专利名称：一种玻封双向触发二极管芯片的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种玻封双向触发二极管芯片的制造方法，属于半导体器件加工技术 领域。
背景技术：
发明名称为“一种双向触发二极管芯片的制作方法”的发明专利，公开了一种双向 触发二极管芯片的制备方法，涉及一种半导体器件的制造技术领域，本发明中包括如下工 艺步骤硅片清洗、一次扩散、二次清洗、二次扩散、一次光刻、二次光刻、两面镀膜、三次光 刻、四次光刻，最后划成独立的芯片。本发明产品的击穿电压可以根据用户的要求进行调 节，调整范围大；产品可采用多种封装形式，以满足不同用户和不同线路的要求；采用第四 次光刻工艺，提高了产品的可靠性；可用于4英寸硅片生产，提高了生产效率，产品的成品 率高。原有的双向触发二极管芯片普遍采用三层DIAC工艺设计，扩散时间较长，结构 采用双面玻璃钝化台面，要求设备加工水平比较高。因此也影响产品的成品率和转折电压
一致性。
发明内容
本发明需要解决的技术问题就在于克服现有技术的缺陷，提供一种玻封双向触发 二极管芯片的制造方法，它采用双向晶体管对称基区互联方法，形成垂直对称双晶体管结 构，利用成熟的晶体管基区控制技术，达到调整击穿电压和实现雪崩负阻特性，生产的双向 触发二极管芯片具有负阻摆幅大、反向漏电小、重复性和稳定性好的特点，一般能达到击穿 电压的40%。为解决上述问题，本发明采用如下技术方案
本发明提供了一种玻封双向触发二极管芯片的制造方法，所述方法步骤为采用双向 晶体管对称基区互联方法，将N型硅单晶片进行大面积P+扩散后，再进行双面光刻发射区 窗口、发射区扩散、调整雪崩击穿电压和负阻，双面光刻引线孔、金属化、凸点电镀、划片，最 后形成双向触发二极管。将N型硅单晶片放在高温扩散炉内进行双面P+扩散，形成基区；然后硅片氧化，光 刻发射区；接下来进行发射区扩散；
硼扩散温度为1050-1250°C，扩散时间为30-200分； 磷扩散温度为1150-1270°C，扩散时间为30-240分。本发明与已有技术相比具有以下优点
1、本发明所生产的双向触发二极管芯片具有对称性好的特点，^ V^O. 5V。2、本发明所生产的双向触发二极管芯片具有负阻摆幅大的的特点，一般能达到击 穿电压的40%。3、本发明所生产的双向触发二极管芯片具有反向漏电小的特点，一般反向漏电比原方法小一到两个数量级。4、本发明所生产的双向触发二极管芯片由于采用的成熟的晶体管生产工艺，工艺 具有稳定性高、重复性好特点，从而决定了本发明所生产的双向触发二极管芯片具有重复 性、稳定性好的特性。5、本发明所生产的双向触发二极管芯片转折电压具有很宽的可调性，可以通过工 艺参数改变设定任意数值的转折电压。6、本发明所生产的双向触发二极管芯片对材料的要求不高，理论上任何电阻率的 单晶片通过此方法都能生产合格的双向触发二极管芯片。
具体实施例方式在本实施例中，双向触发二极管芯片基体材料选用N型硅外延圆片，电阻率P = 1. 2Ω. cm <111>。首先将硅单晶片放在高温扩散炉内进行大面积硼扩散，扩散结深为5Mffl ；然后发 射区进行磷扩散，磷分布温度为1200°C，时间为40min ；调整击穿电压和负阻特性。将上述调整好的硅片进行发射区光刻、金属化、凸点电镀、划片后完成全部制程。按照此方法生产的芯片，击穿电压VB=39_40V，负阻摆幅>15V，采用本实施例中 的工艺加工制造成的双向触发二极管芯片具有良好的对称特性，」F<0.5V，且均勻性好， 是一种质量稳定的硅双向触发二极管芯片。本发明对材料的要求不高，理论上任何电阻率的单晶片都能生产合格的双向触发 二极管芯片。在本发明中采用的原材料均为市场所购，使用的设备均为常规设备。最后应说明的是显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并 非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做 出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引 申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
权利要求
1.一种玻封双向触发二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述方法步骤为采用双 向晶体管对称基区互联方法，将N型硅单晶片进行大面积P+扩散后，再进行双面光刻发射 区窗口、发射区扩散、调整雪崩击穿电压和负阻，双面光刻引线孔、金属化、凸点电镀、划片， 最后形成双向触发二极管。
2.如权利要求1所述的玻封双向触发二极管芯片的制造方法，其特征在于，具体步骤 为将N型硅单晶片放在高温扩散炉内进行双面P+扩散，形成基区；然后硅片氧化，光刻发 射区；接下来进行发射区扩散；硼扩散温度为1050-1250°C，扩散时间为30-200分； 磷扩散温度为1150-1270°C，扩散时间为30-240分。
全文摘要
本发明公开了一种玻封双向触发二极管芯片的制造方法，采用双向晶体管对称基区互联方法，将N型硅单晶片进行大面积P+扩散后，再进行双面光刻发射区窗口、发射区扩散，再调整雪崩击穿电压和负阻，进行双面光刻引线孔、金属化、凸点电镀、划片，最后形成双向触发二极管。本发明采用双向晶体管对称基区互联方法，形成垂直对称双晶体管结构，利用成熟的晶体管基区控制技术，达到调整击穿电压和实现雪崩负阻特性，生产的双向触发二极管芯片具有负阻摆幅大、反向漏电小、重复性和稳定性好的特点，一般能达到击穿电压的40%。
文档编号H01L21/329GK102129985SQ20101061022
公开日2011年7月20日 申请日期2010年12月29日 优先权日2010年12月29日
发明者李志福 申请人:朝阳无线电元件有限责任公司