专利名称：监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法
技术领域：
本发明涉及一种锗硅腔体的PM (预防性维护保养，Preventive Maintenance)的方法，具体涉及一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心 化的方法。
背景技术：
如图l所示是锗硅腔体结构，中心为基座，最外圈为气体预加热环， 两者之间的有一定间隙，气体流入腔体分两路， 一路是主氢气(MainH2) 和工艺气体，从气体入口也就是从基座的侧面流入，另一路是旁路氢气 (Slit H2)，从基座的下方通入，再从基座和气体预加热环之间流入腔体。
如图2所示是现有的锗硅腔体的PM的过程，通常会按如下步骤进行 首先将腔体部件清洗安装完毕，然后目测保持基座与气体预加热环四周间 距一致，接着进行碳氧含量测试和颗粒测试，再依次进行沾污测试、方块 电阻调试、重复性验证、带图形的硅片锗硅外延厚度均匀性调试，最后进 行硼锗掺杂量分布确认。
在上述过程中，由于缺少有效的方法对基座位置进行中心化确认，当 整个过程结束后如果发锗硅现厚度均匀性不呈环状分布，而是一边厚一边 薄，则需要进行基座中心化和水平的调整，而这会导致腔体温度分布的变 化，从而使锗硅厚度和均匀性全部改变，几乎使前面的工艺需要全部重新 调试，通常这个时间段需要花费3天左右的时间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种监控锗硅外延反应腔基座安 装中心化的方法，它可以避免因基座位置安装不中心化而导致锗硅腔体重
新PM。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种监控锗硅外延反应腔基座
安装中心化的方法，该方法是在安装完基座之后，采用如下步骤
(1) 在硅片上淀积一层对多晶锗硅膜；
(2) 在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各 个点上的多晶锗硅膜的厚度；
(3) 判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度 是否均匀，如果均匀则判定基座安装己经中心化，否则需要开腔重新安装 基座。
因为本发明的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法是在安装 完基座之后，工艺参数调试之前进行的，方法简单，可以避免因基座没有 中心化而造成整个锗硅反应腔体重新PM，而且本发明采用对温度敏感的 多晶锗硅膜，其受到温度的影响反应在厚度中的变化比较明显。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细说明。
图1是锗硅腔体结构；
图2是现有的锗硅腔体的PM的流程图3是实施本发明的锗硅腔体的PM的流程图。
具体实施例方式
如图3所示是实施本发明的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的 方法的锗硅腔体的PM的流程图。整个流程是在图1所示现有的锗硅腔体
的PM的流程步骤中增加一步检测基座安装中心化的步骤，即多晶锗硅厚
度及均匀性确认，该步骤在腔体安装完毕、腔体检漏和颗粒测试通过后， 各项工艺参数调试之前采用。
首先用一枚硅片，在表面淀积一定厚度的氧化层和多晶硅层，然后进 锗硅腔淀积一层多晶锗硅膜(注意硅片凹口的方向)。淀积完后去测量多
晶锗硅膜的厚度均匀性，取尽可能多的点，本实施例采用的是49点，这 些点主要分布在各个距离基座中心位置等中心矩的环带上，各个环带上取 等间隔的点，测量该点上多晶锗硅膜的厚度，由此判断各个环带的多晶锗 硅膜的厚度是否均匀，也可以利用Ju即或其它相关软件画出平面或立体 的厚度分布图，判断厚度分布图是呈环状分布还是一边厚一边薄分布，若 是环状分布，则是最好的结果，说明基座的中心化比较好，勿需调整；若
厚度分布图显示的多晶锗硅膜厚度是一边厚一边薄分布，则说明基座需要 调整。
在测得各点的厚度后，若厚度标准偏差较大，例如3%，则通常会掩 盖基座中心化的问题，需先通过加热功率分配设置(Power setting)尽 量将厚度标准偏差调到小于3%再进行判断。若通过加热功率分配设置无 法将厚读标准偏差调至小于3%，则说明基座可能需要重新安装.
权利要求
1、一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，其特征在于，该方法是在安装完基座之后，采用如下步骤(1)在硅片上淀积一层对多晶锗硅膜；(2)在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；(3)判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。
2、 如权利要求1所述的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方 法，其特征在于，步骤(3)所述的判断各个与基座中心位置等距离的环 带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，是根据步骤(2)中所述的各个点的 位置与测量出的厚度画出多晶锗硅膜的厚度分布图，若厚度分布图呈环状 分布，则判定均匀，若厚度分布图呈一边厚一边薄分布，则判定为不均匀。
3、 如权利要求1或2所述的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的 方法，其特征在于，步骤(2)中所述的厚度，若厚度标准偏差在3%以上， 则需通过加热功率分配设置将厚度偏差调低以后再进行判断，若无法将厚 度标准偏差调低至小于3%，则判定需要开腔重新安装基座。
全文摘要
本发明公开了一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，是在安装完基座之后，采用如下步骤在硅片上淀积一层对多晶锗硅膜；在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。本发明方法简便，可以避免因基座位置安装不中心化而导致锗硅腔体需要重新进行预防性维护保养。
文档编号H01L21/66GK101350326SQ200710093959
公开日2009年1月21日 申请日期2007年7月19日 优先权日2007年7月19日
发明者伟 季, 徐伟中, 燕 缪, 煊 谢 申请人:上海华虹Nec电子有限公司