专利名称：用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法及自动系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种晶片制造方法，特别涉及一种用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法及系统。
背景技术：
在集成电路(IC)相关的制造晶片厂中，例如半导体产品晶片厂，制造程序(recipe)应用于制造机台以进行IC产品制造。图1显示传统的制造程序反馈控制方法。制造程序100通常存储在和制造机台连接的制造执行系统(MES)数据库中。当一晶片或晶片批次送达制造机台102时，制造机台102确认该晶片或晶片批次。从该MES数据库中选取一适当或预设的制造程序。然后，由制造机台102依据该制造程序处理送达的晶片或晶片批次。在处理之后，将晶片或晶片批次送到检测机台104，以检测制造结果，例如薄膜沉积厚度，并取得反馈信息。随后，由操作者106依据该反馈信息人工调整制造程序100。
此种制造程序的人工调整方式不但耗时而且容易出错。而且，制造程序之间的关系相当复杂，包含一对一、一对多、或多对一的对应关系。图2显示传统的制造程序之间的关系。制造程序A200为关于一多层操作的程序，该多层操作的程序包含制造程序B202和制造程序C204，因此其属于一对多的对应关系。制造程序B202、制造程序C204、及制造程序D206形成制造程序E208，因此，其属于多对一的对应关系。同样地，制造程序C204和制造程序D206形成制造程序F210。因此，制造程序E208为制造程序B202、制造程序C204、及制造程序D206的共同程序，而制造程序F210为制造程序C204及制造程序D206的共同程序。
在此，制造程序G212并不实际存在，而可以由其它程序操作而成。例如，制造程序G212可以为制造程序A200除去制造程序C204的结果程序214。因此，制造程序G212为一虚拟程序。
人工调整共同或虚拟程序相当困难。例如，如果制造程序B202被改变了，则制造程序E208必须随之改变。对于虚拟制造程序而言，制造程序G212不能由操作者辨识，但需要调整以进行制造。程序之间的关系越复杂，制造程序的调整就越困难。因此，需要用于制造程序反馈控制的自动方法及系统。
发明内容
有鉴于现有技术存在的问题，本发明提供一种用于制造程序反馈控制的自动方法及系统。
本发明提供的用于制造程序反馈控制的自动方法包括以下步骤决定制造程序之间的关系；依据该制造程序处理晶片；通过检测机台测量处理后的晶片；从该机台取得该制造程序的制造结果信息；再依据该制造结果信息及该关系自动调整该制造程序。
优选地，该关系包含一对一、一对多、或多对一的对应关系。
优选地，该决定制造程序之间的关系的步骤还包含决定共同程序的步骤。
优选地，该计算机执行自动方法还包括依据调整后的制造程序处理晶片的步骤。
优选地，该关系和该程序存储于一数据库中。
本发明提供的用于制造程序反馈控制的自动系统。包括一决定模块，决定制造程序之间的关系，其中该制造程序用以制造至少一个晶片；至少一个机台，用以检测处理后的晶片；一取得模块，其耦接于该机台，从该机台取得该制造程序的制造结果信息；以及一调整模块，依据该制造结果信息及该关系自动调整该制造程序。
优选地，该决定模块还执行共同程序决定。
优选地，该系统还包含至少一个制造机台，所述制造机台依据调整后的制造程序处理晶片。
与传统技术相比，本发明的优点在于，其可以在晶片处理和检测之后，自动执行制造程序的调整，因此可以减少错误并节省资源。
为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下
图1显示了传统的制造程序反馈控制方法。
图2显示了传统的制造程序之间的关系。
图3显示了本发明实施例的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法的流程图。
图4显示了本发明实施例的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动系统的示意图。
图5显示了本发明实施例的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动系统的示意图。
其中，附图标记说明如下制造程序100 制造机台102 检测机台104操作者106制造程序A200制造程序B202 制造程序C204 制造程序D206制造程序E208制造程序F210 制造程序G212 结果程序214决定模块40 检测机台42 取得模块44 调整模块46制造程序500 MES数据库50 制造机台502检测机台504反馈信息50具体实施方式
为了让本发明的目的、特征、及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附的图3到图5做详细的说明。本发明的说明书提供不同的实施例来说明本发明的不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各元件的配置为说明之用，并非用以限制本发明。且实施例中附图标记的部分重复是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。
图3显示本发明实施例的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法的流程图。首先，决定制造程序之间的关系(步骤S300)。该关系可以为一对一、一对多、或多对一的对应关系。关系的决定也可辨识共同及虚拟制造程序。
然后，将该制造程序应用到晶片制造(步骤S302)，其可以包含一薄膜沉积工艺。在经过处理之后，上述晶片通过检测机台测量(步骤S304)。在此，该晶片制造为薄膜沉积工艺，该检测机台测量薄膜厚度以确认该制造结果。随后，从该机台取得该制造程序的反馈信息(步骤S306)。再依据该确认结果的反馈信息及该决定的关系，自动调整该制造程序(步骤S308)。该关系和制造程序不论是原始的或是调整后的，都可以存储在MES数据库中。
图4显示本发明实施例的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动系统的示意图，其包含一决定模块40、检测机台42、一取得模块44、及一调整模块46。
决定模块40决定制造程序之间的关系。其中该制造程序用以制造晶片，例如用于一薄膜沉积工艺。检测机台42用以检测依据该制造程序处理后的晶片。当该晶片制造为薄膜沉积工艺时，其检测结果为薄膜厚度。
取得模块44耦接于该机台，从该机台取得该制造程序的制造结果信息。调整模块46依据该反馈信息及该关系自动调整该制造程序。
在此，该关系包含一对一、一对多、或多对一的对应关系。关系的决定也可辨识共同及虚拟制造程序。
图5显示本发明实施例的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动系统的示意图。制造程序500存储在连接于一制造机台502的MES数据库50中。当一晶片批次送达制造机台502时，制造机台502确认该晶片批次，并从该MES数据库50中选取一对应的制造程序。然后，由制造机台502依据选取的制造程序处理该晶片批次。在处理之后，将晶片批次送到检测机台504，以检测制造结果，例如薄膜沉积厚度。取得反馈信息506。随后，依据该反馈信息506自动调整制造程序500。
比较图1和图5可以得知，在图5中，通过本发明，在晶片处理和检测之后，可以自动执行制造程序的调整，因此可以减少错误并节省资源。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内可做任何改动与修改，因此本发明的保护范围应当以所附的权利要求书所界定的范围为准。
权利要求
1.一种用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法，该方法包括以下步骤决定制造程序之间的关系；依据该制造程序处理至少一个晶片；取得该制造程序的制造结果信息；以及依据该制造结果信息及该关系自动调整该制造程序。
2.如权利要求1所述的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法，其中，该关系包含一对一、一对多、或多对一的对应关系。
3.如权利要求1所述的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法，其中，该决定制造程序之间的关系的步骤还包含决定共同程序的步骤。
4.如权利要求1所述的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法，其中，该计算机执行自动方法还包括依据调整后的制造程序处理晶片的步骤。
5.如权利要求1所述的用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法，其中，该关系和该程序存储于一数据库中。
6.一种用于制造程序反馈控制的自动系统，其包括一决定模块，决定制造程序之间的关系，其中该制造程序用以制造至少一个晶片；至少一个机台，用以检测处理后的晶片；一取得模块，其耦接于该机台，并从该机台取得该制造程序的制造结果信息；以及一调整模块，依据该制造结果信息及该关系自动调整该制造程序。
7.如权利要求6所述的用于制造程序反馈控制的自动系统，其中，该关系包含一对一、一对多、或多对一的对应关系。
8.如权利要求6所述的用于制造程序反馈控制的自动系统，其中，该决定模块还执行共同程序决定。
9.如权利要求6所述的用于制造程序反馈控制的自动系统，其中，该系统还包含至少一个制造机台，所述制造机台依据调整后的制造程序处理晶片。
10.如权利要求6所述的用于制造程序反馈控制的自动系统，其中，该关系和该程序存储于一数据库中。
全文摘要
本发明涉及一种用于制造程序反馈控制的自动方法及系统。该方法包括以下步骤决定制造程序之间的关系；依据该制造程序处理晶片；通过检测机台测量处理后的晶片；从该机台取得该制造程序的制造结果信息；再依据该制造结果信息及该关系自动调整该制造程序。该系统包括一决定模块，决定制造程序之间的关系，其中该制造程序用以制造至少一个晶片；至少一个机台，用以检测处理后的晶片；一取得模块，其耦接于该机台，并从该机台取得该制造程序的制造结果信息；以及一调整模块，依据该制造结果信息及该关系自动调整该制造程序。本发明可以在晶片处理和检测之后，自动执行制造程序的调整，因此可以减少错误并节省资源。
文档编号H01L21/00GK101089758SQ200710005299
公开日2007年12月19日 申请日期2007年2月14日 优先权日2006年6月14日
发明者傅明荣, 蔡幸城 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司