专利名称：内藏电容基板模块的制作方法
内藏电容基板模块技术领域
本发明关于一种内藏电容基板模块，特别是一种利用固态电解电容的结构以提升电容量的内藏电容基板模块。
背景技术：
随着集成电路antegrated Circuit, IC)工艺技术不断地提升，可携式电子产品发展讲求轻、薄、短、小、高速、低耗电率及多功能性，随着信号传输速度增加，IC承载基板必须要传输更高频的信号，同步切换所产生的相互干扰也日益严重。为了降低IC承载基板上电源传输系统(power deliverysystem)的噪声，目前高速IC载板皆是使用多颗表面黏着 (Surface MountedDevices, SMD)型式电容来滤除噪声。这种用途的电容一般称之为去耦合电容(decoupling capacitor)或是旁路电容(bypass capacitor)，主要功能是将额定的电能储存在电容器中，在电能不足时可以适时补给电能，以达到吸收突波(glitch)、降低射频(Radio Frequency, RF)噪声及稳定电源的效果。
然而为了提供更低、更宽带的阻抗路径，则必须于IC载板上摆置数十至数百颗的 SMD型式电容，藉由电容并联的方法来达到降低低频或高频阻抗的目的。未来IC信号速度不断提升，在IC载板有限的面积下，摆放于IC载板表面的SMD型式电容所能降低的寄生电感值势(equivalent series inductance, ESL)必遇至Ij瓶颈。
然而，相较于焊接在印刷电路板或IC载板表面的SMD型式电容，在印刷电路板或 IC载板中内藏电容的方式，使得电容更靠近IC组件的电源接脚，因此高频时基板内藏电容的电源传输路径所产生的寄生电感值较SMD电容低。相较于摆置在印刷电路板表面的去耦合电容组件，基板内藏去耦合电容组件摆置位置更靠近集成电路，基板内藏电容技术是目前能将IC载板电源传输路径所产生的寄生电感值降低的方法之一。
虽然基板内藏去耦合电容技术具有低寄生电感的优点，但是受限于绝缘材料漏电流的规范，目前有机绝缘材料的介电常数(dielectric constant)仍很难高于100以上，导致在有限的基板厚度和面积内，必须增加内藏平板电容的层数才能使其电容值高于0. IuF 以上，此举不但会降低工艺的合格率，还会增加基板制作的成本。此外，基板内藏电容技术能提供的电容值亦无法达到目前IC载板数百uF电容值的需求。因此如何增加基板内藏电容的电容值及增加有效的去耦合频宽，是目前基板内藏电容技术亟需突破的难题。发明内容
有鉴于目前基板内藏电容技术无法大幅提升电容量的问题，本发明公开一种使用固态电解电容的内藏电容基板模块，藉以解决现有技术的问题。
根据本发明的实施例的一种内藏电容基板模块，包括有一基板、一金属基板以及一固态电解电容材料，其中固态电解电容材料形成于该金属基板之上，以与该基板形成一固态电解电容；此外，该模块更包括有一电极引出区，由该基板以及该金属基板延伸形成， 其中该金属基板作为一第一电极，该基板作为一第二电极；绝缘材料形成于该基板与该金5属基板之间。根据本发明的实施例的一种内藏电容基板模块，包括有一上基板、一下基板、一金属基板与一层以上的固态电解电容材料，其中一层以上的固态电解电容材料，形成于该上基板与该金属基板及该下基板与该金属基板之间，以分别与该上基板与该下基板形成一固态电解电容，或者选择性地形成于该上基板与该金属基板之间或该下基板与该金属基板之间，以分别与该上基板或该下基板形成一固态电解电容；此外，该模块更包括有一电极引出区，由该上基板、该下基板、以及该金属基板延伸形成，其中该金属基板作为一第一电极，该上基板与该下基板的至少其中之一作为一第二电极；绝缘材料形成于该上基板与该金属基板之间以及形成于该下基板与该金属基板之间。根据本发明所公开的实施例的内藏电容基板模块，不但保留传统固态电容大电容值的优点，还可在内埋于印刷电路板之后再进行钻孔电镀与其它电路电性连接。根据本发明所公开的实施例，可在印刷电路板中可提供电路超过IOOuF以上的电容值。此外，本发明所公开的实施例可并联超薄有机介电材料平板电容，更可在印刷电路板中可提供电路数十nF至数百uF的电容值范围，具有可同时抑制低频带和高频带的电源噪声的功效。以上的关于本发明内容的说明及以下的实施方式的说明用以示范与解释本发明的精神与原理，并对本发明的专利保护范围做进一步的解释。
图1为本发明所公开的内藏电容基板模块的一实施例的结构示意图；图2A以及图2B为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图；图3A以及图;3B为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图；图4A以及图4B为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图；图5为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图；图6为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图。其中，附图标记100内藏电容基板模块
110电极引出区
120固态电解电容材料
121金属基板
122氧化铝层
123导电黏着层
124导电高分子层
125第一导电黏着层
127第二导电黏着层
130固态电解电容
140基板
142上基板
144下基板
146绝缘材料
148绝缘材料
152第一导孔 153绝缘材料
154第二导孔 155绝缘材料
156第三导孔 157绝缘材料
158第四导孔
159绝缘材料
162绝缘层
164绝缘层
162--1、162-2、162-3、164-1、164-2、164--3 绝_
166第一导孔
168第二导孔
172信号层
175电源层
176接地层
182集成电路
184锡球
186接垫
210平板电容
211第一金属层
212第二金属层
213绝缘层
220平板电容
221第一金属层
222第二金属层
223绝缘层
2325口口 ^
2345口口 ^具体实施方式
以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域的技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所公开的内容、权利要求保护范围及附图，任何本领域的技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。
特别说明的是，以下实施例的图中绘示的每一层厚度与尺寸以及各层之间的相对比例仅为示例，本领域的技术人员可知其并非实际的尺寸而可依实际需要进行调整。然而，本发明可以众多不同形式实施，而不应将其视为仅限于本文所提及的实施例。在本发明的各个附图中，为清晰起见，可放大及/或简化层及区的大小及相对大小。应了解，当称一组件或层“在”另一组件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一组件或层时，该组件或层可直接在另一组件或层上或可能存在中间组件或层。此外，即便以下提及多种实施例，但在各个附图中，相同组件利用相同的参考编号来表示。请参考图1，为本发明所公开的内藏电容基板模块的一实施例的结构示意图。如图所示，内藏电容基板模块100包括一固态电解电容材料120、一金属基板121以及一基板 140，固态电解电容材料120、金属基板121的一部份以及基板140的一部分形成一固态电解电容130。金属基板121的另一部份与基板140的另一部份延伸形成有一电极引出区110。 其余区域则以绝缘材料146填充。绝缘材料146可使用但并非限定树脂或者介电材料。固态电解电容材料120形成于金属基板121的一侧。固态电解电容材料120可以是但并非限定是氧化铝层122、导电高分子(PEDOT)层124。由图可知导电高分子层IM 形成于氧化铝层122之上，导电高分子层124的材料可以是但并非限定是聚二氧乙烯噻吩 (PEDOT)。金属基板121通常是但并非限定是铝基板。固态电解电容材料120的一侧与金属基板121接触，而固态电解电容材料120的另一侧与基板140之间透过导电黏着层123结合。在一实施例中，导电黏着层123可使用但并非限定碳胶或其均等物。基板140的材料可使用但并非限定铜箔或银。图1所示的实施例，在形成固态电解电容130的区域外再形成一电极引出区110， 在此一电极引出区110中，由基板140以及固态电解电容130的金属基板121延伸形成。在一大面积的金属基板(固态电解电容130的金属基板121)与基板140之间的一区域形成一固态电解电容，其余区域则在金属基板121与基板140间以绝缘材料146填充。固态电解电容130的金属基板121的水平方向的面积大于固态电解电容130本身的水平方向的面积。由于大面积的金属基板与基板的结构，亦即延伸形成的电极引出区110，因此可以直接在基板结构上进行钻孔或电镀，而不需要破坏电解电容的结构，使得内藏固态电解电容基板模块可与其它表层或内层电路电性连接。例如，透过第一导孔(via) 152连接金属基板121，第二导孔(via)巧4连接基板 140，使内藏固态电解电容基板模块与外部电路电性连接。此时，其中金属基板121作为一第一电极，基板140作为一第二电极。而第一电极与第二电极的正负极性互为相反。在此实施例中，第一导孔152与第二导孔154皆穿过整个模块，但因为第一导孔 152连接金属基板121，第二导孔巧4连接基板140，因此，第一导孔152必须要与基板140 绝缘，第二导孔巧4必须要与金属基板121绝缘。故如图所示，第一导孔152穿过基板140 之处的周围形成有绝缘材料153，第二导孔IM穿过金属基板121之处的周围也形成有绝缘材料155。请参考图2A与图2B，为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图，图2A为侧视图，图2B为上视图。如图所示，内藏电容基板模块100包括两层固态电解电容材料120、一金属基板121以及上基板142与下基板144，两层固态电解电容材料120 其中的一层与金属基板121的一部份以及上基板142的一部分形成一固态电解电容130，同样地，两层固态电解电容材料120其中的另一层与金属基板121的一部份以及下基板144 的一部分也形成一固态电解电容130。金属基板121的另一部份与上基板142以及下基板144的另一部份延伸形成有一电极引出区110。在此一实施例中，金属基板121的两表面均形成有固态电解电容材料120，亦即在上基板142与金属基板121之间以及在下基板144与金属基板121之间均形成有固态电解电容材料。在另一实施例中，亦可选择性地形成一固态电解电容即可，亦即形成于上基板142与金属基板121之间或形成于下基板144与金属基板121之间。
两层固态电解电容材料120其中的一层未与金属基板121结合的一侧与上基板 142之间透过第一导电黏着层125结合，两层固态电解电容材料120其中的另一层与下基板144之间透过第二导电黏着层127结合。在一实施例中，第一导电黏着层125与/或第二导电黏着层127可使用但并非限定碳胶或其均等物。上基板142与下基板144可使用但并非限定铜箔基板或银基板。
两层固态电解电容材料120则是由但并非限定由氧化铝层122、以及导电高分子 (PEDOT)层IM组成。两层氧化铝层122分别形成于金属基板121的两表面，两层导电高分子层IM则分别形成于两层氧化铝层122之上。金属基板121与上基板142之间以及金属基板121与下基板144之间则形成有绝缘材料146、148，绝缘材料146、148可使用但并非限定树脂或者介电材料。
图2A所示的实施例，在形成固态电解电容130的区域外再形成一电极引出区110， 在此一电极引出区110中，由上基板142、下基板144、以及固态电解电容材料120与金属基板121延伸形成金属基板121与上基板142之间以及金属基板121与下基板144之间则形成有绝缘材料146、148。在一大面积的金属基板121与上基板142之间以及该大面积的金属基板121与下基板144之间的一区域形成一固态电解电容，其余区域则在金属基板121 与上基板140间及金属基板121与下基板144间以绝缘材料146、148填充。固态电解电容 130的金属基板121的水平方向的面积大于固态电解电容130本身的水平方向的面积，由于大面积的金属基板的结构，亦即延伸形成的电极引出区110，使得可以直接在基板结构上进行钻孔或电镀，而不需要破坏电解电容的结构，使得内藏固态电解电容基板模块可与其它表层或内层电路电性连接。
例如，透过第一导孔(via) 152连接金属基板121，第二导孔(via)巧4连接上基板 142与下基板144，其位置如图2B所示，使内藏固态电解电容基板模块与外部电路电性连接，此时，其中金属基板121作为一第一电极，上基板142与下基板144的至少其中之一作为一第一电极，而第一电极与第二电极的正负极性互为相反。虽然此处第二导孔巧4连接上基板142与下基板144，但当仅形成有一层固态电解电容时，第二导孔巧4亦可仅连接上基板142与下基板144其中之一。
在此实施例中，第一导孔152与第二导孔154皆穿过整个模块，但因为第一导孔 152连接金属基板121，第二导孔巧4连接上基板142与下基板144，因此，第一导孔152必须要与上基板142与下基板144绝缘，第二导孔154必须要与金属基板121绝缘。故如图所示，第一导孔152穿过上基板142与下基板144之处的周围形成有绝缘材料153，第二导孔154穿过金属基板121之处的周围也形成有绝缘材料155。
为了提升IC载板内藏平板电容的电容值，前述以及后面将提及的实施例所公开的内藏固态电解电容基板模块可整合于印刷电路板中。与传统固态电容器不同的是此结构的固态电解电容模块中的金属基板121和基板140(图1的实施例)的面积或者金属基板121和上基板142与下基板144(图2A的实施例)的面积(亦即电极引出区)比真正有电容感应电荷产生的区域(亦即固态电解电容130，如图2B所示的斜线区域)大。此结构的优点是当固态电解电容基板模块以印刷电路板工艺埋入或压合在电路板中后，斜线区域以外的基板面积皆可以藉由钻孔或电镀，使得内藏固态电解电容基板模块可与其它表层或内层电路电性连接，提供大电容于电路中使用。而在现有技术中，则是将导孔形成于固态电解电容当中方能使电容与外部组件相连接。
从图2A可以看出来，内藏电容基板模块100中的固态电解电容为双层。当然亦可根据实际的设计需求选择性地设置一层即可，为当选择一层时，仍然透过导电黏着层与上基板142或与下基板144形成电性连接关系。而当选择其中一层时可仅使用上基板142与下基板144的至少其中之一作为电极。
从图2B可以看出来，固态电解电容设置于内藏电容基板模块100四个角落其中之一，第一导孔152与第二导孔巧4的位置大致上设置于内藏电容基板模块100的中央，亦即电极引出区110。但此等固态电解电容的设置位置与第一导孔152与第二导孔154的设置位置并非绝对，当可依实际电路设计或者系统需求而变更。例如图3A与图;3B所示的另一实施例，其在内藏电容基板模块100的四个角落皆设置有固态电解电容130，其余部份则为电极引出区110。又亦如图4A与图4B所示的另一实施例，其将固态电解电容130设置于内藏电容基板模块100的中央，其余部份则为电极引出区110。第一导孔152与第二导孔巧4设置于固态电解电容130的一侧，此外由图中可知，可设计有第三导孔156连接金属基板121，第四导孔158连接上基板142与下基板144，其中第三导孔156可电性连接至电源， 第四导孔158则电性连接至接地端。如图4A所示，第三导孔156穿过上基板142与下基板 144之处的周围形成有绝缘材料157，第四导孔158穿过金属基板121之处的周围也形成有绝缘材料159。
请参考图5，为本发明所公开的内藏电容基板模块的另一实施例的结构示意图。 如图所示，其由内藏电容基板模块100与平板电容210、220并联组成。平板电容210形成于内藏电容基板模块100的一表面，平板电容220形成于内藏电容基板模块100的另一表面。平板电容210与内藏电容基板模块100之间则藉由一结合层232结合。平板电容220 与内藏电容基板模块100之间同样地则藉由另一结合层234结合，结合层由绝缘材料所组成。平板电容210包括第一金属层211与第二金属层212、绝缘层213，第一金属层211与第二金属层212之间形成有一绝缘层213。平板电容220包括第一金属层221与第二金属层222、绝缘层223，第一金属层221与第二金属层222之间形成有一绝缘层223。第一导孔 (via) 152与第二导孔(Via)IM形成于电极引出区110。第一导孔152连接固态电解电容的金属基板121、平板电容210的第一金属层211、以及平板电容220的第一金属层221，第二导孔巧4连接内藏电容基板模块100的上基板142与下基板144、平板电容210的第二金属层212、以及平板电容220的第二金属层222。透过第一导孔152与第二导孔154的设置与连接关系的设计，以将内藏电容基板模块100与平板电容210、220形成并联连接的电性关系。
在此实施例中，由于第一导孔与第二导孔极性不同，而第一导孔152连接固态电解电容的金属基板121、平板电容210的第一金属层211、以及平板电容220的第一金属层 221，因此，第二导孔巧4必须要与金属基板121、第一金属层211及第一金属层221这些金属层电性绝缘。同样地第二导孔巧4连接内藏电容基板模块100的上基板142与下基板 144、平板电容210的第二金属层212、以及平板电容220的第二金属层222，第一导孔152 也必须要与142、144、212及222这些金属层电性绝缘。故如图所示，第一导孔152穿过内藏电容基板模块100的上基板142与下基板144、平板电容210的第二金属层212、以及平板电容220的第二金属层222之处的周围形成有绝缘材料153，第二导孔154穿过固态电解电容的金属基板121、平板电容210的第一金属层211、以及平板电容220的第一金属层 221之处的周围也形成有绝缘材料155。从图5中可以看出来，除了内藏电容基板模块100中的固态电解电容外，还有两组的平板电容，使得固态电解电容基板模块同时可提供多个nF至数百uF的电容值。图5的实施例的电容模块可同时抑制高频和低频噪声。当然，内藏电容基板模块100中的固态电解电容的数量、平板电容的数量以及第一导孔与第二导孔的位置设置并非绝对，当可依实际电路设计或者系统需求而变更。亦即，平板电容也仅可设置一层，当设置一层时，第一导孔152与第二导孔154的周围的绝缘层的设置也对应调整。而在其它的实施例中，平板电容的绝缘材料也可采用高介电常数或者由喷墨印刷 (Ink jet)制作而成。图6为图5所示的内藏电容基板模块的应用。如图6所示，IC载板中形成有一内藏电容基板模块100，内藏电容基板模块100的上下两侧表面均形成有绝缘层162-1、 162-2、162-3、164-1、164-2、164-3，由此可以看出将内藏电容基板模块内藏于IC载板中的情形。IC载板中亦形成有信号层172、电源层175以及接地层176，分别形成于绝缘层 162-1、162-2、162-3、164-1、164-2、164-3之中。从程序上来说，在内藏电容基板模块100的上下两侧表面依序形成绝缘层162-1与164-1、电源层175与接地层176、绝缘层162-2与 164-2、信号层172、以及绝缘层162-3与164-3。虽然此处以统称方式命名绝缘层162-1、 162-2、162-3、164-1、164-2、164-3，但本领域的技术人员可知绝缘层 162-1、162-2、162-3、 164-1、164-2、164-3以及信号层172、电源层175以及接地层176以一层一层的方式形成。 集成电路182以锡球(solder bal 1) 184透过接垫186与IC载板形成电性连接，亦即集成电路182的其中的一锡球与IC载板的接地层176形成电性连接，其中的另一锡球与IC载板的电源层175形成电性连接。IC载板中的信号层172则用以传递信号。同样地，第一导孔166连接固态电解电容的金属基板121以及IC载板中的电源层175，第二导孔168连接内藏电容基板模块100的上基板142与下基板144以及IC载板中的接地层176。透过此一架构，提供IC载板表面集成电路所需求的电容值。与前述实施例类似，第一导孔166穿过上基板142与下基板144之处的周围形成有绝缘材料153，第二导孔168穿过金属基板121之处的周围也形成有绝缘材料155。本发明提出一大面积的高电容值内藏电容基板模块，此固态电容模块可内藏于印刷电路板中，还可与有机基板内藏平板电容并联，此电容模块可提供多个nF 数百uF的电容值，以解决目前印刷电路板内藏平板电容器的电容值无法超过uF以上的问题。此基板内藏电容模块可应用在印刷电路板、芯片承载基板中，提供一个大电容值、宽带且低阻抗值的去耦合电容或bypass电容，达到稳定集成电路电源系统的目的。
权利要求
1.一种内藏电容基板模块，其特征在于，包括有 一基板；一金属基板；一固态电解电容材料，形成于该金属基板之上，以与该基板形成一固态电解电容； 一电极引出区，由该基板以及该金属基板延伸形成，其中该金属基板作为一第一电极， 该基板作为一第二电极；以及一绝缘材料，形成于该基板与该金属基板之间。
2.如权利要求1所述的内藏电容基板模块，其特征在于，还包括有一第一导孔，形成于该电极引出区，以电性连接该固态电解电容的该金属基板；以及一第二导孔，形成于该电极引出区，以电性连接该基板。
3.如权利要求2所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该第一导孔穿过该基板之处的周围形成有一绝缘材料，该第二导孔穿过该金属基板之处的周围形成有一绝缘材料。
4.如权利要求1所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该固态电解电容材料包括有一氧化铝层以及一导电高分子层。
5.如权利要求1所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该固态电解电容材料的未与该金属基板接触的一侧与该基板之间透过一导电黏着层结合。
6.如权利要求5所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该导电黏着层为碳胶。
7.如权利要求1所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该固态电解电容的该金属基板为一铝基板。
8.如权利要求1所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该基板的材料为铜箔或银。
9.如权利要求1所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该绝缘材料为树脂或介电材料。
10.一种内藏电容基板模块，其特征在于，包括有 一上基板；一下基板；一金属基板；一层以上的固态电解电容材料，形成于该上基板与该金属基板及该下基板与该金属基板之间，以分别与该上基板与该下基板形成一固态电解电容，或者选择性地形成于该上基板与该金属基板之间或该下基板与该金属基板之间，以分别与该上基板或该下基板形成一固态电解电容；一电极引出区，系由该上基板、该下基板、以及该金属基板延伸形成，其中该金属基板作为一第一电极，该上基板与该下基板的至少其中之一作为一第二电极；以及一绝缘材料，形成于该上基板与该金属基板之间以及形成于该下基板与该金属基板之间。
11.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，还包括有 一第一导孔，形成于该电极弓丨出区，以电性连接该金属基板；以及一第二导孔，形成于该电极引出区，以电性连接该上基板及/或该下基板。
12.如权利要求11所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该第一导孔穿过该上基板与该下基板之处的周围形成有一绝缘材料，该第二导孔穿过该金属基板之处的周围形成有一绝缘材料。
13.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该固态电解电容材料包括有一氧化铝层以及一导电高分子层。
14.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，当该一层以上的固态电解电容材料形成于该上基板与该金属基板及该下基板与该金属基板之间时，该一层以上的固态电解电容材料其中的一层与该上基板之间透过一第一导电黏着层结合，该一层以上的固态电解电容材料其中的另一层与该下基板之间透过一第二导电黏着层结合。
15.如权利要求14所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该第一导电黏着层为碳胶， 该第二导电黏着层为碳胶。
16.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，当该一层以上的固态电解电容材料选择性地形成于该上基板与该金属基板之间时，该固态电解电容材料与该上基板之间透过一第一导电黏着层结合，当该固态电解电容材料选择性地形成于该下基板与该金属基板之间时，该固态电解电容材料与该下基板之间透过一第二导电黏着层结合。
17.如权利要求16所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该第一导电黏着层为碳胶， 该第二导电黏着层为碳胶。
18.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该固态电解电容的该金属基板为一铝基板。
19.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该上基板与该下基板的材料为铜箔或银。
20.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该绝缘材料为树脂或者介电材料。
21.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，还包括有一电容形成于该上基板的另一表面上。
22.如权利要求21所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该电容与该上基板之间还包括有一结合层。
23.如权利要求21所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该电容包括有一第一金属层、一第二金属层以及一绝缘层形成于该第一金属层与该第二金属层之间。
24.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，还包括有一另一电容形成于该下基板的另一表面上。
25.如权利要求M所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该另一电容与该下基板之间还包括有一结合层。
26.如权利要求M所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该另一电容包括有一第一金属层、一第二金属层以及一绝缘层形成于该第一金属层与该第二金属层之间。
27.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该固态电解电容形成于该内藏电容基板模块的中央。
28.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该固态电解电容形成有多个。
29.如权利要求10所述的内藏电容基板模块，其特征在于，该内藏电容基板模块的上下两侧表面均形成有绝缘层，该内藏电容基板模块内藏于IC载板中，该IC载板中形成有信号层、电源层以及接地层，分别形成于绝缘层之中。
30.如权利要求四所述的内藏电容基板模块,其特征在于，还包括集成电路以锡球透过接垫与IC载板形成电性连接。
全文摘要
本发明公开一种内藏电容基板模块，包括有一基板、一金属基板以及一固态电解电容材料，其中固态电解电容材料形成于金属基板之上，以与基板形成一固态电解电容；此外，内藏电容基板模块更包括有一电极引出区，系由基板以及金属基板延伸形成，其中金属基板作为一第一电极，基板作为一第二电极；绝缘材料形成于基板与金属基板之间。根据本发明所公开的实施例的内藏电容基板模块，不但保留传统固态电容大电容值的优点，还可在内埋于印刷电路板之后再进行钻孔电镀与其它电路电性连接。
文档编号H01L23/64GK102548210SQ201010623839
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月29日
发明者徐健明, 李明林, 蔡丽端, 郑丞良 申请人:财团法人工业技术研究院