专利名称：一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及N型单晶硅太阳电池背铝硅合金结的制备工艺。
背景技术：
现阶段，N型硅太阳电池主要是通过扩硼工艺来制备背面P+/N 发射结，工艺复杂，成本高，不易于规模化生。发明内容为了优化工艺，本发明提供一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，该工艺是在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝桨，进行 高温一次烧结，形成背铝硅合金结； 一次烧结形成的铝硅合金结， 是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的，其合金层具备均匀性。 背铝硅合金结的深浅，由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定， 当硅片厚度在200 230nm，背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20 25um， 烧结温度在700 920°C;当硅片厚度低于200um时，烧结温度会降 低一点，温度控制在700 90(TC。本发明的优点是，只须进行一次高温烧结，即可形成背铝硅合金结， 合金结的合金层，均匀性好，工艺简单，成本低，适宜于规模化生产。
附图是本发明的层结构图。 图中标号说明1- 是Ag金属栅线正电极；2- 是SiNx减反射层，厚度约为80nm;3- 是正面N"磷扩散层，厚度为0.3 0.5um;4- 是N型单晶硅片，电阻率0.2 15Q.cm;5- 是？+ Al-Si合金层；6- 是背面Al电极；7- 是背面银铝主栅线电极。
具体实施方式
本发明是通过丝网印刷在电池背面全覆盖印刷铝(Al)浆，进行一 次高温烧结，而形成的。通过王水或者强酸去掉铝层之后，所展现出 来的一层鱼鳞状的结构，就是P+层(铝硅合金层)，其生产工艺完 全适合在P型单晶硅生产线上进行规模化生产。背铝硅合金结的深浅，是根据硅片的厚度，烧结温度的高低，烧结 时间的长短，以及全覆盖印刷铝浆的厚薄来决定的，当原材料硅片厚 度在200 230腦，背面全覆盖印刷铝浆控制在20 25um，烧结温度在 700 920。C，这时背铝硅合金结比较均匀。当用王水或者强酸洗掉后， 会看见很匀称的鱼鳞，鱼鳞结构很明显；当原材料低于200um时，烧 结温度会降低一点，烧结温度在700 900°C，温度过低时，会导致铝硅合金结烧结不均匀，用王水和强酸洗掉后，会发现局部没有形成 铝硅合金结。
权利要求
1、一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，其特征是在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆，进行高温一次烧结，形成背铝硅合金结。
2、 按权利要求l所述的一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，其特征是 一次烧结形成的铝硅合金结，是用强酸或王水腐蚀去除铝层 后形成的，其合金层具备均匀性。
3、 按权利要求1所述的一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，其 特征是背铝硅合金结的深浅，由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定，当硅片厚度在200 230um,背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20 25um，烧结温度在7Q0 920。C。
全文摘要
本发明提供一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，该工艺是在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆，进行高温一次烧结，形成背铝硅合金结；一次烧结形成的铝硅合金结，是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的，其合金层具备均匀性。背铝硅合金结的深浅，由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定，当硅片厚度在200～230μm，背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20～25μm，烧结温度在700～920℃；当硅片厚度低于200μm时，烧结温度会降低一点，温度控制在700～900℃。本发明的优点是，只须进行一次高温烧结，即可形成背铝硅合金结，合金结的合金层，均匀性好，工艺简单，成本低，适宜于规模化生产。
文档编号H01L31/18GK101217172SQ20081003253
公开日2008年7月9日 申请日期2008年1月10日 优先权日2008年1月10日
发明者唐则祁, 孙励斌, 徐晓群, 李华维, 胡宏勋, 斌 陈, 黄岳文 申请人:宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司