专利名称：用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种通过稀释的方法制备测试用的样品，特别是涉及一种用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法。
背景技术：
目前，对铝及铝合金中杂质元素的分析主要是有两种方法1、采用GB/T6987-2001系列中的化学分析方法，但该方法需要在聚四氟乙烯烧杯中进行溶样，且溶样时不能使用高温，因此导致溶样时间较长，一般为3 4小时，再加上多次定容、分取的过程，整个样品处理需用时5-6小时，分析时间过长，对产品生产不利；2、使用直读光谱仪(原子发射光谱仪的一种)目前市场上，可购买到直读光谱仪，如日本岛津公司PDA-5500III是铝合金的专用机型，此类直读光谱仪可同时快速、高精度的分析金属中的元素组成。采用此类直读光谱仪分析时，需要将待测金属试样的分析面加工成平面状，否则，分析时惰性气体保护不完全，容易漏气，导致分析面激发不完全。但是当合金试样中含硅量大于15%时，试样比较脆，在处理试样试样表面时容易出现鳞片状， 导致分析结果偏差较大。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，该方法简单、快速，使得直读光谱仪能更准确的检测高硅铝合金中的元素。一种用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，包括以下步骤将含硅量为15-20%质量分数的高硅铝合金样品和原铝放入石墨容器中，推入马弗炉中熔融， 其中马弗炉的温度为700-750°C，将高硅铝合金样品和原铝混勻后，取出，冷却，得到混合样品，其中所述高硅铝合金样品和原铝的质量比为1 (1-1.1)。本发明用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，其中所述马弗炉的温度为750°C。本发明用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，其中所述元素为 Fe 禾口 Si。本发明用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，其中所述直读光谱仪为岛津公司生产的PDA-5500III。高硅铝合金与原铝混合时置放于在石墨容器中，避免因为容器材质中带入Fe、Si 等待测元素杂质而影响测定结果。本发明用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法简单、快速，当马弗炉温度为750°c时，对高硅铝合金样品和原铝进行熔融、混勻可在20分钟之内完成，而采用GB/T6987-2001系列中的分析方法，样品处理需要5_6小时才能完成。采用经过稀释的高硅铝合金样品，分析面容易处理光洁，使用直读光谱仪测定狗和Si的质量百分数，该质量百分数与用GB/T6987-2001. 4和GB/T6987-2001. 5方法测定的!^e和Si的质量百分数相比，相对偏差在5%以内。
具体实施例方式实施例1不同熔融温度的选择将55. 3240g的高硅铝合金和58. 0454g的原铝置于石墨容器中，分别推入700、750 和800°C的马弗炉进行熔融。具体情况如下表 权利要求
1.一种用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，其特征在于包括以下步骤将含硅量为15-20%质量分数的高硅铝合金样品和原铝放入石墨容器中，推入马弗炉中熔融，其中马弗炉的温度为700-750°C，将高硅铝合金样品和原铝混勻后，取出，冷却， 得到混合样品，其中所述高硅铝合金样品和原铝的质量比为1 (1-1.1)。
2.根据权利要求1所述的用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，其特征在于所述马弗炉的温度为750°C。
3.根据权利要求2所述的用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，其特征在于所述元素为狗和Si。
4.根据权利要求3所述的用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法，其特征在于所述直读光谱仪为岛津公司生产的PDA-5500III。
全文摘要
本发明涉及一种用于直读光谱仪检测高硅铝合金中元素时的样品稀释法。其目的是为了提供一种简单、快速、使得直读光谱仪能更准确的检测高硅铝合金中元素的样品稀释法。本发明包括以下步骤将含硅量为15-20％质量分数的高硅铝合金样品和原铝放入石墨容器中，推入马弗炉中熔融，其中马弗炉的温度为700-750℃，将高硅铝合金样品和原铝混匀后，取出，冷却，得到混合样品，其中所述高硅铝合金样品和原铝的质量比为1(1-1.1)。
文档编号G01N1/44GK102494937SQ20111040897
公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月9日 优先权日2011年12月9日
发明者仝选歌, 刘勇, 屈少辉, 梁春杰, 汪利锋, 王 锋, 王鹏晓, 薛龙建, 闫海洋, 马水涛 申请人:登封电厂集团铝合金有限公司