一种硅基薄膜太阳能电池的制作方法

文档序号:9913221阅读:309来源:国知局
一种硅基薄膜太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池,属于硅基薄膜太阳能电池生产技术领域。
【背景技术】
[0002]硅基薄膜太阳能电池由于其技术成熟、环境友好、制备成本低、可制备于柔性衬底上、可制备透光型电池等诸多优点而被广泛地进行批量生产并应用于地面太阳能电站以及光伏幕墙、屋顶电站等光伏建筑一体化(BIPV)等。对于高效率硅基薄膜太阳能电池来说,尽量多地吸收入射光可以产生高的光生电流,陷光技术是最重要、最有效的光管理技术,可以使硅基薄膜太阳能电池有效地吸收入射光。在硅基薄膜太阳能电池结构的背透明电极上沉积一层背二氧化钛(Ti02)薄膜同样可以有效地对入射光进行反射从而有效地增加光电流,提高电池的转换效率。电池的效率和制备成本存在着一定平衡,对于如上所述的具有反射特性的二氧化钛薄膜,它们的沉积工艺主要都是在制备好的硅基薄膜太阳能电池上进行,其沉积工艺在一定程度上决定硅基薄膜太阳能电池的膜层材料的特性和电池效率。此外,连续沉积工艺也影响着生产节拍和产能,在一定程度上增加了电池的制备成本,从而制约着硅基薄膜太阳能电池的发展和企业的竞争实力。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是提供一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,使得高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后通过层压工艺将两者进行封装,这样将有效地提高电池效率,同时提高了节拍、增加了产能、降低电池的制备成本,解决【背景技术】存在的上述问题。
[0004]本发明的技术方案是:一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,包含二氧化钛背反射薄膜、封装背板、硅基薄膜电池、透明前基板和封装材料;封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后,将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装,,所述封装背板从中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层,所述外层表面经过等离子处理,所述外层为BMC层或SMC层,所述基层为PET蜂窝层,所述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成,所述含氟涂层的表面经过等离子处理。
[0005]所述的二氧化钛背反射薄膜至少包含一层二氧化钛薄膜,制备在封装背板上,背反射薄膜的膜厚控制在100纳米到500微米之间。
[0006]所述的基层材料为玻璃、或者不锈钢、或者有机聚合物材料。
[0007]所述的硅基薄膜电池为硅基薄膜太阳能电池,包括所有硅材料和硅基合金材料的单结和多结叠层结构的薄膜太阳能电池。
[0008]所述的透明前基板为玻璃或者聚酯膜。
[0009]所述的封装材料为在可见光区平均光透过率大于10%的有机聚合物材料。
[0010]本发明的积极效果:将高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后通过层压工艺将两者进行封装,这样将有效地提高电池效率,同时提高了节拍、增加了产能、简化了电池制备工艺,降低电池的制备成本,并可广泛用于实际的批量工业生产中。
【附图说明】
[0011]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本发明实施例结构示意图;图2是本发明背板的结构示意图。
[0013]图中:透明前基板1、硅基薄膜电池2、封装材料3、二氧化钛背反射薄膜4、封装背板5。
【具体实施方式】
[0014]为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
[0015]—种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,包含二氧化钛背反射薄膜
(4)、封装背板(5)、硅基薄膜电池(2)、透明前基板(I)和封装材料(3),在封装背板上制备至少包含一层二氧化钛薄膜,制备在封装背板上;封装背板上的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装,所述封装背板从中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层,所述外层表面经过等离子处理,所述外层为BMC层或SMC层,所述基层为PET蜂窝层,所述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成,所述含氟涂层的表面经过等离子处理,本发明在基层5-1的两个表面采用流延工艺流延出SMC或BMC树脂,分别形成外层5-2。SMC是指片状模塑料,BMC是指团状模塑料,其具有优良的耐腐蚀性能,较强的刚性,其机械性能可以与部分金属材料媲美。在两个外层5-2的外表面还具有含氟涂层5-3。含氟涂层5-3具有很好的耐候性,耐水性,氧阻隔性,并且有自清洁性,非常适合做太阳电池背板的最外层。
[0016]本发明实施例更具体的制备方法如下:
[0017]1.在封装背板上沉积二氧化钛背反射薄膜
[0018](I)将封装背板放置在清洗设备中,加入清洗剂进行清洗,然后依次经过去离子水冲洗、氮气吹干;(2)在清洗完的封装背板上制备高反射二氧化钛背反射薄膜,膜厚控制在100纳米到500微米之间;
[0019]2.硅基薄膜电池的制备
[0020](I)将透明前基板放置在清洗设备中,加入清洗剂进行清洗,然后依次经过去离子水冲洗、氮气吹干;(2)制备前透明电极;(3)采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备硅基薄膜电池;(4)制备背透明电极;
[0021]3.制备完成新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池
[0022]将上述制备有二氧化钛背反射薄膜的封装背板与完成硅基薄膜太阳能电池制备的透明前基板进行层压工艺,采用有机聚合物封装材料进行层压封装,同时引出电池正负电极,从而形成新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池。
[0023]本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池,属于硅基薄膜太阳能电池生产技术领域。技术方案是:包含二氧化钛背反射薄膜(4)、封装背板(5)、硅基薄膜电池(2)、透明前基板
(I)和封装材料(3);封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后,将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装。本发明的积极效果:将高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后通过层压工艺将两者进行封装,这样将有效地提高电池效率,同时提高了节拍、增加了产能、简化了电池制备工艺,降低电池的制备成本,并可广泛用于实际的批量工业生产中。
[0024]此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种硅基薄膜太阳能电池,其特征在于:包含二氧化钛背反射薄膜(4)、封装背板(5)、硅基薄膜电池(2)、透明前基板(I)和封装材料(3);封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后,将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装,所述封装背板从中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层,所述外层表面经过等离子处理,所述外层为BMC层或SMC层,所述基层为PET蜂窝层,所述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成,所述含氟涂层的表面经过等离子处理。2.根据权利要求1所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,其特征为:所述的二氧化钛背反射薄膜至少包含一层二氧化钛薄膜,制备在封装背板上,背反射薄膜的膜厚控制在10纳米到500微米之间。3.根据权利要求1或2所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,其特征为:所述的基层材料为玻璃、或者不锈钢、或者有机聚合物材料。4.根据权利要求1所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,其特征为:所述的硅基薄膜电池为硅基薄膜太阳能电池,包括所有硅材料和硅基合金材料的单结和多结叠层结构的薄膜太阳能电池。5.根据权利要求1所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,其特征为:所述的透明前基板为玻璃或者聚酯膜。6.根据权利要求1所述之一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,其特征为:所述的封装材料为在可见光区平均光透过率大于10%的有机聚合物材料。
【专利摘要】本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池,包含二氧化钛背反射薄膜、封装背板、硅基薄膜电池、透明前基板和封装材料;封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后,将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装,所述封装背板从中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层,所述外层表面经过等离子处理,所述外层为BMC层或SMC层,所述基层为PET蜂窝层,所述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成,所述含氟涂层的表面经过等离子处理。有效地提高电池效率,同时提高了节拍、增加了产能、简化了电池制备工艺,降低电池的制备成本,并可广泛用于实际的批量工业生产中。
【IPC分类】H01L31/049, H01L31/056, H01L31/048
【公开号】CN105679868
【申请号】CN201610235196
【发明人】董友强
【申请人】董友强
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年4月14日
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