专利名称：用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术的制作方法
技术领域：
本发明大体上涉及半导体制造，且更明确地说，涉及用于减少光致抗 蚀剂释气效应的技术。
背景技术：
离子注入器在半导体制造中广泛用于选择性地改变材料传导性。在典 型的离子注入器中，从离子源产生的离子向下游输送穿过一系列束线组件， 所述束线组件可包含一个或一个以上的分析器和/或校正器磁体和多个电 极。可使用所述分析器磁体来选择所需的离子种类，并滤出杂质种类或具 有不合需要的能量的离子。可使用所述校正器磁体来在离子束到达目标晶 片之前操纵离子束的形状或以其它方式调节离子束质量。可使用合适形状 的电极来修改离子束的能量和形状。在已经将离子束输送穿过所述一系列 束线组件之后，可将离子束引导到终端站中以执行离子注入。
请参阅图l所示，其描绘的是常规离子注入器系统100。正如对大多数 离子注入器来说典型的情况是，将系统100收容在高真空环境下。离子注 入器系统100可包括离子源102和一系列束线组件，离子束10穿过所述一 系列束线组件。所述一系列束线组件可包含(例如)一提取操纵器104、过滤 器磁体106、加速或减速柱108、分析器磁体110、旋转质量缝112、扫描 器114和校正器磁体116。很像操纵光束的一系列光学透镜，离子注入器组 件可在将离子束10导引朝向目标晶片118之前对离子束10进行过滤和聚 焦。目标晶片118通常被收容在高真空下的晶片终端站(未图示)中。
在半导体制造中，经常只对晶片表面的选定区域执行目标(target)晶 片的离子注入，而通常用称为光致抗蚀剂的光敏材料来遮蔽晶片表面的其 余部分。通过光刻工艺，可将目标晶片涂覆一层经图案化的光致抗蚀剂材 料，只暴露晶片表面中需要离子注入的选定区域。在离子注入期间，离子 束不仅对晶片表面的暴露部分有影响，而且对光致抗蚀剂层有影响。高能 离子经常会使光致抗蚀剂材料内的化学键断裂，并释放挥发性有机化学物 质和/或其它微粒以进入收容目标晶片的真空腔室(即，晶片终端站)中。这 种现象被称为"光致抗蚀剂释气"。
离子注入器中的光致抗蚀剂释气可对离子束具有若干有害效应。举例 来说，从光致抗蚀剂释放的微粒可导致高真空晶片终端站中的压力增加或 压力波动。释气微粒还可能从晶片终端站向上游迁移到其它束线组件，例
如图1所示的校正器磁体116和扫描器114,且还可能影响离子注入器的上 述那些部分中的真空等级。
释气微粒经常与入射离子束相互作用，例如与离子束交换电荷。因此， 具有单个正电荷的离子可能失去其电荷给释气微粒且变成中性；带双电荷 的离子可能失去一个正电荷给释气微粒,且变成带单个电荷；等等。因此，由 释气引发的电荷交换可能干扰离子注入器中的离子剂量测定系统。典型的 离子剂量测量系统通过随时间汇集所测量的束电流并基于特定离子种类具 有已知电荷状态的假定而将所汇集的束电流(即，总离子电荷)转换成总剂 量来确定离子剂量。然而，由释气引发的电荷交换随机改变离子种类的电荷 状态，进而使离子剂量测定系统所依赖的电荷状态假定无效。举例来说，如 果释气微粒趋向于从正离子处抢夺正电荷，那么此电荷交换将致使剂量测 定系统不完全统计所述离子种类，这又导致向目标晶片过度供应所述离子 种类。
由于上述释气微粒的上游迁移的缘故，可能在校正器磁体中发生一些 电荷交换。与那些不经历电荷交换的同种离子相比，电荷已改变的离子遭受 不同的洛伦兹力(Lorentz force)。如此，电荷改变离子将偏离主离子束i 各 径，从而导致目标晶片的剂量配给不均匀。由电荷已改变的离子流形成的束 泄出(Beamlets)在下文中称为"寄生束泄出"。除产生寄生束泄出以外，电 荷交换还可改变受影响离子的能量和角度，能量和角度两者将影响目标晶 片中的最终掺杂剂分布。
如所属领域的技术人员将容易了解，上文描述的寄生束泄出问题可类 似地在运行分子离子束的离子注入器中出现。分子离子束与离子注入器中 的残余气体的相互作用可导致分子断裂，从而导致离子受到电荷改变以及 质量改变。因此，分子断裂还可能向离子注入工艺引入污染物。
已经开发了许多技术来减轻由释气引发的电荷交换的效应。举例来说， 为了补偿电荷交换对剂量测定的影响，已经提议在束电流汇集工艺中包含 直流(direct current, DC)偏移，所述DC偏移与晶片终端站中的气体压力 相关。然而，此剂量测定补偿途径只解决了由寄生束泄出引起的问题的一 个方面。
根据另一途径，可通过将惰性气体以远大于释气等级的量排;改到晶片 终端站中来减轻上述由光致抗蚀剂释气造成的压力波动。尽管这种方法可 能会使晶片终端站中的气体压力稳定，但所得的高于最佳值的压力可能会 负面地影响离子注入。
根据图2所说明的又一途径，可在晶片终端站204与束线组件206之 间提供一传导限制孔径202。传导限制孔径202通常是固定的孔径，其宽度 刚够允许扫描离子束20穿过。传导限制孔径202意在用于两个用途，即，减
少释气微粒的上游迁移和阻止寄生束泄出进入晶片终端站204。然而，由于 传导限制孔径202必须比目标晶片208的直径宽，所以此途径仅可在减少 释气微粒传导或阻止寄生束泄出方面取得有限的成功。
鉴于前述内容，将需要提供一种用以减少光致抗蚀剂释气效应的解决 方案，其克服上述不足和缺点。
发明内容
本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性 实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释 气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。 所述设备还可包括位于所述漂移管与所述终端站之间的第一可变孔径。所 述设备可进一步包括位于所述漂移管与所述上游束线组件之间的第二可变 孔径。可调节所述第一可变孔径和所述第二可变孔径以促进差动抽吸。
根据此特定示范性实施例的其它方面，可基于离子束的至少一个维度 来调节第一可变孔径和第二可变孔径，以允许所述离子束的至少一部分穿 过。
根据此特定示范性实施例的另外方面，所述设备可进一步包括位于漂 移管内部的低温冷却面板阵列，所述低温冷却面板俘获从终端站向上游迁 移的至少一部分微粒。另外，在重新产生低温冷却面板期间，可完全关闭第 一可变孔径以将漂移管与终端站隔离，且在重新产生低温冷却面板期间，可 完全关闭第二可变孔径以将漂移管与上游束线组件隔离。
根据此特定示范性实施例的额外方面，所述设备可进一步包括一个或 一个以上的低温冷却面板，其部署在终端站中释气微粒集中的一个或一个 以上位置附近。所述设备还可包括多个挡板，其将释气微粒引导朝向所述 一个或一个以上的j氐温冷却面板。
根据此特定示范性实施例的另一方面，所述上游束线组件可包括校正 器磁体。所述设备可进一步包括位于校正器磁体的第 一部分与校正器磁体 的第二部分之间的中间真空腔室，以及耦合到所述中间真空腔室以增强与 校正器磁体相关联的真空等级的一个或一个以上的抽吸元件。校正器磁体 的第 一部分和校正器磁体的第二部分可致使离子轨迹在相同方向上弯曲。 或者，校正器磁体的第 一部分和校正器磁体的第二部分可致使离子轨迹在 相反方向上弯曲。
在另一特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于减少光致抗 蚀剂释气效应的方法。所述方法可包括将漂移管定位在终端站与上游束线 组件之间。所述方法还可包括调节位于漂移管与终端站之间的第一可变孔 径和位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径，以促进差动抽吸。
根据此特定示范性实施例的其它方面，所述方法可进一步包^"基于离 子束的至少一个维度而调节第一可变孔径和第二可变孔径，以允i午至少一 部分离子束穿过。
根据此特定示范性实施例的另外方面，所述方法可进一步包括在漂移 管内部部署低温冷却面板阵列，以俘获从终端站向上游迁移的至少 一部分 微粒。所述方法可另外包括在重新产生低温冷却面板期间，完全关闭第一 可变孔径以将漂移管与终端站隔离，以及在重新产生低温冷却面板期间，完 全关闭第二可变孔径以将漂移管与上游束线组件隔离。
根据此特定示范性实施例的额外方面，所述方法可进一步包^:在终端 站中释气微粒集中的一个或一个以上位置附近部署一个或一个以上4氐温冷 却面板。所述方法可另外包括提供多个挡板，其将释气微粒引导朝向所述 一个或一个以上^f氐温冷却面4反。
根据此特定示范性实施例的另 一方面，上游束线组件包括校正器^f兹体。 所述方法可进一步包括在校正器磁体的第一部分与校正器磁体的第二部分 之间插入中间真空腔室，以及抽吸所述中间真空腔室以增强与校正器磁体 相关联的真空等级。
在又一特定示范性实施例中，所述技术可实行为至少一种信号，其包 含在至少一个载波中以用于传输计算机指令程序，所述计算机指令程序经 配置以可由至少一个处理器来读取以指令所述至少一个处理器才丸^f亍用于执 行如上文陈述的方法的计算机过程。
在又一特定示范性实施例中，所述技术可实行为至少一种处理器可读 载体，其用于存储计算机指令程序，所述计算机指令程序经配置以可由至 少一个处理器来读取以指令所述至少一个处理器执行用于执行如上文陈述 的方法的计算机过程。
在另一特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入 器中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于磁体的第 一部 分与磁体的第二部分之间的中间真空腔室。所述设备还可包括一个或一个 以上的抽吸元件，其耦合到所述中间真空腔室以增强与所述磁体相关联的 真空等级。
根据此特定示范性实施例的其它方面，磁体的第 一部分和^兹体的第二 部分可致使离子轨迹在相同方向上弯曲。
根据此特定示范性实施例的另外方面，磁体的第 一部分和》兹体的第二 部分可致使离子轨迹在相反方向上弯曲。
在又一特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入 器中减少光致抗蚀剂释气效应的方法。所述方法可包括提供磁体的第 一部 分和f兹体的第二部分。所述方法还可包括将中间真空腔室定位在第一部分
与第二部分之间。所述方法可进一步包括抽吸所述中间真空腔室，以增强 与磁体相关联的真空等级。
本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在 一个特定示范性 实施例中，所述技术可实行为 一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释 气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。 所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第 一可变孔径。所述"i殳备可 进一 步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一 可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。
现将参看如附图中所示的本发明示范性实施例来更详细地描述本发 明。尽管下文参看示范性实施例来描述本发明，但应了解本发明不限于此。 可以理解本文教示的所属领域的技术人员将认识到额外的实施方案、修改 和实施例以及其它使用领域，其属于如本文描述的本发明范围内，且本发 明可相对于其而具有有效实用性。
图l是现有的离子注入器的示意图。
图2是说明用于减少光致抗蚀剂释气效应的现有方法的示意图。 图3是说明根据本发明实施例的用于减少释气微粒的示范性差动抽吸 方法的示意图。
图4是说明根据本发明实施例的用于用策略式放置的低温抽吸元件来
减少释气微粒的示范性方法的示意图。
图5是根据本发明实施例的中间真空腔室的示范性实施方案的示意图。 图6是根据本发明实施例的中间真空腔室的另一示范性实施方案的示意图。
具体实施例方式
为了有助于更全面理解本发明，现在参看附图，其中用相同标号来表 示相同元件。这些图式不应被解释为限制本发明，而是将它们;f见为只具有 示范性。
本发明的实施例提供用于基于差动抽吸和低温抽吸排列而在离子注入 期间减少光致抗蚀剂释气效应的各种技术。中间真空腔室可将晶片终端站 与上游组件分离，且可在晶片终端站、中间真空腔室和上游组件之间实施 级联(cascaded)差动抽吸方案。# 据一些实施例，4氐温冷却漂移管可允许 向下游输送离子束，但减少释气微粒的向上游流动。
请参阅图3所示，其说明根据本发明实施例的用于减少释气^f敛粒的示 范性差动抽吸方法。在此实施例中，用将终端站304与束线腔室306分离
的中间真空腔室302来实施两级差动抽吸方案。束线腔室306可收容(例如) 校正器磁体(未图示)。第一孔径308可限制中间真空腔室302与终端站304 之间的传导。第二孔径310可限制中间真空腔室302与束线腔室306之间 的传导。优选的是，第一孔径308和第二孔径310具有可变开口，〗吏得它 们可基于所需传导性以及束高度和/或束宽度而调节。三个真空腔室可分别 由抽吸元件312、 314和316来抽吸。由光致抗蚀剂释气引起的气体压力可 从终端站304向束线腔室306逐渐降低。差动抽吸可阻止释气微粒到达束 线中的最后一个作用组件(例如，校正器磁体)，或以其它方式将系统中的 气体压力减到最小。
在离子注入期间，抽吸元件312可以是通过/人终端站304移除至少一部 分释气微粒而抵抗释气微粒向上游迁移的第 一 防线。 一 些释气微粒可能逃 逸到中间真空腔室302,在所述中间真空腔室302处该抽吸元件314可形成 抵抗释气微粒的第二防线。可通过抽吸元件316快速移除游离到束线腔室 306中的任何残余微粒。可仔细协调抽吸元件312、 314和316的操作，且仔 细调节可变孔径308和310，以维持终端站304、中间真空腔室302和束线 腔室306之间的所需压力差。由于这种配置，可防止释气微粒的实质部分(如 果不是全部的话)到达位于终端站304上游的束线元件。
中间真空腔室302可只专用于差动抽吸。或者，中间真空腔室302可 收容一个或一个以上的束线组件，例如减速透镜。根据一个实施例，可通 过磁极片来执行中间真空腔室302的抽吸，或可将磁极片转换成用于低温 抽吸的冷表面。
请参阅图4所示，其说明根据本发明实施例的用于用策略式放置的低 温抽吸元件减少释气微粒的另一示范性方法。可将漂移管402定^f立在晶片 终端站414与上游束线组件416之间。晶片终端站414可收容晶片415，可 相对于传入离子束40以机械方式扫描所述晶片415。上游束线组件416可 以是校正器磁体或离子束4 0在进入晶片终端站414之前穿过其中的其它束 线元件。
漂移管402的宽度可足以允许离子束40穿过。漂移管402可由位于漂 移管402内部的低温冷却面板阵列来低温抽吸。所述面板可提供所需量的 冷表面区域以用于抽吸用途。可通过控制器406来管理对漂移管402的低 温抽吸。
可在束线组件416与漂移管402之间提供第一阀/孔径408。可在漂移 管402与晶片终端站414之间提供第二阀/孔径410。每个阀/孔径可用为双 重用途服务的单个机构来实施。 一方面，所述阀/孔径408和410中的每一 个可充当可变孔径，其可针对所需传导性且/或根据离子束40的高度/宽度 而调节。另一方面，所述阀/孔径408和410中的每一个可充当闸阀，其可 在重新产生低温面板期间关闭以隔离漂移管402，以便减少用于加温和冷却 漂移管402所需的时间量。
根据某实施例，可能需要针对晶片终端站414实施一个或一个以上的 额外低温抽吸元件404。可通过首先确定一个或一个以上的强烈释气^f立置来 实质上改进对来自晶片终端站414的释气微粒的抽吸。由于晶片415的扫 描运动以及释气微粒穿透光致抗蚀剂层并散发到晶片终端站414中所花费 的时间的缘故，释气微粒可能趋向于集中在晶片415前方，但集中到离子束 40的任一侧(例如在图4中所示的位置处)。因此，可将低温抽吸元件404策 略式放置在这些强烈释气位置附近，使得可更有效地疏散所述释气孩t粒。根 据一些实施例，可能需要提供挡板418，以引导释气微粒远离漂移管402的 方向，且朝向低温抽吸元件404。所述挡板418还可安装在通向晶片终端站 414中的可变孔径(未图示)上。
根据一些实施例，为了改进与束线元件相关联的真空等级(例如在图3 所示的束线腔室306中)，可将磁体分成两个部分且可在所述两个部分之间 插入中间真空腔室。这种配置可能是有利的，因为磁极之间的间隙较小，磁 体通常难以抽吸。较小的磁极间隙往往会阻止位于磁体上游或下游的真空 泵进行有效抽吸。磁体位置中的专用真空腔室可增强与磁体相关联的真空 等级。
请参阅图5所示，是根据本发明实施例的中间真空腔室的示范性实施方 案。在此实施例中，可将70。校正器磁体502分成两个部分504和506。所 述两个新的》兹体504和506可维持类似于原始^f交正器^兹体502的总体弧形 形状。可在磁体504与506之间插入中间真空腔室500。中间真空腔室500
可支持差动抽吸且/或收容(各)束线元件。
请参阅图6所示，是根据本发明实施例的中间真空腔室的另一示范性 实施方案。在此实施例中，将校正器磁体602分成两个部分，且在所得^兹体 604与606之间插入中间真空腔室600。与图5所示的实施例形成对比，磁 体606可翻转(flipped)，使得-磁体604和606形成S形形状。
在这一点上，应注意如上文描述的根据本发明的用于减少光致抗蚀剂 释气效应的技术在某种程度上通常涉及处理输入数据和产生输出^:据。此 输入数，的，:里和，，，据的产生可，硬件或软件中实施。举，来说，可
据所存储的指令来进;:作的一个或一个以上丄理器可实施如上i描述的
根据本发明的与减少光致抗蚀剂释气效应相关联的功能。如果情况是这样 的话，那么以下情况属于本发明的范围内此类指令可存储在一个或一个 以上处理器可读载体(例如，石兹盘)上，或经由一个或一个以上^f言号而传输到一个或一个以上处理器。
本发明的范围并非受本文描述的具体实施例所限制。实际上，除本文 描述的那些内容之外，所属领域的技术人员从前面的描述内容和附图将容 易明白本发明的其它各种实施例和修改。因此，将此类其它实施例和修改 视为属于本发明的范围内。另外，虽然本文已经在用于特定用途的特定环 境下在特定实施方案的上下文中描述了本发明，但所属领域的技术人员将 认识到，其实用性并不限于此，且可在用于任何数目的用途的任何数目的 环境下有利地实施本发明。因此，应当鉴于如本文描述的本发明的整个范 围和精神来解释所附权利要求书。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种用于在离子注入器中减少光致抗蚀剂释气效应的设备，其特征在于所述的设备包括漂移管，其位于终端站与上游束线组件之间；第一可变孔径，其位于所述漂移管与所述终端站之间；以及第二可变孔径，其位于所述漂移管与所述上游束线组件之间；其中所述第一可变孔径和所述第二可变孔径可经调节以促进差动抽吸。
2. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于所述的第一可变孔径和所 述第二可变孔径可基于离子束的至少一个维度而进行调节，以允许至少一 部分所述离子束穿过。
3. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于其进一步包括 低温冷却面板阵列，其位于所述漂移管内部，所述低温冷却面板俘获从所述终端站向上游迁移的至少 一部分微粒。
4. 根据权利要求3所述的设备，其特征在于所述的第一可变孔径可在重新产生所述低温冷却面板期间完全关闭， 以将所述漂移管与所述终端站隔离；且所述的第二可变孔径可在重新产生所述低温冷却面板期间完全关闭， 以将所述漂移管与所述上游束线组件隔离。
5. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于其进一步包括一个或一个以上低温冷却面板，其部署在所述终端站中释气微粒集中 的一个或一个以上的位置附近。
6. 根据权利要求5所述的设备，其特征在于其进一步包括 多个挡板，其将所述释气微粒引导朝向所述一个或一个以上低温冷却面板。
7. 根据权利要求1所述的设备，其特征在于所述的上游束线组件包括 校正器磁体。
8. 冲艮据权利要求7所述的设备，其特征在于其进一步包括中间真空腔室，其位于所述校正器磁体的第 一部分与所述校正器磁体 的第二部分之间；以及一个或一个以上的抽吸元件，其耦合到所述中间真空腔室，以增强与 所述校正器磁体相关联的真空等级。
9. 根据权利要求8所述的设备，其特征在于所述的校正器磁体的所述 第 一部分和所述校正器磁体的所述第二部分致使离子轨迹在相同方向上弯曲。
10. 根据权利要求8所述的设备，其特征在于所述的校正器磁体的所述 第一部分和所述校正器磁体的所述第二部分致使离子轨迹在相反方向上弯曲。
11. 一种用于减少光致抗蚀剂释气效应的方法，其特征在于所述的方法 包括以下步骤将漂移管定位在终端站与上游束线组件之间；以及 调节所述漂移管与所述终端站之间的第 一可变孔径和所述漂移管与所 述上游束线组件之间的第二可变孔径，以促进差动抽吸。
12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于其进一步包括 基于离子束的至少一个维度而调节所述第一可变孔径和所述第二可变孔径，以允许至少一部分所述离子束穿过。
13. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于其进一步包括 在所述漂移管内部部署低温冷却面板阵列，以俘获从所述终端站向上游迁移的至少 一部分微粒。
14. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于其进一步包括 在重新产生所述低温冷却面板期间，完全关闭所述第一可变孔径以将所述漂移管与所述终端站隔离；以及在重新产生所述低温冷却面板期间，完全关闭所述第二可变孔径以将 所述漂移管与所述上游束线组件隔离。
15. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于其进一步包括 在所述终端站中释气微粒集中的一个或一个以上位置附近部署一个或一个以上低温冷却面板。
16. 根据权利要求15所述的方法，其特征在于其进一步包括 提供多个挡板，所述挡板将所述释气微粒引导朝向所述一个或一个以上低温冷却面板。
17. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于所述的上游束线組件包 括校正器磁体。
18. 根据权利要求17所述的方法，其特征在于其进一步包括在所述校正器i兹体的第 一部分与所述校正器磁体的第二部分之间插入 中间真空腔室；以及抽吸所述中间真空腔室，以增强与所述校正器磁体相关联的真空等级。
19. 至少一种信号，其特征在于其包含在至少一个载波中以用于传输计 算机指令程序，所述计算机指令程序经配置以可由至少一个处理器来读取 以指令所述至少一个处理器执行用于执行根据权利要求11所述的方法的计 算机过程。
20. 至少一种处理器可读载体，其特征在于其用于存储计算机指令程 序，所述计算机指令程序经配置以可由至少一个处理器来读取以指令所述 至少一个处理器执行用于执行根据权利要求11所述的方法的计算;fc/L过程。
21. —种用于在离子注入器中减少光致抗蚀剂释气效应的设备，其特征 在于所述的设备包括中间真空腔室，其位于》兹体的第一部分与所述》兹体的第二部分之间；以及一个或一个以上的抽吸元件，其耦合到所述中间真空腔室，以增强与 所述磁体相关联的真空等级。
22. 根据权利要求21所述的设备，其特征在于所述的磁体的所述第一 部分和所述磁体的所述第二部分致使离子轨迹在相同方向上弯曲。
23. 根据权利要求21所述的设备，其特征在于所述的磁体的所述第一 部分和所述》兹体的所述第二部分致使离子轨迹在相反方向上弯曲。
24. —种用于在离子注入器中减少光致抗蚀剂释气效应的方法，其特征 在于所述的方法包括提供兹体的第 一部分和所述》兹体的第二部分；将中间真空腔室定位在所述第一部分与所述第二部分之间；以及抽吸所述中间真空腔室，以增强与所述^兹体相关联的真空等级。
全文摘要
本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第一可变孔径。所述设备可进一步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。
文档编号H01L21/302GK101346803SQ200680049162
公开日2009年1月14日 申请日期2006年12月6日 优先权日2005年12月7日
发明者乔纳森·G·英格兰, 史蒂夫·E·克劳斯, 拉塞尔·J·罗, 艾立克·D·赫尔曼森 申请人:瓦里安半导体设备公司