专利名称：全压接快速散热型陶瓷外壳底座的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种陶瓷管壳，尤其是涉及一种全压接快速散热型陶 瓷外壳底座。特别适合用于间隙式工作的半导体器件的封装外壳底座。属 于电力电子技术领域。
背景技术：
电力电子技术是一个以功率半导体器件、电子线路技术、计算机技术、 现代控制技术为支撑技术平台。是电力电子技术(强电和弱点技术)的融 合。目前电力电子技术的研究正从基础创新向产业化转换，推出了诸多科 研成果。电力电子器件作为电力电子装置的核心器件，应用领域十分广泛， 特别是在建设资源节约型社会的过程中发挥出越来越大的作用。传统电力 电子器件由芯片、外壳、散热器组成。对于在特定工作条件下，电力电子 器件经常处于瞬间工作和间隙式工作状态，它需要器件具有短时工作，快 速散热的功能。外接散热器不仅不能满足器件快速散热的要求，而且浪费 资料，大幅增加器件体积。
发明内容
本实用新型的目的在于针对间隙式工作器件的特点，提供一种可以使 器件无需另外加装散热器而直接工作的全压接快速散热型陶瓷外壳底座。本实用新型的目的是这样实现的 一种全压接快速散热型陶瓷外壳底 座，包括大阳法兰、瓷环、小阳法兰、阳极电极、芯片定位环和引线管， 所述小阳法兰同心焊接在阳极电极的外缘中间，芯片定位环同心焊接在阳 极电极的外缘上部，大阳法兰、瓷环和小阳法兰自上至下叠合同心焊接， 引线管穿接于瓷环的壳壁上，其特征在于所述阳极电极的下端面均布有 若干阳极散热槽。
本实用新型具有不需外接散热器，通过全压接的紧密接触，电极散热 槽自行散热实现快速散热的特点。因此特别适合间隙式工作器件的封装。
图l为本实用新型的俯视图。 图2为图1的A-A剖示图。
图中大阳法兰l、瓷环2、小阳法兰3、阳极电极4、阳极散热槽5、 芯片定位环6、引线管7。
具体实施方式
参见图1~2，本实用新型涉及的全压接快速散热型陶瓷外壳底座，主 要由大阳法兰l、瓷环2、小阳法兰3、阳极电极4、芯片定位环6和引线 管7组成。小阳法兰3同心焊接在阳极电极4的外缘中间，芯片定位环6 同心焊接在阳极电极4的外缘上部，大阳法兰1、瓷环2和小阳法兰3自 上至下叠合同心焊接，引线管7穿接于瓷环2的壳壁上。所述阳极电极4 的下端面均布有若干阳极散热槽5。
所述阳极散热槽，槽的深度和数量可根据器件的散热要求而设计。增加槽的深度和数量可以增加散热效果。
所述芯片定位环可以准确定位芯片、钼片和阳极电极之间的同心度， 实现全压接的工艺要求。
所述阳极电极采用双面研磨工艺使电极表面具有很高的平整度和粗糙
度，平整度S0.005mm，粗糙度R^0.8p。为芯片的全压接封装提供可靠保 证。
以上各部件之间采用银铜焊料，在真空炉或氢气炉中一次性高温焊接 而成。具有很高的拉力强度和气密性。拉力强度》5KN/cm2，气密性 $lxl(T9Pam3/S。
权利要求1、一种全压接快速散热型陶瓷外壳底座，包括大阳法兰(1)、瓷环(2)、小阳法兰(3)、阳极电极(4)、芯片定位环(6)和引线管(7)，所述小阳法兰(3)同心焊接在阳极电极(4)的外缘中间，芯片定位环(6)同心焊接在阳极电极(4)的外缘上部，大阳法兰(1)、瓷环(2)和小阳法兰(3)自上至下叠合同心焊接，引线管(7)穿接于瓷环(2)的壳壁上，其特征在于所述阳极电极(4)的下端面均布有若干阳极散热槽(5)。
专利摘要本实用新型涉及一种全压接快速散热型陶瓷外壳底座，适合用于间隙式工作的半导体器件的封装外壳。包括大阳法兰(1)、瓷环(2)、小阳法兰(3)、阳极电极(4)、芯片定位环(6)和引线管(7)，其特征在于所述阳极电极(4)的下端面均布有若干阳极散热槽(5)。本实用新型具有不需外接散热器，通过全压接的紧密接触，电极散热槽自行散热实现快速散热的特点。因此特别适合间隙式工作器件的封装。
文档编号H01L23/367GK201142325SQ20082003676
公开日2008年10月29日 申请日期2008年6月13日 优先权日2008年6月13日
发明者徐宏伟, 耿建标, 陈国贤 申请人:江阴市赛英电子有限公司