专利名称：一种具有倾斜表面漂移区的横向功率晶体管的制作方法
技术领域：
本发明属于半导体功率器件技术领域，它特别涉及大功率和高压应用的体硅横 向功率器件，如横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向高压二极管、横向绝缘栅双极型晶体管 LIGBT等。
背景技术：
横向高压功率MOS指的是具有横向沟道结构的高压功率MOS。由于这类器件的漏 极、源极和栅极都在芯片表面，易于通过内部连接与低压信号电路集成，故在高压集成电路 (HVIC)和功率集成电路(PIC)中作为高压功率器件特别合适。 在横向功率器件的设计中，必须综合考虑击穿电压、导通电阻、晶体管尺寸、制造 成本和可靠性等因素的折中。通常而言，某方面性能的改善往往会导致其它性能的退化。特
别是击穿电压的提高通常是以导通电阻的增加为代价的。 横向功率器件的基本结构是RESURF(Reduced Surface Field)结构。图 1给出了一个典型常规横向扩散场效应晶体管(Lateral Double Diffusion Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,简称LDMOS)的示意图。它包括半导体 衬底层100，外延层120，场氧层112a，栅氧化层112b，和栅金属114组成。其中所述的半 导体衬底是具有第一类导电类型的半导体区域100。半导体外延层位于衬底之上，且与衬 底相接，外延层120至少包含两个具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域104和 108，具有第一类导电类型的半导体区域106，具有重掺杂浓度的第一类导电类型的半导体 区域102，其中，半导体区域106和半导体区域108 二者之间通过一个具有低掺杂浓度的第 二类导电类型的半导体区域110隔开，这里，半导体区域104构成LDM0S的源区，半导体区 域108构成L匿OS的漏区，半导体区域106构成L匿OS的沟道区，半导体区域110用做漂移 区，半导体区域102用做LDMOS的体接触。大量研究表明当漂移区的浓度和厚度的乘积约 为1012cm—2，器件具有最高的击穿电压。此时漂移区两端表面处的电场虽然达到最高值，但 中部电场仍较低，从而限制了器件的耐压能力。 为了改善RESURF结构的击穿特性，R. STENGL等人在《Variation of LateralDoping as a Field Terminator for High-Voltage Power Devices》 (IEEETRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,VOL. ED_33，NO. 3，MARCH 1986) —文中，提出了 一种横向变掺杂的高压器件结构，如图2所示。它包括半导体衬底层IOO，外延层120，场氧 层112a，栅氧化层112b，和栅金属114组成。其中所述的半导体衬底是具有第一类导电类型 的半导体区域100。半导体外延层位于衬底之上，且与衬底相接，外延层120至少包含两个 具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域104和108，具有第一类导电类型的半导 体区域106，具有重掺杂浓度的第一类导电类型的半导体区域102，其中，半导体区域106和 半导体区域108 二者之间通过一个具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110隔 开，这里，半导体区域104构成LDM0S的源区，半导体区域108构成LDM0S的漏区，半导体区 域106构成L匿OS的沟道区，半导体区域110用做漂移区，半导体区域102用做L匿OS的体接触。所述的低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110的掺杂浓度从沟道区106 — 侧向漏区108 —侧增加。通过优化横向掺杂分布，这种新的结构可以获得均匀的表面电场， 从而提高了器件的击穿电压，但也需要注意到，横向变掺杂增加了工艺的复杂性，从而增加 了成本。
发明内容
技术问题本项发明的目的是提供一种新的具有倾斜表面漂移区的横向功率器件
结构，采用该结构，一方面可以大幅度提高漂移区浓度，大大降低导通电阻，增大工作电流，
另一方面，可以获得近似为常数的漂移区表面电场分布，从而提高关态和开态击穿电压、增
大安全工作区。此外，该结构制作工艺比线性横向掺杂简单，无需高温过程，在某些情况下，
甚至可以采用完全CMOS工艺而无需增加掩模板和附加工艺步骤，从而降低制造成本。
技术方案本发明提供了一种具有倾斜表面漂移区的横向功率器件结构。它包括
半导体衬底层，在衬底上方的外延层，和外延层上方的场氧化层，所述的外延层包含一个具
有第一类导电类型的半导体区域，一个具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域，
二者之间通过一个具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域隔开，半导体区域构成
了功率器件的漂移区，其厚度沿着从第一类导电类型的半导体区域到具有高掺杂浓度第二
类导电类型的半导体区域的方向由薄到厚逐渐增加，从而形成倾斜表面。 作为漂移区的具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域，其厚度的增加方
式是线性的、平方根的或其它递增函数形式，其最厚和最薄处的漂移区高度比大于1. 5。 作为漂移区的具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域，其浓度分布是均
匀分布、横向非均匀分布、纵向非均匀分布或纵向和横向均为非均匀分布。 场氧化层是均匀厚度的，或是沿第一类导电类型的半导体区域到高掺杂浓度的第
二类导电类型的半导体区域的方向逐渐变薄的。
半导体外延层是硅、碳化硅、砷化镓或锗硅。 所述的倾斜表面漂移区体硅功率器件的具体形式是横向扩散场效应晶体管 LDM0S、横向PN二极管、横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT、或横向晶闸管。
有益效果本发明所述的倾斜表面漂移区可以采用两种方式制造。第一，采用常规 半导体工艺中的光刻、各向异性腐蚀、氧化、淀积等工艺实现。这种方法得到的场氧化厚度 均匀，但要增加掩模版和工艺步骤。第二，采用类似美国专利6221737的所述的方法，通过 改变场氧的光刻掩模图形，在靠近漏端(阴极)的地方采用窄槽掩模，在靠近源端(阳极) 的区域采用宽槽掩模，从而一次氧化即可获得变厚度的漂移区。这种方法有望完全和常规 工艺兼容，无需增加新的掩模版和工艺步骤，但所得到的场氧化厚度从漏到源逐渐减小。
图1是常规RESURF LDM0S结构示意图。 图2是横向变掺杂漂移区LDM0S结构示意图。具有低掺杂浓度的第二类导电类型 的半导体区域110的掺杂浓度沿着从具有第一类导电类型的半导体区域106到具有高掺杂 浓度的第二类导电类型的半导体区域108的方向增加。这里，半导体区域110构成L匿0S 的漂移区，半导体区域106构成L匿0S的沟道区，半导体区域108构成L匿0S的漏区。
图3是本发明的具有倾斜表面漂移区的LDMOS结构的一种形式。具有低掺杂浓度 的第二类导电类型的半导体区域110的厚度沿着从具有第一类导电类型的半导体区域106 到具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108的方向线性增加。而场氧层112厚 度保持不变。这里，半导体区域110构成L匿OS的漂移区，半导体区域106构成L匿OS的沟 道区，半导体区域108构成LDMOS的漏区。 图4是本发明的具有倾斜表面漂移区LDMOS结构的一种形式。具有低掺杂浓度的 第二类导电类型的半导体区域110的厚度沿着从具有第一类导电类型的半导体区域106到 具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108的方向以平方根函数增加。而场氧层 112厚度保持不变。这里，半导体区域110构成LDMOS的漂移区，半导体区域106构成LDMOS 的沟道区，半导体区域108构成L匿OS的漏区。 图5是本发明的具有倾斜表面漂移区L匿OS结构的一种形式。具有低掺杂浓度 的第二类导电类型的半导体区域110的厚度沿着从具有第一类导电类型的半导体区域106 到具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108的方向线性增加。而场氧层112厚 度沿着从具有第一类导电类型的半导体区域106到具有高掺杂浓度的第二类导电类型的 半导体区域108的方向逐渐减小。这里，半导体区域110构成LDMOS的漂移区，半导体区域 106构成LDMOS的沟道区，半导体区域108构成LDMOS的漏区。 图6是本发明的具有倾斜表面漂移区LDMOS结构的一种形式。具有低掺杂浓度的 第二类导电类型的半导体区域110的厚度沿着从具有第一类导电类型的半导体区域106到 具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108的方向以平方根函数增加。而场氧层 112厚度沿着从具有第一类导电类型的半导体区域106到具有高掺杂浓度的第二类导电类 型的半导体区域108的方向逐渐减小。这里，半导体区域110构成LDMOS的漂移区，半导体 区域106构成LDMOS的沟道区，半导体区域108构成LDMOS的漏区。 图7是相同结构参数的常规RESURF LDMOS、变掺杂漂移区LDMOS和倾斜表面漂移 区LDMOS的等势线分布示意图。其中，图7a对应于常规RESURF LDMOS，图7b对应于变掺杂 漂移区LDMOS，而图7c对应于本发明的倾斜表面漂移区LDMOS。 图8是相同结构参数常规RESURF LDMOS、变掺杂漂移区LDMOS和倾斜表面漂移区
LDMOS的IV特性示意图。其中，图8a对应于常规RESURF LDMOS，图8b对应于变掺杂漂移
区LDMOS，图8c对应于本发明的倾斜表面漂移区LDMOS。 图9是本发明的具有倾斜表面漂移区PN二极管结构示意图。 图10是本发明的具有倾斜表面漂移区LIGBT结构示意图。 在上述示意图中，相同导电类型的半导体区域用倾斜方向相同的斜线表示。同时 应当指出的是上述示意图并未按照真实比例进行绘制。
具体实施例方式
(1)所述的具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110的厚度的增加方 式，可以是线性形式(如图3所示)或平方根形式(如图4所示)，也可以其它逐渐递增的 形式。其特征是最高厚度和最低厚度的比值大于或等于1.5。 (2)所述的具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110的浓度即可以是 均匀的，也可以是非均匀的。如在横向可以是线性分布、阶梯分布、平方根分布等形式，在纵向可以是高斯分布或线性分布，或在纵向和横向均为非均匀分布。 (3)所述的场氧层112的厚度即可以是均匀的(如图3和图4所示)，也可以沿从
半导体区域106到半导体区域108的方向逐渐增加的(如图5和图6所示)。 (4)所述的半导体外延层120的材料是硅、碳化硅、砷化镓或锗硅。
(5)所述的倾斜表面漂移区结构可以和其它结终端结构相结合，以进一步改善器
件性能。如场板、降场层等。 (6)所述的倾斜表面漂移区结构可以用于LDM0S(如图3)、横向PN二极管(如图9) 、 LIGBT(如图10)、横向晶闸管等功率器件，以同时改善器件的击穿特性和导通特性。
本发明的工作原理 下面以L匿OS为例，对的工作机理进行详细说明。 图7比较具有RESURF结构、变掺杂漂移区结构和倾斜表面漂移区结构的LDMOS的等势线分布。三种结构具有相同的几何尺寸，而漂移区浓度分布则进行了优化。由图7a可知对于常规RESURF结构，在漂移区两端的表面等势线密集，从而导致这两个地方出现电场峰值，降低击穿电压。而对于图7b中的平方根变掺杂漂移区和图7c中的倾斜表面漂移区而言，外延层的等势线分布更加趋于均匀，表面电场近似为常数，从而使击穿电压大幅度提高。这是因为这两种结构都具有最佳的漂移区横向电荷密度分布。 图8对应于以上三种结构的IV特性曲线，其中图8a对应于常规RESURF LDMOS，图8b对应于变掺杂漂移区LDM0S，图8c对应于本发明的倾斜表面漂移区LDM0S。由图8c和图8a比较可知，和常规RESURF结构相比，本发明所述的倾斜表面漂移区能够保持饱和电流不变(甚至略有提高)，而使饱和电压降低一半，同时开态击穿电压也大幅度提高。这是由于倾斜表面结构的最优漂移区杂质浓度为RESURF结构的两倍，从而导通电阻降低近一半。而由图8c和图8b可见，和线性掺杂漂移区结构相比，本发明所述的倾斜表面漂移区结构的IV特性有了大幅度改善。不但饱和电流提高50%以上，而且饱和电压也降低4倍。这是因为本发明所述的倾斜表面漂移区结构，优化后漂移区浓度可以和线性掺杂漂移区的最优杂质分布的峰值浓度相当，从而消除了后者在沟道区附近的低掺杂区，大幅度降低了漂移区电阻。 根据本发明提供的倾斜表面漂移区结构，可以制作出性能优良的各类横向功率器件，举例如下 1)具有倾斜表面漂移区的横向扩散场效应晶体管，简称LDMOS，如图3_6。它包括半导体衬底层100、在衬底上方的半导体外延层120，以及外延层上方的场氧层112。所述的外延层120包含一个具有第一类导电类型的半导体区域106作为沟道区，两个具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域104和108，分别作为源区和漏区。沟道区和源区相接，沟道区和漏区之间通过一个具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110隔开。这里，具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域IIO构成LDMOS的漂移区，其浓度分布即可以是均匀分布，也可以是横向变掺杂或纵向变掺杂，或者横向和纵向均为变掺杂。具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110的厚度沿从具有第一类导电类型的半导体区域106到具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108的方向由薄向厚逐渐增加，其增加方式可以是线性的，也可以平方根的，还可以是其它递增形式。场氧层112即可以是均匀厚度的，也可以是沿从沟道区到漏区方向逐渐变薄的。
2)具有倾斜表面漂移区的PN二极管，如图9所示。它包括半导体衬底层100、在衬底上方的半导体外延层120，以及外延层上方的场氧层112。所述的外延层120包含一个具有第一类导电类型的半导体区域106作为阳极区，一个具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108作为阴极区，阳极区和阴极区之间通过一个具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110隔开。具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110构成PN二极管的漂移区，其浓度分布即可以是均匀分布，也可以是横向变掺杂或纵向变掺杂，或者横向和纵向均为变掺杂。具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110的厚度沿从具有第一类导电类型的半导体区域106到具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108的方向由薄向厚逐渐增加，其增加方式可以是线性的，也可以平方根的，还可以是其它递增形式。场氧层112即可以是均匀厚度的，也可以是沿从阳极区106到阴极区108方向逐渐变薄的。 3)具有倾斜表面漂移区的绝缘栅双极型功率晶体管，简称LIGBT，如图10所示。它包括半导体衬底层100、在衬底上方的半导体外延层120，以及外延层上方的场氧层112。所述的外延层120包含三个具有第一类导电类型的半导体区域106、 122和102，和三个具有第二类导电类型的半导体区域104、第二类导电类型的半导体区域108和第二类导电类型的半导体区域110。其中具有第一类导电类型的半导体区域106作为沟道区， 一侧和具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域104相连，另一侧和具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110相连，其中104构成器件的阴极区，110构成器件的漂移区。漂移区夹在具有第一类导电类型的半导体区域106和具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108之间。半导体区域108的另外一侧和具有第一类导电类型的半导体区域122相连，半导体区域122构成器件的阳极区，半导体区域102用做体接触。所述的构成器件漂移区的具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110，其浓度分布即可以是均匀分布，也可以是横向变掺杂或纵向变掺杂，或者横向和纵向均为变掺杂。具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域110的厚度沿从具有第一类导电类型的半导体区域106到具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域108的方向由薄向厚逐渐增加，其增加方式可以是线性的，也可以平方根的，还可以是其它递增形式。场氧层112即可以是均匀厚度的，也可以是沿从阳极区到阴极区方向逐渐变薄的。 需要说明的是，本发明提出的倾斜表面漂移区结构除了可以应用于上述所列几类横向功率器件外，还可用横向晶闸管、静电诱导晶体管(SIT)等其它未列出的横向功率器件。
权利要求
一种具有倾斜表面漂移区横向功率器件，其特征是它包括半导体衬底层(100)，在衬底上方的外延层(120)，和外延层上方的场氧化层(112)，所述的外延层(120)包含一个具有第一类导电类型的半导体区域(106)，一个具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域(108)，二者之间通过一个具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域(110)隔开，半导体区域(110)构成了功率器件的漂移区，其厚度沿着从第一类导电类型的半导体区域(106)到具有高掺杂浓度第二类导电类型的半导体区域(108)的方向由薄到厚逐渐增加，从而形成倾斜表面。
2. 根据权利要求1所述的倾斜表面漂移区横向功率器件，其特征是作为漂移区的具 有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域(110)，其厚度的增加方式是线性的、平方根 的或其它递增函数形式，其最厚和最薄处的漂移区高度比大于1. 5。
3. 根据权利要求1或2所述的倾斜表面漂移区横向功率器件，其特征是作为漂移区 的具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域(110)，其浓度分布是均匀分布、横向非 均匀分布、纵向非均匀分布或纵向和横向均为非均匀分布。
4. 根据权利要求l所述的倾斜表面漂移区横向功率器件，其特征是场氧化层(112) 是均匀厚度的，或是沿第一类导电类型的半导体区域(106)到高掺杂浓度的第二类导电类 型的半导体区域(108)的方向逐渐变薄的。
5. 根据权利要求1、或2、或3所述的倾斜表面漂移区横向功率器件，其特征是半导体 外延层(120)是硅、碳化硅、砷化镓或锗硅。
6. 根据权利要求1所述的倾斜表面漂移区横向功率器件，其特征是所述的倾斜表面 漂移区体硅功率器件的具体形式是横向扩散场效应晶体管L匿OS、横向PN二极管、横向绝 缘栅双极型晶体管LIGBT、或横向晶闸管。
全文摘要
本发明提供了一种具有倾斜表面漂移区的横向功率晶体管，该器件至少包含依次相连的三个半导体掺杂区。其中位于一端的掺杂区为第一类导电类型，构成器件的沟道区(或阳极区)，另一端的掺杂区为第二类导电类型，构成器件的漏区(或阴极区)，夹在中间的半导体区为第二类导电类型，构成器件的漂移区。漂移区的下部与衬底层相接，上部与场氧层相接。漂移区的厚度沿从沟道区(阳极)到漏区(阴极)的方向以线性或平方根形式逐渐增加，从而形成倾斜的漂移区表面。采用该结构制造横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，具有导通电阻小、击穿电压高、工艺简单、成本低廉等优点。
文档编号H01L29/739GK101707205SQ20091023249
公开日2010年5月12日 申请日期2009年11月27日 优先权日2009年11月27日
发明者郭宇锋, 黄峻 申请人:南京邮电大学