专利名称：单相整流桥的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件，更具体地说涉及一种单相整流桥。
技术背景在电力半导体模块的发展中，随着集成度的提高，体积减小，使得单位散热面积上 的功耗增加，散热成为模块制造中的一个关键问题，而传统的模块结构如焊接式、或压接 式，已无法成功地解决散热问题。因此对处于散热底板和芯片之间的导热绝缘材料提出了 新要求。实用新型内容本实用新型的目的是针对现有技术不足之处而提供一种散热性能好的、性能稳定 的、寿命长耐用的单相整流桥。本实用新型的目的是通过以下措施来实现一种单相整流桥，包括有壳体、一组由 玻璃钝化的高压芯片组成的桥式整流器，其特征在于还有由铜基板、陶瓷基片、铜垫板依 次层叠连接的基础件；所述桥式整流器下底面与基础件的铜垫板焊接连接，桥式整流器及 基础件由环氧树脂灌封在壳体中，桥式整流器接线端子外伸出壳体。与现有技术相比，由于采用了本实用新型的单相整流桥，具有以下优点1)采用由铜垫板、陶瓷基片组成的覆铜陶瓷基板材料，具有高导热率，加之高纯厚 铜基板的高热容量和高热扩散能力，与同类产品相比具有强的散热性能各绝缘性能，产品 耐压达到2. 5KV以上；2)所选铜垫板、陶瓷基片及铜基板与硅芯片的热膨胀率相近，故热膨 胀内应力小、性能稳定、使用寿命长。
图1为本实用新型实施例内部结构示意图。图2为图1实施例整流桥电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对具体实施方式
作详细说明图1 图2中，一种单相整流桥，包括有壳体8、一组由玻璃钝化的高压芯片组成的 桥式整流器9，所述壳体8底面由下至上依次层叠有铜基板1，陶瓷基片2，铜垫板3，所述桥 式整流器9由连桥4，二极管芯片6，交、直流接线端子5组成，桥式整流器9下底面与铜垫 板3焊接连接，桥式整流器9由环氧树脂7灌封在壳体8中，桥式整流器接线端子外伸出壳 体。本实用新型采用由铜垫板、陶瓷基片组成的覆铜陶瓷基板材料，铜垫板能够有效 与二极管芯片焊接，起到良好的过渡连接作用，陶瓷基片具有绝缘性能好，能有效降低焊接 时的机械应力，传导热性能佳的特有性能。位于最底部的铜基板具有高热容量和高热扩散3能力，二极管芯片采用本公司经玻璃钝化的高压芯片，通过特有的氮化硅制程工艺，采用了 背面切割工艺，避免了正面切割可能起的玻璃裂纹、硅裂、背崩等可靠性问题，保证了组成 的桥式整流器具有耐高温、耐高压特性及高可靠性，本产品耐压能达到2. 5KV以上。 上述实施例并不构成对本实用新型的限制，凡采用等同替换或等效变换的形式所 获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1. 一种单相整流桥，包括有壳体、一组由玻璃钝化的高压芯片组成的桥式整流器，其特 征在于还有由铜基板、陶瓷基片、铜垫板依次层叠连接的基础件；所述桥式整流器下底面 与基础件的铜垫板焊接连接，桥式整流器及基础件由环氧树脂灌封在壳体中，桥式整流器 接线端子外伸出壳体。
专利摘要本实用新型涉及一种单相整流桥。包括有壳体、桥式整流器、基础件。所述基础件由铜基板、陶瓷基片、铜垫板依次层叠连接组成；所述桥式整流器下底面与基础件的铜垫板焊接连接，桥式整流器及基础件由环氧树脂灌封在壳体中，桥式整流器接线端子外伸出壳体。本实用新型具有以下优点1)采用由铜垫板、陶瓷基片组成的覆铜陶瓷基板材料，具有高导热率，加之高纯厚铜基板的高热容量和高热扩散能力，与同类产品相比具有强的散热性能各绝缘性能，产品耐压达到2.5KV以上；2)所选铜垫板、陶瓷基片及铜基板与硅芯片的热膨胀率相近，故热膨胀内应力小、性能稳定、使用寿命长。
文档编号H01L23/28GK201838587SQ20102053049
公开日2011年5月18日 申请日期2010年9月15日 优先权日2010年9月15日
发明者臧凯晋, 蒋陆金 申请人:上海美高森美半导体有限公司