专利名称：可抑制瞬间启动电流的半导体制冷器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体制冷器，尤其是一种结构简单、成本低廉、具有较高的制冷效率且性能可靠的可抑制瞬间启动电流的半导体制冷器。
技术背景目前，随着通信用半导体激光器的小型集成化，内部装配空间的缩小对半导体制冷器(TEC)提出了更为严格的要求。为配合半导体激光器整体热性能的提高，通常要求TEC 有较高的制冷效率，即要求TEC有较小的交流电阻。在半导体激光器中，TEC是将热敏电阻所反馈的当前温度值与用户预先设定好的温控值进行比较，进而决定所用电流的大小及正负，进行温度控制。因TEC交流电阻较小，当外部环境温度较高或者较低(与TEC预设的温控值相差较大)时，TEC会在启动的瞬间以最快的速度(最大电流值)对半导体激光器进行温控，瞬间电流过大会对供电模块造成很大的影响，使外部电路无法正常供电，进而激光器也无法正常工作；同时，TEC连接线(一般为20μ或者25μ的金丝)在供电瞬也存在着熔断的危险，导致产品的可靠性降低。
发明内容本实用新型是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种结构简单、成本低廉、具有较高的制冷效率且性能可靠的可抑制瞬间启动电流的半导体制冷器。本实用新型的技术解决方案是一种可抑制瞬间启动电流的半导体制冷器，有半导体制冷器本体，其特征在于在半导体制冷器本体的电流输入端串联有电感线圈。本实用新型结构简单、成本低廉，在满足较高制冷效率(交流电阻小)的前提下， 所设置的电感线圈可抑制启动瞬间电流，克服因启动瞬间电流过大而存在的种种弊病，提高了产品的可靠性。
图1是本实用新型实施例的电路原理框图。
具体实施方式
下面将结合附图说明本实用新型的具体实施方式
。如图1所示有同现有技术相同的半导体制冷器本体，与现有技术所不同的是在半导体制冷器本体的电流输入端串联有电感线圈，如40ηΗ电感。将本实用新型实施例装入半导体激光器，然后对半导体激光器瞬间启动电流进行测试。具体测试方法是将TEC回路中串联1欧姆的电阻，在启动的瞬间利用示波器记录该电阻瞬间的电压曲线，从而测定瞬间回路中的启动电流。TEC的控制温度设定为50°C，半导体激光器的操作温度为25°C (士2°C)。与现有技术对比测试结果。通过比较，可以看出本实用新型实施例的瞬间启动电流明显的变小(纵向下冲的深度)，说明对瞬间启动电流有了有效地抑制。
权利要求1. 一种可抑制瞬间启动电流的半导体制冷器，有半导体制冷器本体，其特征在于在半导体制冷器本体的电流输入端串联有电感线圈。
专利摘要本实用新型公开一种可抑制瞬间启动电流的半导体制冷器，有半导体制冷器本体，其特征在于在半导体制冷器本体的电流输入端串联有电感线圈。结构简单、成本低廉，在满足较高制冷效率(交流电阻小)的前提下，所设置的电感线圈可抑制启动瞬间电流，克服因启动瞬间电流过大而存在的种种弊病，提高了产品的可靠性。
文档编号H01S5/024GK201975682SQ20102067598
公开日2011年9月14日 申请日期2010年12月23日 优先权日2010年12月23日
发明者刘学洋, 高嵩 申请人:大连艾科科技开发有限公司