专利名称：降低射频ldmos器件中源端接触柱电阻的方法
技术领域：
本发明涉及一种降低RF LDMOS器件中源端接触电阻的方法。
背景技术：
LDMOS结构是目前RF射频工艺中的常用器件之一。基于LDMOS结构可以形成低成本、高性能和高集成度的射频(RF)LDMOS器件，被应用于高频通信领域以及其他对于速度要求很高的应用领域。在RF LDMOS器件的源端，从硅片表面到衬底的接触柱要求低电阻， 散热性好。现有的RF LDMOS工艺中，为了降低射频类器件的导通电阻，加强载流子从晶片表面到衬底的导通，在形成高掺杂的源端到衬底的接触柱时，通过高能量大剂量注入使得注入区域表面粗糙，然后高温外延成长时在相应的区域形成高掺杂的多晶连接柱，从而降低了导通电阻。因注入区域是单晶，且高温处理过程中所注入离子的横向扩散较为厉害，造成器件面积较大，工艺成本较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是一种降低射频LDMOS器件中源端接触电阻的方法，其能更好地降低源端的接触电阻。为解决上述技术问题，本发明的降低射频LDMOS器件中源端接触电阻的方法，包括如下步骤1)先在衬底上淀积二氧化硅层；2)用光刻工艺定义出注入区的位置，而后进行离子注入在衬底上形成注入区；3)去除所述二氧化硅层；4)而后进行硅外延生长，在所述衬底上形成外延层，其中所述注入区上方为掺杂多晶硅，而其他区域为硅单晶；5)进行快速热处理，使所述注入区的离子在注入区上方的多晶硅中均勻分布，形成源端接触柱。通过本发明的方法形成高掺杂的源端接触柱，即减少器件的面积又减少了工艺成本，同时使得从硅片表面到衬底的接触电阻更加降低了，散热性更好。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1为本发明的方法流程示意图；图2至图7为与本发明的方法流程相应的结构示意图。
具体实施例方式本发明的降低射频LDMOS器件源端接触柱电阻的方法，包括如下步骤(见图1)1)先在衬底上淀积二氧化硅层(见图2)；
2)用光刻工艺定义出注入区的位置，而后进行离子注入在衬底上形成注入区(见图3)。离子注入中注入的离子类型与原有要求相同，为与源区离子类型相同。所注入的剂量可为大于1 X IO15个原子/平方厘米，注入能量可为大于50千伏电子伏；3)去除二氧化硅层(见图4)；4)而后进行硅外延生长，在衬底上形成外延层，其中注入区上方形成的为掺杂多晶硅，而其他区域为外延硅单晶(见图5)，其中外延层的厚度可为1 10 μ m ；5)而后进行快速热处理，使注入区的离子在注入区上方的多晶硅中均勻分布(见图6)，形成源端接触柱(见图6)。快速热处理的温度可设为大于950摄氏度。之后，在金属化工艺中，通过金属连接源端和源端接触柱(见图7)，形成器件通态时一部分低电阻通路。通过本发明的方法形成高掺杂的多晶硅连接柱(即源端接触柱)，即减少器件的面积又减少了工艺成本，同时使得从硅片表面到衬底的接触电阻更加降低了，散热性更好。
权利要求
1.一种降低射频LDMOS器件中源端接触柱电阻的方法，其特征在于，包括如下步骤1)先在衬底上淀积二氧化硅层；2)用光刻工艺定义出注入区的位置，而后进行离子注入在衬底上形成注入区，所述注入区的离子类型与源区的离子类型相反；3)去除所述二氧化硅层；4)而后进行硅外延生长，在所述衬底上形成外延层，其中所述注入区上方为掺杂多晶硅，而其他区域为硅单晶；5)进行快速热处理，使所述注入区的离子在注入区上方的多晶硅中均勻分布，形成源端接触柱。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤2)中离子注入的剂量大于 1 X IO15个原子/平方厘米，注入能量大于50千伏电子伏。
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤4)中外延层的厚度为1 10 μ m。
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤5)中的热处理的温度大于950 摄氏度。
全文摘要
本发明公开了一种降低射频LDMOS器件中源端接触柱电阻的方法，包括如下步骤1)先在衬底上淀积二氧化硅层；2)用光刻工艺定义出注入区的位置，而后进行离子注入在衬底上形成注入区，所述注入区的离子类型与源区的离子类型相反；3)去除二氧化硅层；4)而后进行硅外延生长，在所述衬底上形成外延层，其中所述注入区上方为掺杂多晶硅，而其他区域为硅单晶；5)进行快速热处理，使注入区的离子在注入区上方的多晶硅中均匀分布，形成源端接触柱。采用本发明的方法形成源端接触柱，既减少器件的面积又减少了工艺成本，同时使得从硅片表面到衬底的接触电阻更加降低了，散热性更好。
文档编号H01L21/768GK102412185SQ20101029147
公开日2012年4月11日 申请日期2010年9月26日 优先权日2010年9月26日
发明者张帅, 王海军 申请人:上海华虹Nec电子有限公司