专利名称：扫描清洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体晶片加工过程中对晶片清洗的技术，具体地说是一种实现 对晶片表面进行清洗的扫描清洗装置。
背景技术：
众所周知，在半导体晶片加工过程中需要一个高度清洁的环境以减少不必要 微粒对工艺的影响。但随着精密度的不断提高，线宽的不断縮小以及洁净度的要 求不断提高。不仅需要一个高洁净度的净化环境，在很多情况下还需要对晶片表 面进行清洗，以满足对被处理晶片表面清洁度的要求。
原来的晶片清洗方式是将晶片通过真空吸附的方式固定在承片台上，然后启 动清洗设备，使承片台带着晶片旋转。由于晶片的微粒都藏于晶片的沟槽内，顾 一般都采用去离子水直接冲洗的办法对镜片表面进行清洗。这样依靠承片台带动 晶片旋转时的离心力，再加上离子水的冲刷力将晶片上的微粒清除以达到清洗的 目的。但是，这种方法所釆用的离子水由于喷射角度、位置固定而容易产生死角。 这样，无论如何变动承片台转速以及增加清洗时间，都不能完全有效的将晶片表 面的微粒完全冲洗掉。
发明内容
本发明的目的在于提供一种扫描清洗装置，解决传统的清洗结构喷射角度、 位置固定而容易产生死角等问题，釆用喷水旋转扫描清洗的方式，以实现对晶片 表面做有效清洗的目的。
本发明的技术方案是
一种扫描清洗装置，该装置设有喷嘴马达、主轴马达、承片台、喷嘴、喷嘴 轴、喷嘴臂，喷嘴臂一端安装于喷嘴马达的喷嘴轴上，喷嘴臂另一端连有喷嘴， 主轴马达的主轴上安装有承片台，喷嘴与承片台上的晶片相对应。
所述的扫描清洗装置，在喷嘴轴上安装有喷嘴轴防水套，喷嘴轴防水套与喷 嘴轴之间为过盈配合。所述的扫描清洗装置，被处理成螺旋状的高压水管围绕着喷嘴轴安装，高压 水管螺旋上绕后沿喷嘴臂与喷嘴连接。
所述的扫描清洗装置，该装置设于壳体内，壳体为上下两层的上壳体和下壳 体构成，上下两层在连接处互相啮合。
所述的扫描清洗装置，在主轴马达的主轴与下壳体之间装有可伸缩的主轴防 水套，主轴防水套与主轴及下壳体分别固定。
所述的扫描清洗装置，喷嘴轴通过滚动轴承与安装于下壳体上。
本发明的有益效果是
1、 本发明所提供的清洗装置包括两个马达、 一个承片台、 一个喷头以及控制 单元。通过在清洗过程中对喷头位置的控制以及晶片旋转的特点可以最大限度的 满足清洗需要，实现清洗的目的，即将晶片表面的微粒全部清除。
2、 在本发明清洗装置中，用于清洗的水是高压水。这样，为保证在作业过程 中绝对安全，特将所有装置都安装在一个方形"迷宫"壳体内。由控制单元控制， 当一种马达带动承片台及晶片旋转时，另 一个马达则带动喷嘴臂旋转使得喷嘴在 喷嘴臂的带动下做圆周运动，也就是扫描。而喷嘴摆动的角度及逸度均可根据不 同工艺需要做出任意调整。
3、 同时，喷嘴旋转轴以及承片台旋转轴上都装有防水套，以防止液体向下泄
漏造成马达损坏引发事故。在该装置中，壳体用塑料加工而成。其余零件均釆用
不4，H材料，这样可保证不会再有颗粒生成而造成晶片二次污染。
4、 另外，由于有时所用清洗液压力较高，所以必须釆用不锈钢管这样的材料 才能保证其耐压型。不#^管刚度较强，不宜反复折弯，但喷嘴又要反复旋转， 所以又特别的将不#^管做成螺旋形，这样便可在保证其耐压型的同时满足喷嘴 旋转的功能。
图1和图2是本发明的结构示意简图。其中，图l为主视图；图2为俯视图。 图3是被处理成螺旋状的高压水管。 图4为上、下壳体结合处截面放大示意图。
图中，l-喷嘴马达；2-主轴马达；3-承片台；4-下壳体；5-主轴防水套；6-喷 嘴轴防水套；7-喷嘴；8、 9-滚动轴承；lO-喷嘴轴；ll-喷嘴臂；12-晶片；13-上壳 体；14-高压水管；15-主轴。
具体实施例方式
如图1-2所示，本发明扫描清洗装置具有喷嘴马达1、主轴马达2、承片台3、 壳体、主轴防水套5、喷嘴轴防水套6、喷嘴7、滚动轴承8、 9、喷嘴轴IO、喷 嘴臂ll、晶片12等；喷嘴臂11一端安装于喷嘴马达1的喷嘴轴10上，喷嘴臂 11另一端连有喷嘴7，主轴马达2的主轴15上安装有承片台3，喷嘴7与承片台 3上的晶片12相对应；在喷嘴轴10上安装有喷嘴轴防水套6，喷嘴轴防水套6 与喷嘴轴10之间为过盈配合；该装置设于壳体内，壳体为上下两层(即上壳体 13和下壳体4)构成，上壳体13和下壳体4在连接处互相插接啮合，形成类似于 迷宫结构；壳体釆用这样的迷宫型结构(图4)，液体很难再从壳体的连接外泄， 同时可节省加工材料。在主轴马达2的主轴15与下壳体4之间还装有可伸缩的主 轴防水套5，主轴防水套5与主轴15及下壳体4分别固定；喷嘴轴10通过滚动 轴承8、 9与安装于下壳体4上。
如图2所示，喷嘴7以喷嘴轴10为圆心、以喷嘴臂ll为半径旋转，可实现 旋转清洗，且其高度、转动角度及半径均可调。
如图3所示，被处理成螺旋状的高压水管14围绕着喷嘴轴10安装，高压水 管14从下面穿上来以后，被加工成螺旋形，螺旋上绕后沿喷嘴臂11与喷嘴7连 接，高压水管摆动时不会产生较大扭矩，可保证其耐压性及减轻负载扭矩。
启动清洗装置以后，首先是主轴马达2旋转，从而带动与其直连的承片台3 旋转。这样，通过真空吸附的方式而被固定在承片台3上的晶片12也跟着旋转起 来，其旋转赦及其加 可调。此时，喷嘴马达l旋转，带动与之连接的喷嘴 轴10旋转，喷嘴臂ll、喷嘴7随之旋转，其运动轨迹如图2箭头所示。旋转即 清洗的角度及速度可根据需要控制喷嘴马达1调整。当喷嘴7旋转到指定位置时， 自动返回原位。在此摆臂清洗过程中，因为与喷嘴7连通的高压水管14(如钢 管)已经被处理成螺旋型，故加在旋转喷嘴马达l上的负载已经不是很大，可以 轻松随喷嘴7旋转，同时又保证了高压水管14的耐压特性。这样便不会出现旋转 喷嘴马达l因负载扭矩太大而烧坏，也不会造成因高压水管耐压能力不足而造成 破裂的危险。
因为在清洗过程中，可能需要对喷嘴7相对于晶片12的中心位置进行一些微 小的调整，也可能需要对晶片12进行特定角度以及特定范围的特别清洗，所以喷 嘴轴IO、喷嘴臂ll以及喷嘴7之间的连接都被设计成可调整的，都釆用螺钉锁死。在需要调整的时候可将螺钉松开，利用轴与孔的间隙窜动喷嘴7和喷嘴臂11 的位置，当位置合适的时候，再拧紧螺钉，固定。这样，可以同时调整喷嘴7的 喷射半径及高度，以满足要求。
为了能够确保喷嘴7在旋转扫描清洗过程中没有液体泄露,在喷嘴轴10的中 上部固定有喷嘴轴防水套6。该喷嘴轴防水套6与喷嘴轴10之间为过盈配合，并 用顶丝将其固定在喷嘴轴10之上。这样，既可保证喷嘴7在往复旋转的情况下, 喷嘴轴防水套6不仅能够很好的实现其防水的功能，而且也不会脱落。另外，为 避免液体从中间主轴15处泄露，在主轴马达2的主轴15与下壳体4之间安装一 个可以伸缩的主轴防水套5,主轴防水套5做成可伸缩型是因为有时承片台需要 升起，主轴防水套5是一种可伸缩的塑料管，材料就是普通塑料，蝶形、可伸缩。 主轴防水套5与下壳体4固定，这样可在不影响承片台3升降时防止泄露。
权利要求
1. 一种扫描清洗装置，其特征在于该装置设有喷嘴马达(1)、主轴马达(2)、承片台(3)、喷嘴(7)、喷嘴轴(10)、喷嘴臂(11)，喷嘴臂(11)一端安装于喷嘴马达(1)的喷嘴轴(10)上，喷嘴臂(11)另一端连有喷嘴(7)，主轴马达(2)的主轴上安装有承片台(3)，喷嘴(7)与承片台(3)上的晶片(12)相对应。
2. 按照权利要求1所述的扫描清洗装置，其特征在于在喷嘴轴(10)上安 装有喷嘴轴防水套(6),喷嘴轴防水套(6)与喷嘴轴(10)之间为过盈配合。
3. 按照权利要求1所述的扫描清洗装置，其特征在于被处理成螺旋状的高 压水管(14)围绕着喷嘴轴(10)安装，高压水管(14)螺旋上绕后沿喷嘴臂(11) 与喷嘴(7)连接。
4. 按照权利要求1所述的扫描清洗装置，其特征在于该装置设于壳体内， 壳体为上下两层的上壳体和下壳体构成，上下两层在连接处互相啮合。
5. 按照权利要求4所述的扫描清洗装置，其特征在于在主轴马达(2)的 主轴(15)与下壳体(4)之间装有可伸缩的主轴防水套(5),主轴防水套(5) 与主轴(15)及下壳体(4)分别固定。
6. 按照权利要求4所述的扫描清洗装置，其特征在于喷嘴轴(10)通过滚 动轴承与安装于下壳体(4)上。
全文摘要
本发明涉及半导体晶片加工过程中对晶片清洗的技术，具体地说是一种实现对晶片表面进行清洗的扫描清洗装置，可解决传统的清洗结构喷射角度、位置固定而容易产生死角等问题。该装置设有喷嘴马达、主轴马达、承片台、喷嘴、喷嘴轴、喷嘴臂，喷嘴臂一端安装于喷嘴马达的喷嘴轴上，喷嘴臂另一端连有喷嘴，主轴马达的主轴上安装有承片台，喷嘴与承片台上的晶片相对应。本发明通过在清洗过程中对喷头位置的控制以及晶片旋转的特点，采用喷水旋转扫描清洗的方式，可以最大限度的满足清洗需要，实现对晶片表面做有效清洗的目的，即将晶片表面的微粒全部清除。
文档编号H01L21/02GK101436521SQ20071015832
公开日2009年5月20日 申请日期2007年11月16日 优先权日2007年11月16日
发明者侯宪华, 军 张 申请人:沈阳芯源微电子设备有限公司