专利名称：一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺。
背景技术：
在非晶硅太阳能电池生产中，激光划刻是一步很重要的工艺步骤，而在现有激光 设备中，划刻宽度不一，使太阳能电池的结构不够稳定，严重影响电池的转换效率。
发明内容
本发明的目的是要提供一种结构简单合理，激光划刻工艺简单，效果好，太阳能电 池的结构稳定，电池的转换效率高的非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺。本发明的目的是这样实现的，该激光划刻工艺的具体步骤如下首先在钢化玻璃上溅镀一层TCO膜，通过激光划刻设备对TCO膜划刻一道沟槽，沟 槽划刻宽度为40-50微米，深度为TCO膜的厚度；然后在TCO膜表面沉积一层PIN膜，再采 用激光划刻设备对PIN膜划刻一道沟槽，沟槽划刻的宽度为50-80微米，深度为PIN膜的厚 度；再在PIN膜表面沉积Al导电膜，最后通过激光划刻设备对Al导电膜划刻一道沟槽，沟 槽划刻的宽度一般为50-60微米，深度为Al导电膜的厚度。本发明还具有结构简单合理，激光划刻工艺简单，效果好，太阳能电池的结构稳 定，电池的转换效率高等优点。
图1为本非晶硅太阳能电池的激光划刻排列结构示意图。图2为本发明图1中A部位结构放大示意图。图3为本发明局部放大侧视结构示意图。
具体实施例方式由附图所示该激光划刻工艺的具体步骤如下 首先在钢化玻璃1上溅镀一层TCO膜2，通过激光划刻设备对TCO膜2划刻一道沟 槽5，沟槽5划刻宽度为40-50微米，深度为TCO膜2的厚度；然后在TCO膜2表面沉积一 层PIN膜3，再采用激光划刻设备对PIN膜3划刻一道沟槽6，沟槽6划刻的宽度为50-80 微米，深度为PIN膜3的厚度；再在PIN膜3表面沉积Al导电膜4，最后通过激光划刻设备 对Al导电膜4划刻一道沟槽7，沟槽7划刻的宽度一般为50-60微米，深度为Al导电膜4 的厚度。沉积时沟槽6内镶嵌有Al导电膜4，沟槽5内镶嵌有PIN膜3。本发明通过上述工艺过程划刻完成以后，在三个沟槽5、6、7上形成电池结构，在 太阳光的照射下，该结构则开始发电，形成一个导电结构，使PIN层发的电被传送过去，由于激光划刻的好坏直接决定着电池性能的好坏，所以使用本发明所述的工艺过程，可使电 池的性能达到最优。 在附图1中，其上的划刻线的数量为横向排列80-100条。
权利要求
1.一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺，其特征在于该激光划刻工艺的具体步骤 如下首先在钢化玻璃(1)上溅镀一层TCO膜O)，通过激光划刻设备对TCO膜( 划刻一 道沟槽( ，沟槽( 划刻宽度为40-50微米，深度为TCO膜O)的厚度；然后在TCO膜2 表面沉积一层PIN膜(3)，再采用激光划刻设备对PIN膜C3)划刻一道沟槽(6)，沟槽(6) 划刻的宽度为50-80微米，深度为PIN膜(3)的厚度；再在PIN膜( 表面沉积Al导电膜 G)，最后通过激光划刻设备对Al导电膜(4)划刻一道沟槽(7)，沟槽(7)划刻的宽度一般 为50-60微米，深度为Al导电膜(4)的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺，其特征在于沉积 时沟槽(6)内镶嵌有Al导电膜，沟槽(5)内镶嵌有PIN膜(3)。
全文摘要
本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺。该激光划刻工艺的具体步骤是，首先在钢化玻璃上溅镀一层TCO膜，通过激光划刻设备对TCO膜划刻一道沟槽，沟槽划刻宽度为40-50微米，深度为TCO膜的厚度；然后在TCO膜表面沉积一层PIN膜，再采用激光划刻设备对PIN膜划刻一道沟槽，沟槽划刻的宽度为50-80微米，深度为PIN膜的厚度；再在PIN膜表面沉积Al导电膜，最后通过激光划刻设备对Al导电膜划刻一道沟槽，沟槽划刻的宽度一般为50-60微米，深度为Al导电膜的厚度。本发明还具有结构简单合理，激光划刻工艺简单，效果好，太阳能电池的结构稳定，电池的转换效率高等优点。
文档编号H01L31/20GK102104022SQ200910218149
公开日2011年6月22日 申请日期2009年12月17日 优先权日2009年12月17日
发明者刘万学, 张兵, 强艳建, 杨继泽, 王巍, 王德宏, 赵松雪, 钟福建 申请人:吉林庆达新能源电力股份有限公司