专利名称：利用选择性外延工艺形成外延层的方法
技术领域：
本发明涉及集成电 制造领域，特别是涉及一种利用选择性外延工艺形成外延层 的方法。
背景技术：
在传统的技术中，会将应力(stress)引入到金属氧化物晶体管(M0S transistor)的沟道区域内，以增加载流子迁移率(carrier mobility)，进而提高金属氧化 物晶体管的性能。一般而言，对于NMOS晶体管而言，希望在源极至漏极方向的沟道区域产 生张应力(tensile stress)；而对于PMOS晶体管而言，希望在源极至漏极方向的沟道区域 产生压应力(compressive stress)。以PMOS晶体管为例，为了在其沟道区域产生压应力，需要在PMOS晶体管的源极和 漏极区域形成外延层，所述外延层是锗化硅，由于锗化硅比硅具有更大的晶格常数，因此其 膜层内部具有压缩应力，该压缩压力会被转移到水平方向上，以在该PMOS晶体管的沟道内 产生出压应力，进而提高空穴的迁移率。而对于NMOS晶体管而言，则需要在其源极和漏极 区域形成碳化硅，以提高电子的迁移率。当要进行选择性外延工艺的半导体衬底上包括两种或两种以上材料的时候，可利 用选择性外延(selective epitaxial growth, SEG)工艺来形成锗化硅或者碳化硅。例如， 所述半导体衬底上包括暴露出来的硅表面和介电材料表面时，会执行选择性含硅薄膜的生 长步骤。一般地，所述介电材料可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。当这些介电材料暴露 出来的时候，所述选择性外延工艺所使用的气体包括蚀刻气体。所述选择性外延工艺包括 沉积反应和蚀刻反应，所述沉积反应和蚀刻反应以相对不同的反应速率在半导体衬底上进 行。具体的说，所述选择性外延工艺的沉积反应在硅表面生长结晶硅，而在介电材料表面生 长不定型硅或多晶硅。所述蚀刻气体对介电表面生长的不定型硅或多晶硅的蚀刻速率会比 硅表面的结晶硅的蚀刻速率快的多，因而可完成选择性的外延生长。当然，也可在只有硅表面的半导体衬底上进行选择性外延工艺，以在硅表面形成 外延层。以形成锗化硅薄膜为例，常用来执行选择性外延沉积的制程方法是使用二氯硅烷 作为硅源气体，锗烷作为锗源气体，氯化氢作为蚀刻气体，并以氢气或氮气作为载气。然而，在实际生产中发现，在利用选择性外延工艺生长锗化硅或碳化硅时，所述锗 化硅或碳化硅表面经常出现腐蚀坑缺陷(pits defect) 0经研究发现，出现这种腐蚀坑缺 陷的原因是由于，硅与锗或碳的晶格常数不同，导致在外延生长后，形成的锗化硅或碳化硅 薄膜的表面不平整，即出现了腐蚀坑缺陷，这将严重影响晶体管的性能，导致产品的良率下 降。在专利号US6825102B1的美国专利中，公开了一种改善有缺陷的半导体晶体材料 的材料质量的方法，以解决上述问题。该方法包括以下步骤首先对有缺陷的半导体晶体 材料的一个区域进行部分或完全非晶化，并对非晶化的有缺陷的半导体晶体材料进行热处 理，以使所述部分或者完全非晶化的区域再结晶，形成与有缺陷的半导体晶体材料相比具有降低了的缺陷密度的再结晶区域。该方法通过固相再生长转移延伸通过非晶层的缺陷， 从而消除了任何硅(或其它外延层)与生长有关的缺陷。然而，该方法是通过离子注入的 方式来进行部分或完全非晶化，这会引入制程不需要的离子，且该方法增加了较多的工艺 步骤，导致生产成本上升，不利于提高生产效率。
发明内容
本发明提供一 种利用选择性外延工艺形成外延层的方法，该方法工艺简单，却可 有效的解决现有技术形成的外延层表面具有腐蚀坑缺陷的问题。为解决上述技术问题，本发明提供一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法， 包括将半导体衬底置于处理室内，并加热所述半导体衬底；向所述处理室内通入第一反 应气体，以在该半导体衬底上形成外延层，所述第一反应气体包括第一蚀刻气体；向所述处 理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层，所述第二反应气体包括第二蚀刻气体，所述 第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流速大。可选的，所述第一蚀刻气体是氯化氢，所述第一蚀刻气体的流速为50 200SCCm。可选的，所述第二蚀刻气体是氯化氢，所述第二蚀刻气体的流速为200 350ccm。可选的，所述外延层是锗化硅薄膜。可选的，所述第一反应气体还包括第一硅源气体、第一载气以及第一锗源气体，所 述第一硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第一载气是氢气或氮气，所述第一锗源气体是锗 烷，所述第一硅源气体的流速为5 500sCCm，所述第一载气的流速为5 50slm，所述第一 锗源气体的流速为5 500sccm。可选的，所述第二反应气体还包括第二硅源气体、第二载气以及第二锗源气体，所 述第二硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第二载气是氢气或氮气，所述第二锗源气体是锗 烷，所述第二硅源气体的流速为5 500sCCm，所述第二载气的流速为5 50slm，所述第二 锗源气体的流速为5 500sccm。可选的，所述外延层是碳化硅薄膜。可选的，所述第一反应气体还包括第一硅源气体、第一载气以及第一碳源气体，所 述第一硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第一载气是氢气或氮气，所述第一碳源气体是甲 基碳烷，所述第一硅源气体的流速为5 500sCCm，所述第一载气的流速为5 50slm，所述 第一碳源气体的流速为5 500sCCm。可选的，所述第二反应气体还包括第二硅源气体、第二载气以及第二碳源气体，所 述第二硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第二载气是氢气或氮气，所述第二碳源气体是甲 基碳烷，所述第二硅源气体的流速为5 500sCCm，所述第二载气的流速为5 50slm，所述 第二碳源气体的流速为5 500sCCm。可选的，所述处理室内的压力为1 200Torr，所述半导体衬底被加热至500 1000°C。与现有技术相比，本发明提供的利用选择性外延工艺形成外延层的方法包括通入 第一反应气体形成外延层以及通入第二反应气体蚀刻所述外延层两个步骤，其中，蚀刻所 述外延层时通入的第二蚀刻气体的流速比形成外延层时通入的第一蚀刻气体的流速大，因 此，通入第一反应气体时是以沉积反应为主，进而在半导体衬底上形成目标厚度的外延层，而通入第二反应气体时则以蚀刻反应为主，从而蚀刻所述外延层以使所述外延层表面平 整，避免所述外延层表面出现腐蚀坑缺陷，提高了产品的良率。
图1为本发明实施例所提供的利用选择性外延工艺形成外延层的方法的流程
图2A 2C为本发明实施例所提供的利用选择性外延工艺形成外延层的方法的各 步骤相应结构的剖面示意图。
具体实施例方式在背景技术中已经提及，在利用选择性外延工艺生长锗化硅或碳化硅时，所述锗 化硅或碳化硅表面经常出现腐蚀坑缺陷。出现这种腐蚀坑缺陷的原因是由于硅与锗或碳的 晶格常数不同，使得形成的锗化硅或碳化硅薄膜的表面不平整，即出现了腐蚀坑缺陷，这将 严重影响晶体管的性能。本发明的核心思想在于，提供一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法，该方 法包括通入第一反应气体形成外延层以及通入第二反应气体蚀刻所述外延层两个步骤，其 中，蚀刻所述外延层时通入的第二蚀刻气体的流速比形成外延层时通入的第一蚀刻气体的 流速大，因此，通入第一反应气体时是以沉积反应为主，进而在半导体衬底上形成目标厚度 的外延层，而通入第二反应气体时则以蚀刻反应为主，从而蚀刻所述外延层以使所述外延 层表面平整，避免所述外延层表面出现腐蚀坑缺陷，提高了产品的良率。请参考图1，其为本发明实施例所提供的利用选择性外延工艺形成外延层的方法 的流程图，结合该图，该方法包括步骤步骤S10，将半导体衬底置于处理室内，并加热所述半导体衬底；步骤S20，向所述处理室内通入第一反应气体，以在该半导体衬底上形成外延层， 所述第一反应气体包括第一蚀刻气体；步骤S30，向所述处理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层，所述第二反应 气体包括第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流速大。下面将结合示意图对本发明的利用选择性外延工艺形成外延层的方法进行更详 细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述 的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人 员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能 和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开 发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的 限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费 时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要 求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非 精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。第一实施例
参照图2A，首先提供半导体衬底20，并将该半导体衬底20置于处理室内，之后，力口 热所述半导体衬底20。在本实施例中，半导体衬底20是硅衬底。当然，在本发明的其它实施例中，半导体 衬底20也可以包括两种或两种以上材料，例如，半导体衬底20上可包括暴露出来的硅表面 和介电材料表面，以在半导体衬底20上执行选择性锗化硅或碳化硅等含硅薄膜的生长步 马聚ο其中，所述处理室是可进行选择性外延工艺的设备的反应腔，例如，美国应用材料 公司生产的Epi Centura系统与PolyGen系统。当然，还可以是传统的批次高温炉等。所述处理室内的压力可保持在1 200ΤΟΠ·，较佳的，所述处理室内的压力保持在 3Torr 至 15Torr 之间。在所述处理室内，可将半导体衬底20加热至500 1000°C。以加热方式驱动由多 种气体组合成混合物发生反应并外延生长结晶硅。较佳的，将半导体衬底20加热至600°C 至750°C之间，在这个温度范围内，作为硅源气体的硅烷可以有效地热分解形成硅。接着，如图2B所示，向所述处理室内通入第一反应气体，以在该半导体衬底20上 形成外延层21，所述第一反应气体包括第一蚀刻气体。在本实施例中，利用选择性外延工艺所形成的外延层21是锗化硅薄膜。所述锗化 硅薄膜比硅具有更大的晶格常数，故在退火之后锗化硅会膨胀并产生压应力，进而提高空 穴的迁移率。然而，由于硅与锗的晶格常数不同，所述外延层21的表面不平整。其中，所述第一蚀刻气体是氯化氢(HCL，俗称盐酸)。使用氯化氢来取代氯气等气 体有很多优点，例如，氯化氢不会像氯气一样强力攻击成长中的薄膜，且其可更具选择性的 蚀刻。然而应该认识到，所述第一蚀刻气体还可以是其它含卤素气体，例如，溴化氢或碘化 Mo其中，所述第一蚀刻气体的流入到所述反应室内的流速较低，以使通入第一反应 气体时进行的选择型外延生长过程是以沉积反应为主，进而较快在半导体衬底20上形成 目标厚度的外延层21。在本实施例中，所述第一蚀刻气体的流速为50 200sCCm。在本实施例中，所述第一反应气体还包括第一硅源气体(硅前驱物)、第一载气以 及第一锗源气体(锗前驱物)。所述第一硅源气体、第一载气、第一锗源气体以及第一蚀刻 气体被同时通入到处理室内，以形成锗化硅薄膜。其中，所述第一硅源气体是硅烷或二氯硅烷。当然，所述第一硅源气体还可以是 高等硅烷或有机硅烷。所述高等硅烷包括具有化学通式SixH(2x+2)的化学物，例如乙硅烷 (Si2H6)。所述有机硅烷包括具有化学通式RySixH(2x+2_y)的化学物，其中R为甲基、乙基或其
它焼基。所述第一硅源气体的流速为5 500sCCm，较佳的，所述第一硅源气体的流速介于 30sccm 至 300sccm 之间。其中，所述第一载气是氢气或氮气。当然，所述第一载气还可以是氩气或者氦气以 及上述气体的组合物。所述第一载气的流速为5 50slm。其中，所述第一锗源气体是锗烷。除了锗烷之外，可用于沉积锗化硅的锗源气体还 包括高等锗烷和有机锗烷。所述高等锗烷包括具有化学通式GexH(2x+2)的化学物，例如乙锗 烷(Ge2H6)15所述有机硅烷包括具有化学通式RyGexH(2x+2_y)的化学物，其中R为甲基、乙基或其它烷基。所述第一锗源气体的流速为5 500sCCm ，较佳的，所述第一锗源气体的流速介于 30sccm 至 300sccm 之间。在通入第一反应气体形成外延层的过程中，包括沉积反应和蚀刻反应，所述沉积 反应和蚀刻反应以相对不同的反应速率在半导体衬底20上进行。所述第一蚀刻气体会蚀 刻在硅表面形成的锗化硅，但是该步骤中是以沉积反应为主，进而较快在半导体衬底20上 形成目标厚度的外延层21，也就是说，外延层21的厚度已达到预期要形成的外延层的厚度。本实施例并不对具体通入第一反应气体的时间进行限定，根据要形成的外延层21 的厚度，本领域技术人员通过即可获知具体的反应时间。当然，如果半导体衬底20上包括暴露出来的硅表面和介电材料表面，那么所述第 一蚀刻气体对介电表面生长的外延层的蚀刻速率会比硅表面的外延层的蚀刻速率快的多， 因而可完成选择性的外延生长。接下来，如图2C所示，向所述处理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层21， 所述第二反应气体包括第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流 速大，以形成厚度均勻表面无缺陷的外延层21'。形成外延层21以及蚀刻所述外延层21是在同一处理室内原位完成，通入第二反 应气体时，半导体衬底20的温度仍为500 1000°C，较佳的，半导体衬底20仍在600°C至 750°C之间。所述处理室内的压力仍保持在1 200ΤΟΠ·，较佳的，所述处理室内的压力保持 在3Torr至15Torr之间。较佳的，所述第二蚀刻气体与所述第一蚀刻气体是同一气体，例如氯化氢。所述第 二蚀刻气体流入到所述反应室内的流速较高，以使通入第二反应气体时进行的选择型外延 生长过程是以蚀刻反应为主，所述第二蚀刻气体会蚀刻所述外延层21的表面，进行形成厚 度均勻表面无缺陷的外延层21'。在本实施例中，所述第二蚀刻气体的流速为200 350ccm。由于第二蚀刻气体的 腐蚀作用，外延层21'的表面较为光滑，减少了腐蚀坑缺陷出现的几率，提高了产品的良率。进一步的，所述第二反应气体可采用与第一反应气体相同的成分，即所述第二反 应气体还包括第二硅源气体、第二载气以及第二锗源气体。所述第二硅源气体、第二载气、 第二锗源气体以及第二蚀刻气体被同时通入到处理室内，以形成锗化硅薄膜。其中，所述第二硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第二硅源气体的流速介于5sCCm 至500sCCm之间。所述第二载气是氢气或氮气，所述第二载气的流速介于5slm至50slm之 间。所述第二锗源气体是锗烷，所述第二锗源气体的流速介于5sCCm至500sCCm之间。本发明第一实施例提供的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，该方法工艺简 单，仅包括通入第一反应气体形成外延层以及通入第二反应气体蚀刻所述外延层两个步 骤，通入第一反应气体时是以沉积反应为主，进而在半导体衬底上形成目标厚度的外延层， 而通入第二反应气体时则以蚀刻反应为主，从而蚀刻所述外延层以使所述外延层表面平 整，即可有效的避免所述外延层表面出现腐蚀坑缺陷。第二实施例
在本发明的第一实施例中，给出了形成锗化硅薄膜的具体实施例，对于碳化硅薄 膜而言，制造方法基本相同，区别在于通入第一反应气体和第二反应气体中均包括碳来源 气体(碳前驱物)。下面继续以图2A至图2C为参考，对形成碳化硅的过程加以说明。参照图2A，首先提供半导体衬底20，并将该半导体衬底20置于处理室内，之后，力口 热半导体衬底20，可将所述半导体衬底20加热至500 1000°C，所述处理室内的压力保持 在 1 200Tor r。接着，如图2B所示，向所述处理室内通入第一反应气体，以在该半导体衬底20上 形成外延层21，所述第一反应气体包括第一蚀刻气体。在本实施例中，利用选择性外延工艺所形成的外延层是碳化硅薄膜。所述碳化硅 薄膜比硅具有更小的晶格常数，故在退火之后锗化硅会膨胀并产生张应力，进而提高电子 的迁移率。所述第一蚀刻气体是氯化氢，所述第一蚀刻气体的流入到所述反应室内的流速较 低，以使通入第一反应气体时进行的选择型外延生长过程是以沉积反应为主，进而较快在 半导体衬底20上形成外延层21。较佳的，所述第一蚀刻气体的流速为50 200sCCm。与第一实施例不同，所述第一反应气体除了第一蚀刻气体之外，还包括第一硅源 气体、第一载气以及第一碳源气体。所述第一硅源气体、第一载气、第一碳源气体以及第一 蚀刻气体被同时通入到处理室内，以形成碳化硅薄膜。所述第一硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第一硅源气体的流速为5 500sCCm。 所述第一载气是氢气或氮气，所述第一载气的流速为5 50slm。所述第一碳源气体是甲基 碳烷，所述第一碳源气体的流速为5 500sCCm。接下来，如图2C所示，向所述处理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层21， 所述第二反应气体包括第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流 速大，以形成表面平整无缺陷的外延层21'。所述第二蚀刻气体的流速为200 350ccm。较佳的，所述第二蚀刻气体与所述第一蚀刻气体是同一气体，例如氯化氢所述第 二蚀刻气体的流入到所述反应室内的流速较高，以使通入第二反应气体时进行的选择型外 延生长过程是以蚀刻反应为主，从而蚀刻外延层21上形成厚度表面平整的外延层21'，避 免出现腐蚀坑缺陷，提高了产品的良率。进一步的，所述第二反应气体可采用与第一反应气体相同的成分，即所述第二反 应气体还包括第二硅源气体、第二载气以及第二碳源气体。所述第二硅源气体、第二载气、 第二碳源气体以及第二蚀刻气体被同时通入到处理室内，以形成碳化硅薄膜。其中，所述第二硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第二硅源气体的流速介于5sCCm 至500sCCm之间。所述第二载气是氢气或氮气，所述第二载气的流速介于5slm至50slm之 间。所述第二碳源气体是甲基碳烷，所述第二碳源气体的流速介于5sCCm至500sCCm之间。综上所述，本发明提供一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法，该方法包括 将半导体衬底置于处理室内，并加热所述半导体衬底；向所述处理室内通入第一反应气体， 以在该半导体衬底上形成外延层，所述第一反应气体包括第一蚀刻气体；向所述处理室内 通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层，所述第二反应气体包括第二蚀刻气体，所述第二蚀 刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流速大。本发明可减少腐蚀坑缺陷，提高了产品的良 率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包 这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法，包括将半导体衬底置于处理室内，并加热所述半导体衬底；向所述处理室内通入第一反应气体，以在该半导体衬底上形成外延层，所述第一反应 气体包括第一蚀刻气体；向所述处理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层，所述第二反应气体包括第二 蚀刻气体，所述第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流速大。
2.如权利要求1所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述第 一蚀刻气体是氯化氢。
3.如权利要求1或2所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第一蚀刻气体的流速为50 200sccm。
4.如权利要求3所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述第 二蚀刻气体是氯化氢。
5.如权利要求4所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述第 二蚀刻气体的流速为200 350ccm。
6.如权利要求5所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述外 延层是锗化硅薄膜。
7.如权利要求6所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述第 一反应气体还包括第一硅源气体、第一载气以及第一锗源气体。
8.如权利要求7所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述第 一硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第一载气是氢气或氮气，所述第一锗源气体是锗烷。
9.如权利要求8所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述第 一硅源气体的流速为5 500sCCm，所述第一载气的流速为5 50slm，所述第一锗源气体 的流速为5 500sccm。
10.如权利要求6所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述第 二反应气体还包括第二硅源气体、第二载气以及第二锗源气体。
11.如权利要求10所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第二硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第二载气是氢气或氮气，所述第二锗源气体是锗烷。
12.如权利要求11所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第二硅源气体的流速为5 500sCCm，所述第二载气的流速为5 50slm，所述第二锗源气 体的流速为5 500sccm。
13.如权利要求5所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述外 延层是碳化硅薄膜。
14.如权利要求13所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第一反应气体还包括第一硅源气体、第一载气以及第一碳源气体。
15.如权利要求14所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第一硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第一载气是氢气或氮气，所述第一碳源气体是甲基 碳烧。
16.如权利要求15所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第一硅源气体的流速为5 500sCCm，所述第一载气的流速为5 50slm，所述第一碳源气体的流速为5 500sccm。
17.如权利要求13所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第二反应气体还包括第二硅源气体、第二载气以及第二碳源气体。
18.如权利要求17所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第二硅源气体是硅烷或二氯硅烷，所述第二载气是氢气或氮气，所述第二碳源气体是甲基 碳烧。
19.如权利要求18所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述 第二硅源气体的流速为5 500sCCm，所述第二载气的流速为5 50slm，所述第二碳源气 体的流速为5 500sccm。
20.如权利要求1所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述处 理室内的压力为1 200Torr。
21.如权利要求1所述的利用选择性外延工艺形成外延层的方法，其特征在于，所述半 导体衬底被加热至500 1000°C。
全文摘要
本发明揭示了一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法，该方法包括将半导体衬底置于处理室内，并加热所述半导体衬底；向所述处理室内通入第一反应气体，以在该半导体衬底上形成外延层，所述第一反应气体包括第一蚀刻气体；向所述处理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层，所述第二反应气体包括第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流速大。本发明可减少腐蚀坑缺陷，提高了产品的良率。
文档编号H01L21/3065GK102082084SQ20091019945
公开日2011年6月1日 申请日期2009年11月26日 优先权日2009年11月26日
发明者何有丰, 胡亚兰 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司