专利名称：一种硅双向触发二极管的制作方法
技术领域：
一种硅双向触发二极管技术领域[0001]本实用新型涉及一种半导体器件，尤其是一种硅双向触发二极管。
技术背景[0002]硅双向触发二极管属三层结构，具有对称性的二端半导体器件，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。硅双向触发二极管的正、反向伏安特性几乎完全对称。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(BO)时，器件呈高阻态。当U>V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V(BR)时，管子同样能进入负阻区。一般使用硅双向触发二极管前， 都需要对其进行测量，得出转折电压。实用新型内容[0003]本实用新型要解决的技术问题是基于上述问题，提供一种可以清楚显示出转折电压和工作参数的硅双向触发二极管。[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种硅双向触发二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体由N-P-N三层半导体材料制成，具有对称性的二端，对称性的二端对外引出两个电极，所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层。[0005]所述的涂层的原料为紫外光固化油墨，可经过氟利昂、酒精、异丙醇及类似溶剂清洗，涂层也不会剥落。[0006]本实用新型的有益效果是本实用新型结构简单，二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层，方便正确使用。
[0007]
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。[0008]图1是本实用新型的结构示意图。[0009]图2是图1的剖视结构示意图。[0010]图中1. 二极管本体，2.电极，3.环氧树脂管，4.涂层。
具体实施方式
[0011]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。[0012]如图1 2所示的一种硅双向触发二极管，包括二极管本体1，二极管本体1由 N-P-N三层半导体材料制成，具有对称性的二端，对称性的二端对外引出两个电极2，二极管本体1塑封在环氧树脂管3内，环氧树脂管3外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体1转折电压和工作参数的涂层4。[0013]涂层4的原料为紫外光固化油墨，可经过氟利昂、酒精、异丙醇及类似溶剂清洗， 涂层也不会剥落。[0014]硅双向触发二极管的检测一般用万用表来测量其正反向的电阻值，用万用表 RX Ik或RX IOk档，测量硅双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二极管已击穿损坏。[0015]以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种硅双向触发二极管，包括二极管本体(1)，其特征在于所述的二极管本体(1) 由N-P-N三层半导体材料制成，具有对称性的二端，对称性的二端对外引出两个电极0)， 所述的二极管本体(1)塑封在环氧树脂管(3)内，环氧树脂管C3)外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体(1)转折电压和工作参数的涂层G)。
2.根据权利要求1所述的一种硅双向触发二极管，其特征在于所述的涂层的原料为紫外光固化油墨。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体器件，尤其是一种硅双向触发二极管。一种硅双向触发二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体由N-P-N三层半导体材料制成，具有对称性的二端，对称性的二端对外引出两个电极，所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层。本实用新型结构简单，二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层，方便正确使用。
文档编号H01L23/28GK202259315SQ20112037698
公开日2012年5月30日 申请日期2011年9月30日 优先权日2011年9月30日
发明者孔明 申请人:常州福达电子有限公司