专利名称：一种高结温半导体可控硅的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种高结温半导体可控硅，具体涉及ー种起控制或开关电源用的高结温半导体可控娃BTB16。
背景技术：
目前，普通可控硅广泛应用于开关电源用或调压用设备上，如广泛应用在调速、调压，调光电源上，但是现有技术中的普通可控硅的PN结的结温为110°C。因此，目前现有技术中的普通可控硅BTB16不能满足高要求的标准。
发明内容
发明目的本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供ー种PN结最高结温达1400C以上的高结温半导体可控硅BTB16。技术方案为了实现以上目的，本发明采用了这样ー种高结温半导体可控硅，它包括铜电极片底座、设置在铜电极片底座上的ニ个引脚、焊接在铜电极片底座上的高结温可控硅芯片，所述的可控硅芯片的门极和阴极分别通过金属丝焊接到ニ个引脚上，塑封料将整个可控硅芯片封装在铜电极底座上，形成一个完整的高结温可控硅BTB16。所述的高结温半导体可控硅BTB16，其中所述的焊接在底座上的可控硅芯片为高结温可控硅芯片，其中采用的高结温可控硅芯片面积为任何芯片面积及各形状。所述的高结温半导体可控硅BTB16，其中底座为铜电极，该铜电极底座可以采用不同形状，也可以采用的较大面积或厚度的铜电极片。所述的高结温半导体可控硅，其中塑封料将整个高结温可控硅芯片封装在铜电极底座上，形成一个完整的塑料封装的可控硅。有益效果本发明所述的高结温半导体可控硅最高结温可达到140°C以上，而现有技术中的普通半导体可控硅BTB16最高结温可达到110°C，在实际应用过程中大大提高了产品在使用过程中的可靠性。
图I为本发明所述的高结温半导体可控硅的结构示意图。图2为图I沿A-A方向的剖视结构示意图。
具体实施例如图I、图2所不，一种高结温半导体可控娃，具体为改良半导体可控娃BTB16,它包括铜电极底座I、设置在铜电极底座I上的两个铜引脚2、焊接在铜电极底座I上的高结温可控硅芯片3、粘设在铜电极底座I上的塑封料4，其中高结温可控硅3的门极7和阴极6分别通过金属丝5用超声波焊接到ニ个铜引脚2上，其中塑封料4将整个可控硅芯片3封装在铜电极底座I上，其中采用的高结温可控硅芯片3的面积为任何芯片面积及各形状，形成一个完整的高结温可 控娃8。
权利要求
1.一种高结温半导体可控硅，其特征在干它包括铜电极底座(I)、设置在该铜电极底座(I)上的两个铜引脚(2)、焊接在所述铜电极底座(I)上的高结温可控硅芯片(3)、该高结温可控硅芯片(3)的门极(7)和阴极(6)分别通过金属丝(5)用超声波焊接到两个铜引脚(2)上，塑封料(4)将整个高结温可控硅芯片(3)封装在铜电极底座(I)上，由此形成一个完整的高结温可控硅(8)。
2.根据权利要求I所述的高结温半导体可控硅，其特征在干所述高结温可控硅(8)最高结温达140°C以上。
3.根据权利要求I所述的高结温半导体可控硅，其特征在于所述高结温可控硅芯片(3)的形状为任何几何形状。
全文摘要
本发明公开了一种高结温半导体可控硅，具体为高结温半导体可控硅BTB16，它包括铜电极底座、设置在铜电极底座上的两个铜引脚、焊接在铜电极底座上的高结温可控硅芯片、焊接在铜电极底座上的塑封料，其中高结温可控硅芯片的门极和阴极分别通过金属丝用超声波焊接到二个铜引脚上，其中塑封料将整个高结温可控硅芯片封装在铜电极底座上，形成一个完整的高结温BTB16可控硅。在国内半导体可控硅PN结最高温度为110℃，本发明提供的改良半导体可控硅最高结温可达到140℃以上，可应用于更广泛的领域、满足更高要求的标准。
文档编号H01L23/495GK102651391SQ20111004549
公开日2012年8月29日 申请日期2011年2月25日 优先权日2011年2月25日
发明者伍林, 左亚兵, 潘建英 申请人:宜兴市环洲微电子有限公司