专利名称：一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种可控硅结构，尤其涉及一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构。
背景技术：
常规阴极扩散仅扩散阴极区，在进行台面腐蚀槽步骤时腐蚀槽速度慢，腐蚀后的 台面腐蚀槽边缘不平齐，台面腐蚀槽底部不太平整，腐蚀时的侧向腐蚀量较大，整个硅片的 翘曲度较大。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构，能有效解决上 述存在的问题。本实用新型采用的技术方案是一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构，包括阴极区、短基区、长基区和穿通扩散 区，所述与穿通扩散区相连的可控硅短基区还增加了扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区，所 述扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区与穿通扩散区连接。本实用新型除扩散阴极区外，还在台面腐蚀槽处扩散了阴极杂质，使得此处硅片 的杂质浓度大大增加。硅片的高掺杂处在台面腐蚀时更易腐蚀，腐蚀速率大大增加。本实用新型的优点是1、腐蚀速率快；2、台面腐蚀后槽边缘较常规更加平齐；3、台面腐蚀后槽底部较常 规更加平整；4、侧向腐蚀量较常规明显减小；5、整个硅片的翘曲度比常规小。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细描述
图1为本实用新型的结构示意图。其中1、穿通扩散区，2、短基区，3、阴极区，4、扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区，5、 长基区。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构，包括阴极区 3、短基区2、长基区5和穿通扩散区1，与穿通扩散区1相连的可控硅短基区2还增加了扩 散阴极杂质的辅助台面腐蚀区4，扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区4与穿通扩散区1连接。本实用新型结构式通过阴极版在光刻腐蚀时，同时刻蚀出阴极图形和台面腐蚀槽 的图形，阴极扩散时此两处均扩散进高浓度阴极杂质。台面腐蚀槽处扩散的阴极杂质使得 台面腐蚀槽时更易腐蚀。本实用新型的优点是[0015]1、腐蚀速率快；2、台面腐蚀后槽边缘较常规更加平齐；3、台面腐蚀后槽底部较常 规更加平整；4、侧向腐蚀量较常规明显减小；5、整个硅片的翘曲度比常规小。
权利要求一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构，包括阴极区、短基区、长基区和穿通扩散区，其特征是所述与穿通扩散区相连的可控硅短基区还增加了扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区，所述扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区与穿通扩散区连接。
专利摘要本实用新型涉及一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构，包括阴极区、短基区、长基区和穿通扩散区，其特征是所述与穿通扩散区相连的可控硅短基区还增加了扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区，所述扩散阴极杂质的辅助台面腐蚀区与穿通扩散区连接。本实用新型的优点是1、腐蚀速率快；2、台面腐蚀后槽边缘较常规更加平齐；3、台面腐蚀后槽底部较常规更加平整；4、侧向腐蚀量较常规明显减小；5、整个硅片的翘曲度比常规小。
文档编号H01L29/74GK201773841SQ20102024078
公开日2011年3月23日 申请日期2010年6月28日 优先权日2010年6月28日
发明者周健, 朱法扬, 耿开远 申请人:启东吉莱电子有限公司