专利名称：半导体器件内的金属线及其形成方法
技术领域：
本发明涉及一种制造半导体器件的方法，更具体而言，涉及一种利 用嵌入式工艺在快闪存储器件中形成金属位线的方法。
技术背景在制造小于60nm的快闪存储器件时，如果使用钨(W)作为位线， 则可能难以获得适合快闪存储器件的操作特性的条电阻(barresistance),已推荐使用铝(Al)或(Cu )替代鴒来形成金属线的方法 以解决此问题。通常，利用铝形成金属线的方法包括沉积铝并接着实施 反应性离子蚀刻(RIE)工艺。然而，获得均匀蚀刻的表面可能是困难 的。此外，当利用RIE工艺形成金属线时，在底部界面上可能会发生铝 损耗。因此，当金属线的临界尺寸(CD)较小时，可能难以配备(embody) 铝线。利用嵌入式工艺形成包括铜的金属线。嵌入式工艺通常具有优于 RIE工艺的电子迁移特性。嵌入式工艺通常用以形成包括铜或铝的金属线。在绝缘层的界面上 提供阻挡金属层用以减少铜或铝扩散到绝缘层中。与包括铝的金属线 (下文中称为铝线)相比，在实施化学机械抛光(CMP)工艺以隔离线 时，利用嵌入式工艺形成包括铜的金属线(下文中称为铜线)可提供较 好的电子迁移特性和较好的稳定性。然而，在形成铜线时，由于铜的扩 散特性而通常需要用于形成铜线的独立的工作空间及设备。需要注意， 铜在用作绝缘层的硅或基于氧化物的材料中具有快的扩散速度。相比之下，因为铝线可形成比铜线更致密的层，所以利用嵌入式工 艺形成的铝线可提供优点。同样，铝可能不会扩散到硅或绝缘层中。然 而，铝线与铜线相比而言较不稳定并因此具有变小的电子迁移特性。因
此，铝线可能易腐蚀。尤其是，在与包括非铝金属的阻挡金属层的接触 区域处可能出现向阻挡金属层供应电子的电蚀。此特性可能增加金属线 的条电阻并对器件的可靠性有不利地影响。在实施用于电隔离相邻铝线的CMP工艺之后，实施清洗过程以#多 除在CMP工艺期间产生的抛光副产物和浆料残余物。清洗过程通常4吏 用基于氨(NH3)或基于氟化氢(HF)的清洗溶液。因此，清洗溶液化 学性地损害铝线并出现电蚀。所以，期望在清洗过程期间有用以减少电 蚀的改进的清洗溶液。图1说明在实施CMP工艺之后在清洗过程期间 在铝线与阻挡金属层之间产生的电蚀(称为"C")的显微图。发明内容本发明的实施方案提供在半导体器件中的金属线及形成金属线的 方法。具有本发明的金属线的半导体器件可减少利用嵌入式工艺时用于 形成金属线的金属层和阻挡金属层之间的接触区域处的电蚀。根据本发明的一个方面，在半导体器件中提供金属线。金属层包括 其中形成有沟槽的绝缘层；在所述绝缘层和所述沟槽上形成的阻挡金属层； 在所述阻挡金属层上形成的金属层，其中所述金属层填充所述沟槽；以及 在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上形成的抗电蚀层。 ,根据本发明的另一方面，提供一种用于在半导体器件中形成金属线 的方法。该方法包括提供包括绝缘层的衬底，该绝缘层具有形成于其 中的多个沟槽；在绝缘层和沟槽上形成阻挡金属层；在阻挡金属层上形 成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层，其中第二金属层i真充 沟槽；以及利用热过程在阻挡金属层和第二金属层之间的界面上形成抗 电蚀层。根据本发明的又一方面，提供一种用于在半导体器件中形成金属线 的方法。该方法包括提供包括绝缘层的衬底，该绝缘层具有形成于其 中的多个沟槽；在绝缘层和沟槽上形成阻挡金属层；以及在阻挡金属层 上形成包括第一金属的金属层，该金属层填充沟槽，其中在形成金属层 时提供包括第二金属的气体以在阻挡金属层和金属层之间的界面上形
成抗电蚀层。
图1说明当利用嵌入式工艺形成铝线时在传统的清洗过程期间在铝 线和阻挡金属层之间产生的电蚀的显微图。图2A ~ 2D说明根据本发明的第一实施方案的用于在半导体器件中 形成金属线的方法的横截面图。图3A 3C说明根据本发明的第二实施方案的用于在半导体器件中 形成金属线的方法的横截面图。具体实施方案本发明的实施方案是涉及在半导体器件中的金属线和形成金属线 的方法。根据本发明的实施方案，当使用嵌入式工艺形成金属线时，在 阻挡金属层和金属层之间的界面上形成抗电蚀层。抗电蚀层包括含有金 属层材料的合金层。因此，可减少在阻挡金属层和金属层之间的界面处 的电蚀。在金属层的平坦化过程期间使用pH值为约4~约6的的弱酸性抛 光浆料。因此，可减少阻挡金属层和金属层之间的电蚀。通过将金属腐 蚀抑制剂添加到去离子水清洗溶液中，使得清洗溶液的pH值可在约8 ~ 约10的范围内变动，可进一步减少电蚀。换句话说，在平坦化过程之 后实施的清洗过程期间，维持清洗溶液为碱性溶液。参考附图，所示层和区域的厚度经放大以有助于解释。当第一层被 称为"在第二层上，，或"在衬底上"时，其可意味着在第二层或衬底上 直接形成第一层，或其也可意味着第三层可存在于第一层和衬底之间。 此外，在本发明的各实施方案中相同或类似的附图标记表示不同附图中 的相同或类似的元件。图2A 2D说明根据本发明的第一实施方案的用于在半导体器件中 形成金属线的方法的横截面图。参考图2A,在包括多个导电层(未图示)的衬底(未图示)上形 成第一绝缘图案20、蚀刻终止层21和第二绝缘图案22。具体而言，在 绝缘层。第一绝缘层包括基于氧化物的材料。在第一绝 缘层上形成基于氮化物的层。基于氮化物的层作为蚀刻掩模，使得第一 绝缘层可被选择性蚀刻。在基于氮化物的层上形成第二绝缘层。第二绝 缘层包括基于氧化物的材料，该基于氧化物的材料具有不同于基于氮化物的层的选择性。例如，第二绝缘层可包含TSi02、原硅酸四乙酯 (TEOS)、高密度等离子体(HDP)或未经掺杂的硅酸盐玻璃(USG)。 第二绝缘层可包括通过使用旋涂方法或化学气相沉积(CVD)方法形成 的低k介电层。第二绝缘层可形成约100 A ~约2，500 A的厚度。蚀刻部分第二绝缘层、基于氮化物的层和第一绝缘层以形成沟槽 23。因此，形成第二绝缘图案22、蚀刻终止层21和第一绝缘图案20。 利用两个蚀刻过程形成沟槽23 。第 一蚀刻过程在基于氮化物的层上停止 蚀刻。通过第二蚀刻过程来蚀刻第一绝缘层。沟槽23可形成约1,500 A ~ 约3,000A的深度。参考图2B，在所得结构上形成阻挡金属层24。阻挡金属层24可包 括堆叠结构，该堆叠结构包含钛(Ti) /氮化钛(TiN)、 Ti/TiN/Ti、钽 (Ta ) /氮化钽(TaN )、 Ta/TaN/Ta、 Ti/氮化钛硅(TiSiN )或Ti/TiSiN/Ti。 具体而言，可利用CVD方法或物理气相沉积(PVD)方法形成阻挡金 属层24。考虑到阻挡金属层24的阶梯覆盖特性，阻挡金属层24在水平 方向上可形成约80 A或更小的厚度。可在阻挡金属层24的表面轮廓上 形成具有相对较小的厚度的铜层25。可使用PVD方法将铜层25形成约 50A或更小的厚度。参考图2C，在铜层25上形成的铝层27具有相对大的厚度(图2B), 使得铝层27填充沟槽23 (图2B )。可利用CVD方法形成铝层27。实施热过程28以在铝层27和阻挡金属层24之间形成铝铜(AlCu ) 合金层25A。铜层25通过在热过程28期间产生的热而和铝层27反应， 形成AlCu合金层25A。因此，根据本发明的第一实施方案，由于在铝 层27和阻挡金属层24之间的界面上形成的AlCu合金层25A,因此可 减少在铝层27和阻挡金属层24之间的界面处的电蚀。 因为Al具有强提供电子的阳极倾向，因此AlCu合金层25A可减 少电蚀。当Al和具有比Al更强的阴极倾向的Cu组合时，电子迁移特 性改进，从而减少电蚀。参考图2D,实施CMP工艺以在沟槽23 (图2B)中形成彼此电隔 离的多个金属线29。金属线29各自包含图案化的阻挡金属层24A、图 案化的AlCu合金层25B和图案化的铝层27A。重要的是，在CMP工 艺期间控制浆料的pH值和组成，以便减少铝层27的表面上的点蚀以及 阻挡金属层24的界面上的电蚀是重要的。例如，CMP工艺包括使铝氧 化并接着使用pH值约4~约6的浆料来移除氧化的铝。具体而言，添 加约2wt"A至大 约6wt。/o的氧化剂以使铝氧化。利用基于胶态二氧化 硅或氧化铝(A1203)的抛光颗粒来移除已氧化的铝。例如，在CMP工 艺中使用的氧化剂可包括过氧化氢(H202 )、 Fe(N03)3或原高碘酸 (H5I06)。因此，根据本发明的第一实施方案，当使用嵌入式工艺形成 铝线时，在CMP工艺期间可防止铝线的腐蚀。实施清洗过程以移除在CMP工艺期间产生的浆料残余物和抛光副 产物。在清洗过程期间使用去离子水(DIW)清洗溶液作为碱性清洗溶 液以减少已图案化的铝层27A的腐蚀。例如，在清洗过程期间使用的 DIW清洗溶液的温度可维持在约3or; ~约80X:。维持上述温度以使清 洗反应特性的增强效应最大化。可将金属腐蚀抑制剂加入到DIW清洗 溶液以维持DIW清洗溶液的约8 ~约10的pH值(也就是，维持DIW 清洗溶液作为碱性溶液)。DIW清洗溶液的浓度可以为约50wt。/。 约 80wto/o。当使用没食子酸甲酯作为金属腐蚀抑制剂时，没食子酸曱酯通过没 食子酸甲酯的OH基团和在图案化的铝层27A上形成的基于氧化物的层 的化学结合而吸附在图案化的铝层27A的表面上。因此，形成铝和不溶性螯合物的化合物。由于此化合物，可避免氯(cr)离子的吸附和被DIW的溶解，并可保护在图案化的铝层27A上形成的基于氧化物的层。 通过最初使用包括DIW的清洗溶液，可使实施利用DIW的清洗过程的 时间周期最小化。当添加没食子酸曱酯时，没食子酸曱酯的浓度可以为约0.01wto/o 约10wt%。在清洗过程期间可使用用于移除聚合物的有机型杂质或基于胺的 肼来替代金属腐蚀抑制剂。肼使聚合物的主链断开以改进基于氧化物的聚合物或基于金属的聚合物的移除效率。肼的浓度可为约10wt。/。 约 50wt%。可添加少量氟化氢(HF)替代金属腐蚀抑制剂以有效地移除 在抛光工艺期间产生的浆料残余物和抛光副产物。添加预定量的HF， 使得图案化的铝层27A不会受到损伤。例如，HF的量可为几个ppm至 几百个ppm。根据本发明的第一实施方案，当利用嵌入式工艺形成铝线时，在 CMP工艺之后实施的清洗过程期间铝线不会受到腐蚀。在下文中利用 关于铝的电蚀的方程式来描述典型电蚀的原理。通常，当铝层的表面暴露在空气中时，在表面上形成无定形氧化物层以保护表面。然而，当诸如(so4) 2_离子或cr离子的阴离子存在于 铝层或周边层上时，阴离子和无定形氧化物层反应，导致形成水溶性盐。 当cr离子存在于铝层上时，cr离子可移动至无定形氧化层。因此，难 以防止Af+离子移动至铝层的表面。因此，可能会出现铝点蚀。因此， 铝层的腐蚀的第一步骤可为cr离子穿透无定形氧化物层。因此，可移 除形成于铝层表面上的水溶性盐，从而暴露铝层表面。如下方程式i中 所示的阳极材料溶解铝层表面。换句话说，A产溶解铝层表面，引起点 蚀。方程式i为关于铝层的阳极方程式。Al —Al3++3e- [方程式1A13++H20 — Al(OH)2++H+ Al(OH)2++H20 — Al(OH)2++H+ Al(OH)2++H20 — AI(OH)3+H+ Al(OH)3+H20 — Al(OH)4 +H+ xAl3++yH20 — Alx(OH)y3x y+yH+与之相比，如下方程式2中所示，在铝层中包含的铜、或配置阻挡
金属层的Ti或TiN的表面处可能会发生阴极反应。因此，可能会在水 中产生氧的分解或氢氧化物的电离。方程式2为关于阻挡金属层的阴极 方程式。2H20+2e — 20H +H2 [方程式202+H20+2e — 40HA产离子的化学反应在含水溶剂中不容易出现。可通过A产离子和 水反应以形成水解物质的相互反应而控制化学反应。Al的溶解性和所产 生的氢氧(oxyhydrogen)的溶解性取决于溶液的pH值。因此，溶液 中的Al的浓度随着溶液的pH值自酸性改变至碱性而快速改变，从而形 成显著稳定的物质，其中在酸性条件下A产离子可能不会改变并且在碱 性条件下Al(OH)4离子可能不会改变。图3A ~ 3C说明才艮据本发明的第二实施方案的用于在半导体器件中 形成金属线的方法的横截面图。本发明的第二实施方案描述不同于第一 实施方案的用于形成AlCu合金层的方法。在第一实施方案中，在形成 铝层之前形成铜层，且在形成铝层之后实施热过程以形成AlCu合金层。 在第二实施方案中，在形成铝层的同时供应铜源气体，而不是形成独立 的铜层。在下文中，参考图3A~3C简要描述根据第二实施方案的用于 形成半导体器件的方法。因为本发明的第二实施方案使用大体上和在第 一实施方案中描述的条件相同的条件(形成AlCu合金层的方法除外)， 所以可省略某些详细描述。参考图3A,在包括多个导电层(未图示)的衬底(未图示)上形 成第一绝缘图案30、蚀刻终止层31和第二绝缘图案32。具体而言，在 衬底上形成第一绝缘层。在第一绝缘层上形成作为蚀刻掩模的基于氮化 物的层。在基于氮化物的层上形成第二绝缘层。第二绝缘层包括基于氧 化物的材料，所述基于氧化物的材料具有不同于基于氮化物的层的选择 性。蚀刻部分第二绝缘层、基于氮化物的层和第一绝缘层以形成沟槽。 因此，形成第一绝缘图案30、蚀刻终止层31和第二绝缘图案32。在所
得结构上形成阻挡金属层33。阻挡金属层33可包括堆叠结构，该堆叠 结构包含Ti/TiN 、 Ti/TiN/Ti 、 Ta/TaN 、 Ta/TaN/Ta 、 Ti/TiSiN或 Ti/TiSiN/Ti。参考图3B，在阻挡金属层33上形成铝层35并填充沟槽。在第一 实施方案中，利用CVD方法形成铝层35。在形成铝层35的同时供应 铜源气体，使得在阻挡金属层33和铝层35之间的界面上形成AlCu合 金层36。在一个实施方案中，形成AlCu合金层36并接着利用CVD方 法形成具有约200 A ~约l，OOO A的厚度的铝层以填充沟槽。利用PVD 方法形成包括约0.3% ~约P/o的铜的主体(bulk)铝层，厚度为约1,000 A~约5,000 A。根据本发明的第二实施方案，可通过在铝层35和阻挡 金属层33之间的界面上形成的AlCu合金层36来减少在铝层35和阻挡 金属层33之间的界面处可能出现的电蚀。因为Al具有强的提供电子的 阳极倾向，所以AlCu合金层36可减少电蚀。当A1和具有比A1更强的 阴极倾向的Cu组合时，电子迁移特性改进，从而减少电蚀。参考图3C,实施CMP工艺以在沟槽中形成彼此电隔离的多个金属 线37。金属线37各自包含图案化的阻挡金属层33A、图案化的铝层35A 和图案化的AlCu合金层36A。在CMP工艺期间控制浆料的pH值和组 成以减少铝层35的表面上的点蚀以及阻挡金属层33的界面上的电蚀。 典型CMP工艺包括使铝氧化并接着利用pH值为约4 ~约6的浆料来移 除氧化的铝。具体而言，添加约2wt% ~约6wt。/。的氧化剂以使铝氧化。 利用基于胶态二氧化硅或氧化铝(A1203)的抛光颗粒来移除氧化的铝。 因此，根据本发明的第二实施方案，当使用嵌入式工艺形成铝线时，在 CMP工艺期间可减少铝线的腐蚀。实施清洗过程以移除在CMP工艺期间产生的浆料残余物和抛光副 产物。使用基于溶剂的清洗溶液或基于DIW的清洗溶液来防止图案化 的铝层35A的腐蚀。当使用基于DIW的清洗溶液时，可添加金属腐蚀 抑制剂以将清洗溶液的pH值维持在约8~约10的范围内。也可添加基 于胺的肼或HF。因此，根据本发明的第二实施方案，当使用嵌入式工 艺形成铝线时，在实施CMP工艺之后的清洗过程期间可减少铝线的腐 蚀。才艮据第二实施方案的抗电蚀效应的原理大体上和以上关于本发明的 第一实施方案所描述的原理相同。根据本发明的第一和第二实施方案，半导体器件中的金属线包括在 阻挡金属层和金属层之间的界面上形成的抗电蚀层(例如，AlCu合金 层)，所述阻挡金属层在具有沟槽的绝缘层上形成，所述金属在阻挡金 属层上形成以填充沟槽。抗电蚀层包括含有金属层材料的合金层。金属 层包括具有强阳极倾向的Al。合金层包括AlCu合金层，其包含具有强阴极倾向的Cu和Al的组合。尽管参照具体实施方案描述了本发明，但是本领域技术人员应该理 解，在不背离所附权利要求中所公开的本发明的范围和精神的情况下， 可进行各种变化和修改。
权利要求
1.一种半导体器件中的金属线，所述金属线包括绝缘层，所述绝缘层具有形成在其中的沟槽；阻挡金属层，所述阻挡金属层形成在所述绝缘层和所述沟槽上；金属层，所述金属层形成在所述阻挡金属层上，其中所述金属层填充所述沟槽；和抗电蚀层，所述抗电蚀层形成在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上。
2. 根据权利要求l所述的金属线，其中所述抗电蚀层包括含有所述金 属层的材料的合金层。
3. 根据权利要求2所述的金属线，其中所述金属层的材料包含铝(Al )。
4. 根据权利要求2所述的金属线，其中所述合金层包含AlCu合金层。
5. 根据权利要求1所述的金属线，其中所述阻挡金属层包括堆叠结构， 所述堆叠结构选自钛(Ti)/氮化钬(TiN)、 Ti/TiN/Ti、钽(Ta)/氮化钽(TaN)、 Ta/TaN/Ta、 Ti/氮化钬硅(TiSiN)和Ti/TiSiN/Ti。
6. —种用于在半导体器件中形成金属线的方法，所述方法包括 提供包括绝缘层的衬底，所述绝缘层具有形成于其中的多个沟槽； 在所述绝缘层和所述沟槽上形成阻挡金属层； 在所述阻挡金属层上形成第 一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层，其中所述第二金属层填充所述 沟槽；和利用热工艺在所述阻挡金属层和所述第二金属层之间的界面上形成抗 电蚀层。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中所述抗电蚀层包括含有所述第一和第二金属层的材料组合的合金层。
8. 根据权利要求6所述的方法，其中所述第一金属层包含第一金属并 且所述第二金属层包含第二金属，所述第 一金属和所述第二金属具有相反 的极性。
9. 根据权利要求6所述的方法，其中所述第一金属层包含铜(Cu)且 所述第二金属层包含铝(Al )。
10. 根据权利要求6所述的方法，其中所述阻挡金属层包含堆叠结构， 所述堆叠结构包含选自钛(Ti)/氮化钛(TiN)、 Ti/TiN/Ti、钽(Ta)/氮化钽(TaN)、 Ta/TaN/Ta、 Ti/氮化钬珪(TiSiN)及Ti/TiSiN/Ti的材料。
11. 根据权利要求6所述的方法，其中形成所述抗电蚀层后还包括对所述第二金属层实施化学Wfe抛光(CMP)工艺以隔离所述第二金 属层的相邻部分；以及实施清洗过程。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中实施所述CMP工艺包括氧化 所述第二金属层并利用抛光浆料移除在所述绝缘层上形成的部分所述氧化 的第二金属层，所述抛光浆料具有约4 约6的pH值。
13. 根据权利要求12所述的方法，其中所述CMP工艺包括添加约2wt 0/。~约6wto/。的氧化剂以使所述第二金属层氧化，所述抛光浆料含有基于 胶态二氧化硅或氧化铝的抛光颗粒。
14. 根据权利要求ll所述的方法，其中实施所述清洗过程包括将选自 金属腐蚀抑制剂、基于胺的肼和氟化氢(HF)中的一种添加到去离子水清 洗溶液中，使得所述清洗溶液为碱性溶液。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中所述金属腐蚀抑制剂包含没食 子酸曱酯。
16. —种用于在半导体器件中形成金属线的方法，所述方法包括提供包括绝缘层的衬底，所述绝缘层具有形成于其中的多个沟槽；在所述绝缘层和所述沟槽上形成阻挡金属层；以及在所述阻挡金属层上形成包括第一金属的金属层，所述金属层填充所 述沟槽；其中在形成所述金属层时供应包含第二金属的气体，以在所述阻挡金 属层和所述金属层之间的界面上形成抗电蚀层。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中所述抗电蚀层包括含有所述第 一和第二金属的组合的合金层。
18. 根据权利要求16所述的方法，其中所述第一金属和所述第二金属 具有相反的极性。
19. 根据权利要求16所述的方法，其中所述第一金属包含铉(Al)并 且所述第二金属包賴(Cu)。
20. 根据权利要求16所述的方法，其中所述阻挡金属层包含堆叠结构， 所述堆叠结构包含选自钛(Ti)/氮化钛(TiN)、 Ti/TiN/Ti、钽(Ta)/氮化钽(TaN)、 Ta/TaN/Ta、 Ti/氮化钬珪(TiSiN)及Ti/TiSiN/Ti的材料。
21. 根据权利要求16所述的方法，还包括在形成所述金属层之后对所述金属层实施化学机械抛光(CMP)工艺以隔离所述金属层的相 邻部分；以及实施清洗过程。
22. 根据权利要求21所述的方法，其中实施所述CMP工艺包括氧化属层，所述抛光浆料具有约4 约6的pH值。
23. 根据权利要求22所述的方法，其中所述CMP工艺包括添加约2wt %~约6wt。/o的氧化剂以氧化所述金属层，所述抛光浆料包含基于胶态二 氧化硅或氧化铝的抛光颗粒。
24. 根据权利要求21所述的方法，其中实施所述清洗过程包含将选自 金属腐蚀抑制剂、基于胺的肼和氟化氢(HF)中的一种添加到去离子水清 洗溶液中，使得所述清洗溶液为碱性溶液。
25. 根据权利要求24所述的方法，其中所述金属腐蚀抑制剂包含没食 子酸曱酯。
全文摘要
一种在半导体器件中的金属线包括绝缘层，其具有形成于其中的沟槽；在所述绝缘层和所述沟槽上的形成的阻挡金属层；在所述阻挡金属层上形成的金属层，其中所述金属层填充所述沟槽；以及在所述金属层和所述阻挡金属层之间的界面上形成的抗电蚀层。
文档编号H01L23/522GK101154646SQ200710146018
公开日2008年4月2日 申请日期2007年9月5日 优先权日2006年9月29日
发明者崔容寿, 金奎显 申请人:海力士半导体有限公司