专利名称：一种干式励磁整流变压器接地屏蔽装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于变压器技术领域，特别是涉及一种干式励磁整流变压器接地屏蔽
装置。
背景技术：
目前，励磁变压器主空道内除一、二次绕组局部磁势不平衡产生的横向漏磁通外， 大部分漏磁通是平行变压器于轴向方向的，只有在线圈上下两端发生弯曲(外侧线圈由空 气闭合，内侧线圈通过铁心闭合)，磁力线将不同角度的横穿过屏蔽的上下部分，容易在该 部分产生涡流。为了减小干式励磁整流变压器高、低压之间高次谐波的影响，在高、低压绕 组之间加绕静电屏蔽层。但在加装屏蔽层后，运行时漏磁场在屏蔽层中产生的涡流将增加 变压器的负载损耗。
发明内容本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种干式励磁整流变压器 接地屏蔽装置。 本实用新型的目的是提供一种具有结构简单、使用方便、加工容易、成本低廉、减 少电损等特点的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置。 励磁变压器主空道内的磁力线大部分是平行变压器于轴向方向的，只有在线圈上 下两端发生弯曲(外侧线圈由空气闭合，内侧线圈通过铁心闭合)，磁力线将不同角度的横 穿过屏蔽的上下部分，容易在该部分产生涡流。为解决这一问题，将屏蔽的上、下端面开设 断流槽，由屏蔽铜箔剪下的30mm铜带引出，然后将屏蔽层绕制在低压绕组的外侧(低压整 体浇注)或绝缘筒上。 本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是 —种干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特点是接地屏蔽装置装配于变压器
高压和低压绕组间，屏蔽层为铜箔绕制而成，铜箔端部设有断流间隙，铜箔设有接地引线。 本实用新型还可以采用如下技术方案 所述的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特点是接地引线为铜箔边切制构 成。 所述的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特点是接地引线为铜箔边切制无 焊接折成结构。 所述的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特点是铜箔上下端部均设有断流 间隙，断流间隙之间的间隔为100-300mm。 所述的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特点是断流间隙深度为 100-500mm。 本实用新型具有的优点和积极效果是 干式励磁整流变压器接地屏蔽装置由于采用了本实用新型全新的技术方案，与现
3有技术相比，断流间隙截断了漏磁通在屏蔽层上的涡流，减小了变压器负载时的附加损耗， 提高产品的效率，节约电能。本实用新型具有结构简单、使用方便、加工容易、成本低廉、减 少电损、适用范围广和经济效益好等优点。
图1是本实用新型的装配结构示意图； 图2是图1中接地屏蔽铜箔展开结构示意图。 图中，l.低压线圈，2.接地屏蔽，3.绝缘筒，4.高压线圈，5.断流间隙，6.引线。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的技术内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合
附图详细说明如下 参阅附图1和图2。 实施例1 —种干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，装配于变压器高压线圈4和低压线圈1 绕组间，位于绝缘筒3内侧。接地屏蔽2为0.5mm铜箔绕制而成，呈圆筒状结构。铜箔端部 每隔150mm剪开一个断流间隙5，铜箔设有接地引线，引线6由屏蔽层本身剪下的30mm铜 带引出，取消屏蔽层上的引线焊接，所有棱角倒钝。接地引线2为铜箔边切制无焊接折成结 构。铜箔上下端部均设有断流间隙，断流间隙之间的间隔为150mm，断流间隙深度为230mm。 采用该结构的屏蔽层，可有效地降低产品负载损耗，提高运行效率。
权利要求一种干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特征是接地屏蔽装置装配于变压器高压和低压绕组间，屏蔽层为铜箔绕制而成，铜箔端部设有断流间隙，铜箔设有接地引线。
2. 按照权利要求1所述的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特征是接地引线为 铜箔边切制构成。
3. 按照权利要求2所述的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特征是接地引线为 铜箔边切制无焊接折成结构。
4. 按照权利要求1、2或3所述的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特征是铜箔上下端部均设有断流间隙，断流间隙之间的间隔为100-300mm。
5. 按照权利要求1、2或3所述的干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特征是断流 间隙深度为100-500mm。
专利摘要本实用新型涉及一种干式励磁整流变压器接地屏蔽装置。本实用新型属于变压器技术领域。一种干式励磁整流变压器接地屏蔽装置，其特点是接地屏蔽装置装配于变压器高压和低压绕组间，屏蔽层为铜箔绕制而成，铜箔端部设有断流间隙，铜箔设有接地引线。本实用新型具有结构简单、使用方便、加工容易、成本低廉、减少电损、适用范围广和经济效益好等优点。
文档编号H01F27/36GK201522927SQ20092022186
公开日2010年7月7日 申请日期2009年11月3日 优先权日2009年11月3日
发明者孙根会, 王春光, 郭庆秋, 陈杰 申请人:天津市特变电工变压器有限公司