专利名称：一种提高压焊点耐腐蚀性的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造工艺，特别是涉及一种提高压焊点耐腐蚀 性的方法。
背景技术：
请参阅图1，这是现有集成电路的制造工艺对压焊点的处理方法。首先 在硅片上刻蚀出压焊点，然后对压焊点的刻蚀残留物进行处理(通常是去 除这些刻蚀残留物)，然后就直接进行硅片的减薄划片。在划片时通常采用 机械划片设备，同时采用水作为划片时的冲洗剂，为防止划片过程中产生 静电，在水中掺有二氧化碳等气体。当硅片上芯片数量较多，或者划片设备
的速度较慢，都会导致划片时间较长。当划片时间超过15分钟时，水中的 二氧化碳等气体就会与硅片上的压焊点发生化学反应，从而导致各个压焊 点出现不同程度的腐蚀，影响芯片后续封装的成品率和可靠性。
有鉴于此，本案发明人乃经详思细索，累积多年的设计经验，经多方 探讨并试作样品试验，及多次修正改良，终而开发出一种在集成电路制造 工艺中提高压悍点耐腐蚀性的方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种提高压焊点耐腐蚀性的方法。 为解决上述技术问题，本发明提高压焊点耐腐蚀性的方法将刻蚀出压 焊点的硅片，先去除刻蚀残留物，再钝化压焊点表面的化学活性。所述钝化压焊点表面的化学活性包括使用紫外线照射压焊点，使压焊 点表面生成耐腐蚀的氧化层。
所述使用紫外线照射压焊点的时间为90至150秒。
所述使用紫外线照射压焊点的优选时间为120秒。
所述钝化压焊点表面的化学活性是采用汞灯照射压焊点，所述汞灯的 光谱包括整个紫外线区间。
作为本发明的进一步改进，该方法将硅片放置在加热设备周围或内部， 同时钝化压焊点表面的化学活性。
所述加热设备包括加热板，所述加热板周围包括一个或多个垫片，硅 片放置在垫片上，不与加热板直接接触。
所述加热板通过电热丝加热，并向周围散发热量。
所述压焊点的成分包括铝、硅、铜中的一种或多种所构成的合金。
本发明通过钝化压焊点表面的化学活性实现提高压焊点的耐腐蚀性， 还可以通过提高钝化时的温度加速实现，对设备要求简单，作业时间短， 改善效果显著。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明
图1是传统的对压焊点的处理方法流程图2是本发明提高压焊点耐腐蚀性的方法流程图3是本发明提高压焊点耐腐蚀性的方法的实施示意图。
图中附图标记为IO —硅片；ll一硅片正面；12 —硅片背面；13 —压焊点；20 —汞灯；30 —加热板；31—垫片。
具体实施例方式
请参阅图2，这是本发明对压焊点的处理方法。首先在硅片上刻蚀出压 焊点，然后去除刻蚀压焊点所残留的刻蚀残留物，接着钝化压焊点表面的 化学活性，最后再进行硅片的划片。
压焊点的成分包括铝、硅、铜中的一种，或者铝、硅、铜的多种所构 成的合金。钝化压焊点表面的化学活性包括使用紫外线照射压焊点，通过 紫外线的照射促使压焊点表面生成氧化层，生成的氧化层的化学活性较低， 不易与水中的诸如二氧化碳等的杂质发生化学反应。这样，通过钝化压焊 点表面的化学活性，就可以提高压焊点的耐腐蚀性，实际上是在压焊点表 面生成了 一层具有较好耐腐蚀性的氧化层。
为了加快钝化压焊点表面的化学活性的过程，也就是加快压焊点表面 生成氧化层的过程，还可以提高压焊点表面在生成氧化层的过程中的温度。 例如，将硅片放置在加热设备周围或者加热设备内部，通过加热设备的热 量提升压焊点的温度，从而加快压焊点表面生成氧化层的过程。
请参阅图3，这是本发明的一个实施例的示意图。其中，硅片10包括 硅片正面11和硅片背面12。硅片正面11上包括一个或多个刻蚀出的压焊 点13。汞灯20发出的紫外线照射硅片正面11上的压焊点13，使压焊点13 表面生成具有较好耐腐蚀性的氧化层。硅片背面12放置在一个或多个垫片 31上，垫片31分布在加热板30周围，这样加热板30散发的热量接触到硅 片背面12，从而提高硅片10上的压焊点13的温度，可以减少压焊点13生成氧化层的时间。发明人经由图3所示的实施例进行试验，发现可以显著提高压焊点的 耐腐蚀性。紫外线照射压焊点的时间可以是90秒、100秒、110秒、120秒、 130秒、140秒或150秒，经过反复试验发现紫外线照射压焊点的优选时间 为120秒。通过本发明所述方法使用汞灯发射的紫外线照射120秒后的压 焊点，经过30分钟的划片，也未出现压焊点腐蚀现象；而未通过本发明所 述方法处理的压焊点，经过15分钟的划片，就出现了压焊点腐蚀现象。由 此本发明通过简单的设备与工序，即实现了较佳的实施效果，实乃对当今 集成电路生产工艺的一大改进。
权利要求
1.一种提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是该方法将刻蚀出压焊点的硅片，先去除刻蚀残留物，再钝化压焊点表面的化学活性。
2. 根据权利要求1所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是所 述钝化压焊点表面的化学活性包括使用紫外线照射压焊点，使压焊点表面 生成耐腐蚀的氧化层。
3. 根据权利要求2所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是所 述使用紫外线照射压焊点的时间为90至150秒。
4. 根据权利要求2或3所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是: 所述使用紫外线照射压悍点的优选时间为120秒。
5. 根据权利要求2所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是所述钝化压焊点表面的化学活性是采用汞灯照射压焊点，所述汞灯的光谱包 括整个紫外线区间。
6. 根据权利要求1所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是该方法将硅片放置在加热设备周围或内部，同时钝化压焊点表面的化学活性。
7. 根据权利要求6所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是:所述加热设备包括加热板，所述加热板周围包括一个或多个垫片，硅片放置 在垫片上，不与加热板直接接触。
8. 根据权利要求7所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是所述加热板通过电热丝加热，并向周围散发热量。
9. 根据权利要求1所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是所 述压焊点的成分包括铝、硅、铜中的一种或多种所构成的合金。
全文摘要
本发明公开了一种提高压焊点耐腐蚀性的方法，该方法将刻蚀出压焊点的硅片，先去除刻蚀残留物，再钝化压焊点表面的化学活性。所述钝化压焊点表面的化学活性包括使用紫外线照射压焊点，使压焊点表面生成耐腐蚀的氧化层。作为本发明的进一步改进，该方法将硅片放置在加热设备周围或内部，同时钝化压焊点表面的化学活性。由此，本发明通过钝化压焊点表面的化学活性实现提高压焊点的耐腐蚀性，还可以通过提高钝化时的温度加速实现，对设备要求简单，作业时间短，改善效果显著。
文档编号H01L21/02GK101409242SQ20071009413
公开日2009年4月15日 申请日期2007年10月12日 优先权日2007年10月12日
发明者徐俊杰, 王乐平 申请人:上海华虹Nec电子有限公司