专利名称：制造微晶硅薄膜的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造方法，尤指一种通过电浆辅助化学气相沉积("CVD")制造工艺来制造微晶硅(P c-Si)薄膜或li c-Si合金薄膜的方法。
技术背景微晶硅材料(例如微晶硅薄膜)因其材料特性与特征而具有许多应用。 其中一种应用为太阳能电池应用。许多其他应用(例如需要具有优异电气 特征的半导体装置或电路的应用)也经常依赖于微晶硅材料的使用。以太 阳能电池应用为例，以下说明微晶硅材料的一种应用。太阳能为近年来可用的最重要的能源之一。光电装置，例如太阳能电 池，己经引起了极大的关注，其能根据光电效应将太阳辐射转换成电能。 太阳能电池通过几乎无限的太阳能来供电，不需要补充化石燃料，因此已 应用于卫星、太空及移动通讯。鉴于节能、有效利用资源及防止环境污染 的需求日益增加，太阳能电池已成为一种富有吸引力的产生能量的装置。虽然可在硅(Si)晶片上制造太阳能电池，然而，相较于公知的发电方 法(例如，化石燃料燃烧电厂)，使用晶片型太阳能电池发电的成本相对较 高。为了使太阳能电池在经济上更可行并降低成本，已经开发了薄膜生长 技术，用于沉积高品质的吸光半导体材料。该些薄膜方法在大面积基板上 生长太阳能电池或太阳能电池模块，其可实现具有成本效益的制造，并允 许多功能模块化设计。大面积太阳能电池的制造一般使用非晶半导体薄 膜，例如非晶硅膜。某些研究已发现，堆叠式或串接式太阳能电池可具有 改善的能量转换效率。而且研究还发现，微晶硅(uc-Si)薄膜或纳米晶硅薄 膜可增强太阳能电池的导电性，并吸收整个太阳光谱的不同光波长，以进 一步改善能量转换效率，P c-Si薄膜可能为制造下一代太阳能电池的理想材料之一。然而，根据制造工艺技术，基于uc-Si薄膜来制造太阳能电池 可能具有一定的问题，例如与薄膜品质、界面特性、薄膜沉积速率及/或大 面积薄膜均匀性有关的问题。发明内容依据本发明的一范例可提供一种在电浆辅助化学气相沉积(CVD)系统 中制造半导体装置的方法，该系统可包含处理室，其具有相互隔开的第一 电极与第二电极，该方法可包含于该第二电极上提供基板，该基板可包含 暴露于该第一电极的表面，在该基板的该表面上制造半导体薄膜并在该半 导体薄膜的成核阶段期间将第一偏压施加于该第二电极上，直至达到该半 导体薄膜的预定厚度为止，以及在达到该半导体薄膜的该预定厚度之后， 将第二偏压施加于该第二电极上。依据本发明的另一范例可提供一种能够在电浆辅助化学气相沉积 (CVD)系统中制造半导体装置的方法，该系统可包含处理室，其具有相互 隔开的第一电极与第二电极，该方法可包含于该第二电极上提供基板，该 基板可包含暴露于该第一电极的表面，在该基板的该表面上制造半导体薄 膜，在制造该半导体薄膜期间，将负偏压施加于该第二电极上达预定时间， 以在该基板的该表面上产生成核点，以及在该预定时间之后，将正偏压施 加于该第二电极上，以减小该基板的该表面上的缺陷密度。依据本发明的其他范例可提供一种能够在电浆辅助化学气相沉积 (CVD)系统中制造半导体薄膜的方法，该系统可包含处理室，其具有相互 隔开的第一电极与第二电极，该方法可包含于该第二电极上提供基板，该 基板包含暴露于该第一电极的表面，在该表面上制造第一半导体薄膜，在 制造该第一半导体薄膜期间，将第一偏压施加于该第二电极上，在该第一 半导体薄膜上制造第二半导体薄膜，以及在制造该第二半导体薄膜期间，将第二偏压施加于该第二电极上。在下文的说明中将部份提出本发明的其他特点与优点，而且从该说明 中将了解本发明其中一部份，或者通过实施本发明也可习得。通过权利要 求中特别列出的元件与组合将可了解且达成本发明的特点与优点。其应该了解的是，上文的概要说明以及下文的详细说明都仅供作例示 与解释，其并未限制本文所主张的发明。
当并同各附图而阅览时，即可更佳了解本发明的前揭摘要以及上文详 细说明。为达本发明的说明目的，各附图里绘示有现属较佳的各具体实施 例。然应了解本发明并不限于所绘的精确排置方式及设备装置。在各附图中图l为根据本发明的一范例的制造微晶硅(PC-Si)薄膜的系统的示意图；图2为说明根据本发明的一范例的制造UC-Si薄膜的方法的示意图；图3A至3D为说明图1所示的第二功率产生器的输出电压的示范性曲 线图；图4A与4B为显示根据本发明的一范例的方法的实验结果的穿透式电 子显微镜(TEM)照片的范例；图4C为4A与4B所示的材料的拉曼光谱分析的曲线图；以及图5为说明根据本发明的一范例的一种制造太阳能电池的半导体层的 方法的流程图。主要元件标记说明10系统12处理室12-1第一电极12國2第二电极14第一功率产生器14画1匹配网络16第二功率产生器18气体控制器20加热控制器22提升机构24泵浦30基板30國1表面具体实施方式
图1为根据本发明的一范例的制造微晶硅(y c-Si)薄膜的系统10的示 意图。该u c-Si薄膜或纳米晶硅薄膜可指颗粒尺寸范围为约10至100纳 米(nm)的多晶硅薄膜。然而，该范围在特定应用中可以不同。在其他范例 中，该系统10也能制造微晶碳化硅(uc-SiC)、微晶硅锗(uc-SiGe)、非晶 硅及非晶硅锗(a-SiGe)。请参照图l，该系统10可包括处理室12、第一功 率产生器14与第二功率产生器16。举例而言，除第二功率产生器16之外， 该系统10可包括由Applied Komatsu Technology公司制造的AKT-1600型 电浆增强化学气相沉积(PECVD)系统、由应用材料公司(Applied Materia, Inc.)制造的高密度电浆CVD(HDPCVD)系统、感应耦合电浆CVD (ICP-CVD)系统、电容耦合电浆(CCP)CVD 、电子回旋共振CVD (ECRCVD)、微波电浆CVD(MWCVD)以及远端电浆源系统。然而，本发 明不限于上述系统，且可与其他市售沉积系统一起使用。将基板30(其可包括玻璃、聚合物与金属箔基板之一)放在处理室12 中。该处理室12可配备有一对平行板电极，其包括第一电极12-1与第二 电极12-2。该第一电极12-1可用作进气歧管或喷头，由气体控制器18提 供的反应气体通过其进入处理室12中。与第一电极12-1隔开(例如，隔开 数英吋)的第二电极12-2可用于支撑或保持基板30。在沉积期间，将第一 功率产生器14通过匹配网络14-1提供的射频(RF)、特高频(VHF)或微波 施加于第一电极12-1上，以在处理室12中的反应气体内产生电浆。该电 浆使反应气体分解并将一层材料沉积于基板30的暴露表面30-1上。第二 功率产生器16可将RF电压、直流(DC)电压、交流(AC)电压或至少一脉 冲电压提供给第二电极12-2，以在第一电极12-1与第二电极12-2之间产 生电场。随后将会参照图3A至3C详细讨论第二功率产生器16的沉积制 造工艺与操作。该系统10可进一步包括加热控制器20、提升机构22与泵浦24。加 热控制器20可在沉积期间为加热器(图中未示)供电，以对基板30进行加 热，从而使第二电极12-2达到或保持于适当的温度位准。提供提升机构 22是为了将第二电极12-2支撑于适当的高度位准。泵浦24可用于将处理室12抽空至真空状态。图2为说明根据本发明的一范例的制造u c-Si薄膜的方法的示意图。 沉积制造工艺是反应性分子先驱物与基板30之间的化学反应的结果。构 成薄膜的初始原子与分子是作为先驱物提供，其从图1所示的气体控制器 18供应。理想的反应是在基板30的表面30-l上沉积薄膜，并消除构成该 先驱物的额外原子或分子。在一范例中，基板30的表面30-1可包括一层 掺杂式氧化锡(例如ZnO:Al)或掺杂式氧化锌(例如Sn02:F)，其可通过公知 物理气相沉积(PVD)制造工艺或另一适当制造工艺而制造于基板30上。 ZnO:Al或Sn02:F层可用作太阳能电池的第一电极。请参照图2，该沉积制造工艺可包括成核阶段期间与生长阶段期间。 假定该成核阶段期间是在将由稳定材料形成的薄膜沉积于基板30的表面 30-1上的成核点之时。基板30的表面30-l上具有许多的键结位置，沉积 期间于此等位置发生化学键结，使气态原子与分子以化学方式附着于表面 30-1上。然而，并非所有潜在的键结位置都发生反应。 一般而言，具有不 规则表面结构或杂质的该成核点可能捕获分子先驱物。为了提供更多此类 的该成核点，也参照图1, 一范例中的第二功率产生器16可在该成核阶段 期间将负偏压提供给第二电极12-2，以在第一电极12-1与第二电极12-2 之间产生电场，从而对表面30-1产生离子轰击效果。离子轰击可促进初 始反应产物(即成核晶种)的该成核点的制造。该成核晶种不能移动，并且 扩散的该分子先驱物很有可能与其碰撞并反应，从而生长介稳丛集。随着 该介稳丛集生长变大，大多数碰撞发生于该介稳丛集的边界处，此可得到 晶种层。随着该介稳丛集进一步以三维方式生长，大多数键结与反应制造 工艺发生于该介稳丛集的上表面上，从而制造临界丛集。最后在该生长阶 段期间，该临界丛集的垂直生长会制造颗粒，其最终聚结成连续膜。然而，另一方面，在该成核阶段期间，该分子先驱物中的大尺寸或重 离子在通过电场朝基板30的表面30-1加速时可能会损坏该表面。举例而 言，在基板30上已制造ZnO:Al或Sn02:F层，由于材料ZnO:Al或Sn02:F 表现出结晶特征以及相对较高的导电率(例如，大于1020/cm3自由电子)， 因此表面30-1上的此类损坏不会对导电性造成负面影响或引起缺陷密度的任何大幅增加。而且，结晶特征可促进成核。为了减轻潜在损坏，在另一范例中，第二功率产生器16可在该成核阶段期间将正偏压或参照偏压 提供给第二电极12-2。在根据本发明的范例中，通过第一功率产生器14提供的RF功率在约 13.56MHz的频率下约为600瓦特。所产生电浆的密度约为1011至 1013cm-3，此可促进成核，与小一个或两个等级的较低密度相比，其具有 较短的孕核时间以及较薄的孕核层。可将处理室12抽空至约10-3托耳的 压力。反应气体可包括硅烷(SiH4)、氢(H2)与氩(Ar)。在一范例中，Ar为 约0至50sccm， SiH4为50sccm，并且SiH4与H2之比为约1:10至1:100。 将基板30保持于约25。 C至500° C的温度。孕核层的厚度范围可为约 30至50纳米(nm)，在该厚度下，可将非晶硅结晶为多晶硅。在该生长阶段期间，可执行化学侵蚀制造工艺，以移除孕核层的上表 面上的弱键结非晶或硅分子。然而，在另一范例中，可在该成核阶段期间 执行化学侵蚀制造工艺。由于分离的该成核点可导致在基板30的表面30-l 上制造颗粒边界与空隙，在上述位置，潜在的键结点无法与分子先驱物键 结，因此弱键结材料的移除有助于縮短孕核时间并减小孕核层厚度。在化 学侵蚀制造工艺中使用侵蚀性气体，其中包括SiF4与H2或SiC14与H2。 在根据本发明的范例中，SiF4与H2之比为约1:10至1:100。在另一范例 中，SiF4为1 sccm，而H2为10 sccm。当薄膜在该成核阶段期间生长至预定厚度时，第二功率产生器16可 将正偏压提供给第二电极12-2，以获得凝结的硅膜。正偏压可抑止离子轰 击，并减小表面30-1上的缺陷密度。在该生长阶段期间，切断反应气体 Ar，使SiH4保持于约50sccm，且SiH4与H2之比为约1:10至1:100。图3A至3D为说明图1所示的第二功率产生器的输出电压的示范性 曲线图。参照图3A，在一范例中，第二功率产生器16可在该成核阶段期 间将范围为约-5至-150伏特的直流偏压提供给第二电极12-2。如上所述， 负偏压有助于增加表面30-1上的该成核点，因此促进成核。在另一范例 中，第二功率产生器16可以约0至400 Hz的频率提供约-150至50伏特的交流偏压。在又一范例中，第二功率产生器16可提供至少一脉冲电压， 例如，采用方形波的形式。该脉冲电压的范围可为约-150至50伏特，其 频率为约0至400Hz,且脉冲宽度为约1至10 u m/sec。而且，当薄膜生长至预定厚度以使薄膜可用作晶种层时，第二功率产 生器16可将范围为约5至150伏特的直流偏压提供给第二电极12-2。举 例而言，该预定厚度可为最终制成的薄膜的整个厚度的四分之一(l/4)或三 分之一(1/3)。参照图3A，该预定厚度可发生于时间tl，其可为整个制造 工艺时间的1/4或1/3。如上所述，由于已在该成核阶段期间产生该晶种 层，故正偏压有助于抑止离子轰击，因此减小晶种层上的缺陷密度。在另 一范例中，第二功率产生器16可以约0至400 Hz的频率提供约-50至150 伏特的交流偏压。在另一范例中，第二功率产生器16可提供至少一脉冲 电压，例如，采用方波的形式。该脉冲电压的范围可为约-50至150伏特， 其频率为约0至400Hz，且脉冲宽度为约1至10ixm/sec。所属技术领域的技术人员应了解，由第二功率产生器16所提供的电 压的极性可顺畅地从负变为正，如图3D所示。参照图3D，第二功率产生 器16可在该成核阶段期间提供负偏压，直至时点tl，并在该成核阶段期 间的其余时间或该生长阶段期间，在时点t2提供正偏压。参照图3B，在该成核阶段期间，第二功率产生器16可以关闭，或者 提供0伏特参照电压给第二电极12-2。在达到预定的厚度之后，第二功率 产生器16可为第二电极12-2提供范围为约5至150伏特的直流偏压、范 围为约-0至150伏特、频率为约0至400Hz的交流偏压或者范围为约0 至50伏特、频率为约0至400Hz且脉冲宽度为约1至10 u m/sec的至少 一脉冲电压。参照图3C，第二功率产生器16可在该成核阶段期间将范围为约0至 20伏特的直流偏压提供给第二电极12-2。在制造晶种层之后，第二功率 产生器16可为第二电极12-2提供范围为约20至150伏特的直流偏压、 范围为约-0至150伏特、频率为约0至400Hz的交流偏压或者范围为约0 至50伏特、频率为约0至400Hz且脉冲宽度为约1至10U m/sec的至少一脉冲电压。图4A与4B为显示根据本发明的一范例的一种方法的实验结果的穿 透式电子显微镜(TEM)照片的范例。在执行实验时，将基板30保持于约 200° C的温度，并且基板表面30-l包括氧化层。参照图4A， 60秒之后， 于氧化层上制造约20nm的yc-Si薄膜。参照图4B，随着沉积制造工艺的 进行，该U c-Si薄膜可生长至约50nm的厚度。图4C为4A与4B所示的材料的拉曼光谱分析的曲线图。参照图4C， 半峰全幅(FWHM)值为约6.99cm-l，且结晶分数为约91.35%。而且，以约 518.70cm-l的波数发生的信号可指示uc-Si状态已达到。所属技术领域的 技术人员应了解，如果表面30-1包括ZnO:Al或Sn02:F层(其表现出结晶 特征)，则与包含氧化层的表面相比，Pc-Si薄膜可更快或更厚地生长。图5为说明根据本发明的一范例的一种制造太阳能电池的半导体层的 方法的流程图。太阳能电池的半导体层一般可包括p-i-n结构，其含有p 型层、n型层以及该p型层与该n型层之间的本质层。而且，堆叠型或串 接型太阳能电池一般可包括具有第一 p-i-n结构的顶部电池以及具有第二 p-i-n结构的底部电池。基于简化的目的，论述了一种根据本发明用于制造 单p-i-n结构的方法。所属技术领域的技术人员应了解，该方法适用于诸 如堆叠型结构之类的其他结构。请参照图5，在步骤51，将基板放置于电浆辅助CVD系统的处理室 内。举例而言，该基板可由玻璃、聚合物或金属箔所制成。电浆辅助CVD 系统可包括ICP CVD、 CCP CVD、 ECRCVD、 MWCVD与远端电浆源CVD 系统中的一个。该处理室可配备有第一电极与第二电极。将该基板支撑于 该第二电极上，使该基板的表面暴露于该第一电极。该基板的表面可制造 有ZnO:Al或Sn02:F层或者其他适当的层，其可用作所制造的太阳能电池 的电极端子。于步骤52，将诸如硅垸(SiH4)、氢(H2)与氩(Ar)之类的反应气体以及 第一掺杂气体施加于处理室中。第一掺杂气体可包括掺杂剂氢化物，例如 B2H6，或掺杂剂氟化物，例如BF3，其用于在基板表面上制造p型层。于步骤53，在该成核阶段期间，将该第一偏压施加于该第二电极上。该第 一偏压可包括负偏压、参照位准与正偏压中的一个。在一范例中，可将范 围为约-5至-150伏特的直流偏压施加于该第二电极上。在另一范例中，可 将范围为0至20伏特的直流偏压施加于该第二电极上。假定理想的薄膜 厚度为20至40nm，当p型层以约0.1至1 nm/sec的沉积速率生长至约10 至15nm的预定厚度时，关闭该第一偏压，并且可立即或在随后的时间开 启该第二偏压。当p型层生长至理想的厚度达到约40至4000秒的制造工 艺时间时，切断反应与掺杂气体。排出处理室中的残留气体与材料。p型 层可包括u c-Si、 u c-SiC或u c-SiGe中的至少一种。接着，于步骤54，将类似于用于制造p型层的气体的反应气体施加于 处理室中，以制造本质层。将该第二偏压施加于该第二电极上，以减小缺 陷密度。在一范例中，可将范围为约20至50伏特的直流偏压施加于该第 二电极上。当该本质层生长至约3um的厚度时，切断反应气体，并排出处 理室中的残留气体与材料。关闭该第二偏压。该本质层可包括非晶硅、 ac-SiGe、 u c-Si、 u c-SiC或u c-SiGe中的至少一种。接着，于步骤55，将类似于用于制造p型层的气体的反应气体以及第 二掺杂气体施加于处理室中。该第二掺杂气体可包括掺杂剂氢化物，例如 PH3,其用于在基板表面上制造n型层。于步骤56，将该第二偏压施加于 该第二电极上。当n型层生长至约20至40nm的厚度时，切断反应与掺杂 气体，并关闭该第二偏压。可排出处理室中的残留气体与材料。该该n型 层可包括u c-Si、 ii c-SiC或u c-SiGe中的至少一种。所属技术领域的技术人员应即了解可对上述各项具体实施例进行变 化，而不致悖离其广义的发明性概念。因此，应了解本发明并不限于本揭 的特定具体实施例，而为涵盖归属如权利要求所定义的本发明精神及范围 内的改进。另外，在说明本发明的某些解说性范例时，本说明书可将本发明的方 法及/或制造工艺表示为特定的步骤次序。不过，由于该方法或制造工艺的 范围并不是在本文所提出的特定的步骤次序，因此该方法或制造工艺不应受限于所述的特定步骤次序。所属技术领域的技术人员当会了解其它步骤 次序也是可行的。所以，不应将本说明书所提出的特定步骤次序视为对权 利要求的限制。此外，也不应将有关本发明的方法及/或制造工艺的权利要 求仅限制在以书面所载的步骤次序的实施，所属技术领域的技术人员易于 了解，上述次序也可加以改变，并且仍涵盖于本发明的精神与范畴之内。
权利要求
1.一种在电浆辅助化学气相沉积系统中制造半导体装置的方法，该系统包含处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包含在该第二电极上提供基板，该基板包含暴露于该第一电极的表面；在该基板的该表面上制造半导体薄膜并在该半导体薄膜的成核阶段期间将第一偏压施加于该第二电极上，直至达到该半导体薄膜的预定厚度为止；以及在达到该半导体薄膜的该预定厚度之后，将第二偏压施加于该第二电极上。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在该成核阶段期间将 负偏压施加于该第二电极上，以对该基板的该表面进行离子轰击。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在该成核阶段期间将 正偏压施加于该第二电极上，以抑止该基板的该表面上的离子轰击。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在达到该半导体薄膜 的该预定厚度之后将正偏压施加于该第二电极上。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在该成核阶段期间将 直流电压、交流电压与至少一电压脉冲之一施加于该第二电极上。
6. 根据权利要求1所述的方法，其特征是还包含在达到该半导体薄膜 的该预定厚度之后将直流电压、交流电压与至少一电压脉冲之一施加于该 第二电极上。
7. 根据权利要求1所述的方法，其特征是该表面包含掺杂式氧化锡薄 膜与掺杂式氧化锌薄膜中的至少一种。
8. 根据权利要求1所述的方法，其特征是该半导体薄膜包含微晶硅薄 膜、微晶碳化硅薄膜、微晶硅锗薄膜、非晶硅薄膜或非晶硅锗薄膜中的至 少一种。
9. 一种能够在电浆辅助化学气相沉积系统中制造半导体装置的方法，该系统包含处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包含: 在该第二电极上提供基板，该基板包含暴露于该第一电极的表面； 在该基板的该表面上制造半导体薄膜；在制造该半导体薄膜期间，将负偏压施加于该第二电极上达预定时 间，以在该基板的该表面上产生成核点；以及在该预定时间之后，将正偏压施加于该第二电极上，以减小该基板的 该表面上的缺陷密度。
10. 根据权利要求9所述的方法，其特征是还包含将直流电压、交流 电压与至少一 电压脉冲之一施加于该第二电极上。
11. 根据权利要求9所述的方法，其特征是还包含在该预定时间之后 将直流电压、交流电压与至少一 电压脉冲之一施加于该第二电极上。
12. 根据权利要求9所述的方法，其特征是该负偏压的范围为约-5至 -150伏特。
13. 根据权利要求9所述的方法，其特征是该正偏压的范围为约5至 150伏特。
14. 根据权利要求9所述的方法，其特征是该半导体薄膜包含微晶硅 薄膜、微晶碳化硅薄膜、微晶硅锗薄膜、非晶硅薄膜或非晶硅锗薄膜中的 至少一种。
15. —种能够在电浆辅助化学气相沉积系统中制造半导体薄膜的方 法，该系统包含处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法 包含在该第二电极上提供基板，该基板包含暴露于该第一电极的表面； 在该表面上制造第一半导体薄膜；在制造该第一半导体薄膜期间，将第一偏压施加于该第二电极上； 在该第一半导体薄膜上制造第二半导体薄膜；以及 在制造该第二半导体薄膜期间，将第二偏压施加于该第二龟极上。
16. 根据权利要求15所述的方法，其特征是进一步包含 在该第二半导体薄膜上制造第三半导体薄膜；以及 在制造该第三半导体薄膜期间，将该第二偏压施加于该第二电极上。
17. 根据权利要求15所述的方法，其特征是还包含在制造该第一半导体薄膜期间，将该第一偏压施加于该第二电极上， 直至达到该第一半导体薄膜的预定厚度；以及在制造该第一半导体薄膜期间，在达到该第一半导体薄膜的该预定厚 度之后，将该第二偏压施加于该第二电极上。
18. 根据权利要求15所述的方法，其特征是该第一半导体薄膜包含微 晶硅薄膜、微晶碳化硅薄膜或微晶硅锗薄膜中的至少一种。
19. 根据权利要求15所述的方法，其特征是该第二半导体薄膜包含微 晶硅薄膜、微晶碳化硅薄膜、微晶硅锗薄膜、非晶硅薄膜或非晶硅锗薄膜 中的至少一种。
20. 根据权利要求16所述的方法，其特征是该第三半导体薄膜包含微 晶硅薄膜、微晶碳化硅或微晶硅锗薄膜中的至少一种。
21. 根据权利要求15所述的方法，其特征是还包含 在制造该第一半导体薄膜期间，将负偏压施加于该第二电极上；以及 在制造该第二半导体薄膜期间，将正偏压施加于该第二电极上。
22. 根据权利要求15所述的方法，其特征是还包含 在制造该第一半导体薄膜期间，将第一正偏压施加于该第二电极上；以及在制造该第二半导体薄膜期间，将第二正偏压施加于该第二电极上。
23. 根据权利要求16所述的方法，其特征是还包含 在制造该第一半导体薄膜期间，将负偏压施加于该第二电极上；以及 在制造该第三半导体薄膜期间，将正偏压施加于该第二电极上。
全文摘要
本发明揭示一种在电浆辅助化学气相沉积(CVD)系统中制造半导体装置的方法，该系统包括处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包括在该第二电极上提供基板，该基板包括暴露于该第一电极的表面；在该基板的该表面上制造半导体薄膜，并在该半导体薄膜的成核阶段期间将第一偏压施加于该第二电极上，直至达到该半导体薄膜的预定厚度；以及在达到该半导体薄膜的该预定厚度之后，将第二偏压施加于该第二电极上。
文档编号H01L21/02GK101237006SQ20071014538
公开日2008年8月6日 申请日期2007年9月11日 优先权日2007年2月2日
发明者陈麒麟, 黄志仁 申请人:财团法人工业技术研究院