半导体材料。半导体本体也可以包含由III-V半导体材料系InyGa1-yAsxP1-x(其中0≤x≤1并且0≤y≤1)构成的半导体材料。
这些半导体材料的特色是可简化地达到的高内部量子效率，并且适合于从紫外频谱范围(特别是InxGayAl1-x-yN)经过可见的频谱范围(特别是InxGayAl1-x-yN，InxGayAl1-x-yP)到红外频谱范围(特别是InxGayAl1-x-yAs，InyGa1-yAsxP1-x)的辐射。
优选地，半导体本体基于材料系InxGayAl1-x-yAs。在该材料系中可以特别有效地产生红外频谱范围中的辐射，尤其是在800nm与1100nm之间的波长范围中的辐射。例如支撑体包含GaAs并且半导体层序列基于材料系InxGayAl1-x-yAs，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，有源区中所产生的辐射的波长在200nm与2000nm之间的频谱范围中。优选的是，接触层对有源区中所产生的辐射的波长具有特别高的透射性。
外部反射器5构造为谐振器中借助感应发射产生的激光辐射的输出耦合反射器，并且具有比布拉格反射器4更低的反射性。通过外部反射器的设置或谐振器长度，可影响从谐振器输出耦合的相干的激光辐射的辐射分布。
布拉格反射器具有多个半导体层对，这些半导体层对具有有利地高的折射率差(Brechungsindexunterschied)。例如每一个GaAs-和AlGaAs-λ/4层构成一个半导体层对。在图1中示意性地表示了多个在布拉格反射器4中的层对。优选地，布拉格反射器包括20至30个或者更多个半导体层对的序列，由此产生了布拉格反射器对激光辐射99.9％或者更高的整体反射性。有利地，布拉格反射器与半导体层序列一起例如被外延地制造。
在半导体层序列2与支撑体1背对的侧上，在半导体层序列的接触区域上设置有对于所产生的辐射而言透射的接触层6，该接触层譬如包含用Al以例如2％的浓度来掺杂的ZnO，或者由其组成。接触层6与半导体层序列导电地相连。优选地，接触层直接设置在半导体层序列上。优选地，半导体层序列与接触层之间的电接触具有基本上为电阻的特性。半导体激光器部件通过例如分别含有至少一种金属的、设置在支撑体与半导体层序列2背对的侧上的第一端子7和设置在半导体层序列与支撑体对置的侧上的第二端子8，来电泵浦。
为了避免第二端子8、如金属的端子中的吸收，层状的第二端子8在半导体层序列的中心区域上被留出凹处并且例如环状地在半导体层序列的边缘区域之上延伸。第二端子8与接触层6导电地相连并且可以包含例如Ti、Al、Pt或者具有这些材料的至少一种的合金。
优选的是，在第二端子8与半导体层序列2之间设置有隔离层9，该隔离层具有带横向伸展的凹处，该横向伸展优选至少在部分区域中大于第二端子中的凹处的横向伸展，使得在这些部分区域中形成端子与接触层的重叠。因此，由于半导体层序列在横向方向上的导电性与接触层相比很低，并且主要在中心区域中通过接触层来注入电流，所以有利地避免了有源区的设置在隔离层下方的边缘区域的电泵浦。
隔离层9例如可以包含氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。优选的是，隔离层同时构造为钝化层(Passivierungsschicht)，该钝化层有利地提高了对半导体本体免遭有害的外部影响的保护。
由于接触层6在横向方向上的有利地高的横向传导能力，所以主要通过半导体本体的中心区域将通过第二端子8被输入到接触层中的电流注入半导体层序列。通过整个表面的第一端子7、支撑体1和布拉格反射器4大面积均匀地被注入到有源区中的载流子可以与通过第二端子8和接触层6被注入有源区3中的载流子复合而产生辐射。由于半导体层序列的相对低的横向传导能力，产生辐射的复合或者辐射生成主要发生在有源区的中心区域。
在本发明中，泵浦电流在半导体本体中的电流路径可以通过接触层与半导体本体的接触面和隔离层的构造来确定。用于在半导体本体中引导电流的附加的、相对昂贵的措施，如在半导体本体或半导体层序列内的边缘区域中通过注入或者氧化物混合(oxidblend)实现的有针对性的电湮灭(Veroedung)可以有利地被省去。
在有源区中产生的辐射在表面10侧的垂直的方向上从半导体本体中发射，通过自由辐射区域11并且到达外部反射器5。
根据本发明的一种优选的扩展方案，半导体层序列优选在其从有源区来看的朝着接触层的侧上，包括至少一个p型导电的半导体层。特别优选的是在接触层与有源区之间半导体层序列的区域构造为p型导电和/或在布拉格反射器与有源区之间的区域构造为n型导电。根据本发明的一种有利的扩展方案，支撑体和布拉格反射器构造为n型导电。
支撑体1可以由半导体本体的生长衬底的一部分构成，在该部分上优选外延地首先生长布拉格反射器，并接着生长半导体层序列。
根据一种有利的改进方案，隔离层可首先施加在预制的半导体本体的整个表面上。在施加之后，将在半导体层序列的接触区域上的隔离层去除。在隔离层被去除的区域中，将接触层材料施加到半导体本体上。接触层可以与隔离层一样被溅射到半导体本体或者半导体层序列上。
必要时，接触层可以与一个或者多个在半导体本体侧被设置的层或一个或者多个事后被施加到接触层上的、优选基本上介电的层组合，构造为对于谐振器中的辐射或者辐射模式的高反射涂层或者抗反射涂层。
必要时，可以设置有非线性光学元件用于谐振器中的、优选在自由辐射区域11中的频率变换。
图2在图2A中示意性地示出了根据本发明的半导体激光器部件的半导体本体的俯视图，以及在图2B中的图解中定性地示出了与半导体本体上的横向位置相关的接触层中的泵浦电流密度的分布。
图2A示出了根据本发明的半导体激光器部件的半导体本体的示意性俯视图。例如，示出了从图1中的自由辐射区域11来看的、那里的接触层的俯视图。图1例如可以基本上示出沿着图2A中的线A-A的截面视图。在图1中的第二端子的表示被省去。
在图2A中示出了设置在半导体本体上的隔离层9。隔离层在接触区域12中被留出凹处，该接触区域12包括中心区域120和连接指(Anschlussfinger)121，这些连接指优选地从中心区域出发基本上径向向外延伸并且占据了接触区域12的相对小的面积。
在隔离层9的凹处中，将接触层6施加到整个接触区域12上。由此，凹处的构造确定了接触层与半导体本体之间的接触面的形状。通过例如环状的端子，半导体本体与连接指121的区域中的接触层6导电地相连，并且在中心区域120上被空出，可以借助接触层6将电流注入有源区。
图2B定性地示出了在接触层侧的半导体本体上的泵浦电流密度j与横向位置r的相关性。曲线的900段与图2A中的边缘区域相应，在这些边缘区域中半导体本体被隔离层9覆盖，1210段与连接指121相应而1200段与中心区域120相应。
在中心区域120中，泵浦电流密度是相对高的并且基本上是均匀的。在1200段中，泵浦电流密度从中心区域120的正中心区域的最大值朝着连接指的方向仅仅轻微地下降，而在设置有隔离层9的边缘区域的900段中，是相对小的。在连接指的1210段中，泵浦电流密度相对强烈地向外下降。
由此，通过辐射透射的接触层，可以在横向中心区域120上实现相对均匀的泵浦电流密度分布。中心区域的横向伸展例如可以为10-10000μm，优选为100μm或者更大。优选的是，可以实现接触层侧的半导体本体上的对应于高斯分布或者超高斯分布(Hypergaussverteilung)的横向泵浦电流密度分布。
图2B中定性示出的泵浦曲线的构型由于接触层材料在横向方向上的高导电性而在宽的厚度范围上与接触层的厚度不相关。因此，在本发明的范围中可以以相对小的厚度，例如10μm或者更小的厚度来实施接触层。
在图3中示意性地示出了根据本发明的半导体激光器部件的另一种半导体本体的俯视图。
例如示出了从图1中的自由辐射区域11来看的、那里的接触层的俯视图。图1例如可基本上示出沿图3中的线B-B的截面视图。图1的第二端子的表示被省略。
在此，设置有通过栅格线130所形成的栅格形式的选择元件13。例如线形栅格形式的栅格结构例如可以借助刻蚀引入隔离层9和/或接触层6中。优选的是，栅格结构至少设置在半导体本体上的接触层6中的接触区域12的中心区域中。
通过栅格结构、特别是栅格线的间距，可以对谐振器中被增强的辐射的波长产生影响，并因此对由部件所发射的激光辐射的波长产生影响。因此，在栅格上的激光辐射模式的衍射或反射导致提高了针对这种模式的损耗，并因此不能达到或者难以达到针对这种模式的激光器工作阈值。通过栅格线的间距可以调节栅格的衍射特性或者反射特性。
此外，选择元件还可被构造用于稳定极化，其方式是，通过栅格结构，所述一种激光辐射模式的极化状态相对于不同地极化的模式而被优选。
因此，选择元件13可以作为极化滤波器和/或波长滤波器。
接触区域12和接触层6在此基本上圆形地构造，并且接触层可以通过适当与如在图1中示意性地表示的第二端子的重叠而被接触。
图4借助示意性的截面视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第二实施例。
图4中所示出的半导体激光器部件基本上与图1中所示的半导体激光器部件相应。与图1中所示的根据本发明的半导体激光器部件的实施例相反，具有布拉格反射器4和带有源区3的半导体层序列2的半导体本体在布拉格反射器4侧通过连接层14设置在支撑体1上并且优选被稳定地固定。在该实施例中，支撑体1优选与半导体本体的生长衬底不同，并且包括例如散热装置，其包含如CuW、CuDia、Cu、SiC或者BN。
散热装置有利地使有源区的热导出变得容易，使得特别是在经常也伴有高损耗热量的高功率情况下，降低热量造成的部件效率降低的风险。
为了制造这样的部件，例如首先预制半导体本体，其中在半导体层序列之后在生长衬底上制造布拉格反射器。然后在布拉格反射器侧，借助共晶接合将半导体本体固定在支撑体上，随后生长衬底例如借助湿化学刻蚀或者激光烧蚀方法来去除。连接层14例如可以是借助共晶接合被构造的层。因此，可以以与图1中所示的半导体本体相反的顺序来制造根据图4的半导体本体。
本专利申请要求2004年5月28日的德国专利申请DE 10 2004 026163.6以及DE 10 2004 040077.6的优先权，在前申请的整个公开内容通过引用而明确地纳入本专利申请。
本发明并未通过借助这些实施例的说明而被限制。更确切地说，本发明包括任意的新特征以及这些特征的任意组合，其特别是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使这些特征或者这些组合本身未在权利要求中或者实施例中详细说明。
权利要求
1、一种表面发射的半导体激光器部件，特别是电泵浦的半导体激光器部件，具有垂直的发射方向，所述半导体激光器部件被设置用于借助外部光学谐振器(4，5)产生激光辐射，所述半导体激光器部件包括具有半导体层序列(2)的半导体本体，所述半导体层序列具有横向的主伸展方向和为产生辐射而设置的有源区(3)，其中辐射透射的接触层(6)设置在所述谐振器内并且与所述半导体本体导电地相连。
2、根据权利要求1所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述接触层(6)包含氧化物。
3、根据权利要求1或者2所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述接触层(6)包含TCO材料。
4、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述接触层(6)包含ZnO或者ITO。
5、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述接触层(6)设置在所述半导体本体上。
6、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述接触层(6)设置在所述有源区(3)与所述谐振器(4，5)的外部反射器(5)之间的直接的光路中。
7、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，通过布拉格反射器(4)来形成所述谐振器边界。
8、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述半导体本体在其朝着所述接触层(6)的侧上具有至少一个p型导电的层。
9、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，在所述有源区中所产生的辐射的波长位于不可见的、优选为红外的频谱范围中。
10、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述半导体激光器部件是借助所述接触层(6)来电泵浦的半导体激光器部件。
11、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，预制所述半导体本体并且事后将所述接触层(6)施加到所述半导体本体上。
12、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述半导体本体设置在支撑体(1)上。
13、根据权利要求12所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述支撑体(1)与所述半导体层序的生长衬底不同。
14、根据权利要求12或13所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述支撑体(1)构造为散热装置。
15、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，在半导体本体与接触层(6)之间或者在所述接触层(6)与所述半导体本体背对的侧上设置有光学镀膜。
16、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，在所述谐振器中设置有选择元件(13)，或者将所述接触层(6)实施为选择元件(13)。
17、根据权利要求16所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述选择元件(13)被构造用于对谐振器中的辐射的波长选择和/或极化选择。
18、根据权利要求16或者17所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述选择元件(13)具有栅格结构(130)。
19、根据权利要求18所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述栅格结构(130)至少部分地构造在所述接触层(6)中。
20、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，在所述谐振器中设置有非线性的光学元件，优选用于频率变换。
21、根据上述权利要求中的任一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，在所述有源区中所产生的辐射的波长在200nm与2000nm之间的频谱范围中。
全文摘要
说明了一种表面发射的半导体激光器部件，特别是电泵浦的半导体激光器部件，具有垂直的发射方向，其被设置用于借助外部光学谐振器(4，5)产生激光辐射，半导体激光器部件包括具有半导体层序列(2)的半导体本体，半导体本体具有横向的主伸展方向和为产生辐射而设置的有源区(3)，其中辐射透射的接触层(6)设置在谐振器内并且与半导体本体导电地相连。
文档编号H01S5/183GK1957507SQ20058001684
公开日2007年5月2日 申请日期2005年4月29日 优先权日2004年5月28日
发明者威廉·施泰因, 托尼·阿尔布雷希特, 彼得·布里克 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司